渦流式流量測量儀的制作方法
【專利摘要】說明并示出了一種渦流式流量測量儀(1)，其帶有：可由介質流經的測量管(2)；用于在介質中產生渦流的阻流體(3)；和偏轉體(4)，其可通過伴隨在介質中的渦流的壓力波動偏轉；和電子單元(6)，其為偏轉體(4)加載電磁輻射，并且由偏轉體(4)接收電磁輻射。
【專利說明】渦流式流量測量儀
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及渦流式流量測量儀，其帶有:可由介質流經的測量管；用于在介質中產生禍流的至少一個阻流體；和至少一個偏轉體(AuslenkkSrper)，其至少可由于通過伴隨在介質中的渦流產生的壓力波動而偏轉。
【背景技術】
[0002]禍流式流量測量儀的測量原理的基礎是，在液態(tài)的或氣態(tài)的介質中在由介質環(huán)流的阻流體之后可形成所謂的卡門渦街，其由隨著流前進的與阻流體分開的渦流形成。渦流與阻流體分開的頻率與流動速度相關，其中，這種關系在一定的前提下幾乎是線性的。因此，可通過測量渦流頻率確定介質的流動速度，由此，在附加地考慮例如介質的壓力和溫度的情況下又可確定體積流量和質量流量。
[0003]在現(xiàn)有技術中，優(yōu)選地將偏轉體用于測量渦流頻率。介質的在渦街中出現(xiàn)的渦流引起局部的壓力波動，該壓力波動作用到偏轉體上并且由偏轉體探測到。偏轉體可為例如利用壓電元件實現(xiàn)的壓力指示器或者為電容式壓力傳感器，在其中，即使在很小的范圍中傳感器元件也經受偏轉。重要的僅僅是，偏轉體如此布置在渦街中，即，由阻流體產生的渦流(至少間接地)旁經偏轉體并且由此可被探測到。為此，偏轉體可在下游設置在阻流體之后，其中，在這種情況下阻流體和偏轉體在本體方面以分離的方式實現(xiàn)。但當例如在從現(xiàn)有技術中已知的帶有壓力指示器的解決方案中壓力指示器布置在阻流體之上或阻流體中并且如此在通道內間接地探測渦街的壓力波動時，偏轉體還可是阻流體自身或者在阻流體中實現(xiàn)；在這種情況下，阻流體和偏轉體在本體方面實現(xiàn)成一個單元。
[0004]在從現(xiàn)有技術中已知的用于探測偏轉體的運動的方法中，在其中，利用電容效應或電感效應，在其中，利用壓電陶瓷工作，或者在其中，使用用于探測偏轉的光纖，偏轉體必須相應通過電的或光學的線路來接觸。這些線路又必須從利用介質填充的空間中通過渦流式流量測量儀的測量管壁或殼體被引導到無介質的空間(通常評估電子設備)中。伴隨于此的引線需要非常高成本的密封，因為根據(jù)應用情況必須達到很高的壓力和/或很高的溫度穩(wěn)定性(數(shù)百巴，數(shù)百攝氏度)。
[0005]取決于過程條件，例如測量介質的高溫，也可能無法使用一些傳感器。即，例如在介質溫度高于居里點的情況下不可使用壓電陶瓷。
[0006]在現(xiàn)有技術中還存在用于測量渦流頻率或伴隨渦流的壓力波動的傳感裝置的其他的實施方案。
[0007]專利文獻US 3 823 610公開了一種渦流式流量測量儀，在其中，為了測量渦流頻率，評估球體由于壓力波動的運動。
[0008]專利文獻US 4 181 020的教導提出在阻流體之后設置有可轉動地支承的接片(Fahne)，其由于壓力波動而運動。公開文獻WO 92/01208的結構是相似的，在該文獻中，光學地測量偏轉體在測量管之外的運動。
[0009]專利文獻US 7 770 469 B2說明了用于測量由于渦流出現(xiàn)的壓力波動的差壓傳感器。在在此的測量結構中，設置有帶有彈性膜片的微波諧振器，其中，膜片如此對壓力波動做出反應，即，改變諧振器的共振頻率。
[0010]為了避免由于偏轉體和阻流體的布置方案預定流動方向的問題使得還可實現(xiàn)雙向測量，可從專利文獻US 4 735 094中得到這樣的布置方案，在其中沿著測量管的縱軸線將用于測量渦流頻率的傳感器布置在兩個阻流體之間。
[0011]為了提高測量精度，在專利文獻US 4 831 883中提出，并排布置兩個阻流體與兩個傳感器。
【發(fā)明內容】
[0012]因此，本發(fā)明的目的在于提出一種渦流式流量測量儀，其為現(xiàn)有技術的備選方案并且優(yōu)選地力求避免實現(xiàn)現(xiàn)有技術的測量原理的缺點。
[0013]對于本發(fā)明基于的渦流式流量測量儀，以上給出且示出的目的由此實現(xiàn)，S卩，設置有至少一個電子單元，其為偏轉體加載電磁輻射，并且由偏轉體接收電磁輻射。根據(jù)本發(fā)明的渦流式流量測量儀具有測量管，在測量管中存在阻流體和偏轉體，其中，通過流動的介質在阻流體之后形成渦流，該渦流作用到偏轉體上。通過以下方式由此探測偏轉體的所引起的運動并且由此將所引起的運動提供用于確定流動情況，即，至少一個電子單元(直接地或間接地)為偏轉體加載電磁輻射并且由偏轉體接收這種輻射，并且優(yōu)選地在流動情況方面進行處理或評估。在此，在該過程之內幾乎保持偏轉體的機械運動并且該機械運動通過電磁輻射來探測。
[0014]在此，在一個設計方案中，所使用的電磁輻射為在微波范圍中的輻射，即，帶有約在IGHz與300GHz之間的頻率或在30cm與Imm之間的波長的輻射。尤其為這樣的輻射，其通常用在根據(jù)雷達原理的填充狀態(tài)測量中。
[0015]根據(jù)實現(xiàn)方案，電磁輻射可至少部分地自由地朝偏轉體的方向上輻射或從該處進行接收，或者輻射可經由導體來引導或耦合到導體中。
[0016]以下設計方案用于變型方案，S卩，輻射耦合到導體上或導體中并且優(yōu)選地也被量取。在此，一引導的變型方案例如還可與自由的射入相組合。
[0017]在一個設計方案中，設置有至少一個傳導裝置，其將電磁輻射引向偏轉體和/或將電磁輻射從偏轉體中引開。相應地，電子單元為至少一個傳導裝置加載電磁輻射和/或從至少一個傳導裝置量取電磁輻射。在該設計方案中，輻射例如沿著傳導裝置來引導或耦合和/或退耦。在另一設計方案中，由至少一個傳導裝置與偏轉體和如有可能其他的元件形成諧振器。如果偏轉體在渦流的影響下運動，則例如在偏轉體和參考點之間的距離變化，這通過電磁輻射來測量。如果備選地或補充地形成有諧振器，則諧振頻率同樣可通過運動改變，這還可通過由電子單元接收的信號進行評估，之后，最終評估諧振器的失調。
[0018]在一個設計方案中，偏轉體基本上設計為膜片，從而與在其厚度或高度方面相比，偏轉體更明顯地在一個平面中延伸。在此，膜片式的偏轉體優(yōu)選地如此相對于阻流體來布置，即，渦流盡可能地作用到膜片的更大的面上。
[0019]在一個設計方案中，至少一個傳導裝置通到偏轉體上。由此，電磁輻射還基本上直接碰在偏轉體上，并且因此偏轉體的運動還尤其影響輻射的反射。
[0020]在備選于此的設計方案中，在傳輸中進行測量。為此，至少一個傳導裝置部分地以機械接觸的方式沿著偏轉體來引導。因此，電磁輻射還沿著偏轉體行進并且受到偏轉體的運動影響。
[0021]在一個設計方案中，至少一個傳導裝置至少部分地是基本上柱狀的，并且備選地或補充地基本上設計為(尤其非傳導性的)空心導體。在一個設計方案中，至少一個傳導裝置至少部分地利用填充介質填充。在一個設計方案中，傳導裝置至少部分地實施為柱狀的(金屬)管。如果測量管由金屬來實施，并且如果傳導裝置以及偏轉體優(yōu)選也是金屬的，則在一個設計方案中給出非常耐高溫的且例如還可用于衛(wèi)生應用的組件。
[0022]在一個設計方案中，至少一個傳導裝置不是用作軸狀導體(Wellenleiter)，而是其和偏轉體一起(必要時結合其他元件)形成諧振器，其性能(例如其諧振頻率)與偏轉體的位置或運動相關。
[0023]在一個設計方案中，偏轉體固定在阻流體處或者為阻流體的一部分。與此相關的是，至少一個傳導裝置至少部分地固定在阻流體處。偏轉體和阻流體在此是兩個構件，其互相安裝或者為共同的構件。
[0024]作為通過傳導裝置將附加的元件引入到測量管中的備選方案，或者作為用于實現(xiàn)傳導裝置與外界的聯(lián)結的補充，一種設計方案設置成，設置有對于電磁輻射可至少部分地穿透的至少一個窗部。窗部例如位于測量管的壁部中。在一個補充的設計方案中，設置有多個窗部，其對于所使用的電磁輻射是可至少部分地穿透的。在一個設計方案中，窗部還具有相應的透鏡。在此進一步設置成，電子單元至少通過至少一個窗部為偏轉體加載電磁輻射和/或至少通過至少一個窗部由偏轉體接收電磁輻射。因此，窗部用于輻射的耦合和退耦，或者必要時基本上僅僅用于耦合和退耦。這種窗部伴隨著封閉的測量管，可相應地實現(xiàn)其例如熱的絕緣。在此，在測量管之內還可將傳導裝置聯(lián)接到這種窗部處。
[0025]在一個設計方案中，在測量室中進行測量，其以傳遞壓力的方式與測量管相連接，并且在測量室中還存在偏轉體。這種測量室例如沿側向位于測量管處。
[0026]在一種設計方案中，設置有至少兩個傳導裝置。通過使用兩個傳導裝置例如可從兩個不同的側部測量偏轉體的運動。為此，例如相對于偏轉體彼此相對而置地布置有至少兩個傳導裝置。如果尤其涉及膜片式的偏轉體，則兩個傳導裝置例如與相應的面狀的側部(即上側和下側)相連接。
[0027]此外，原則上與傳導裝置和必要時窗部的設計和布置方案無關地，可通過測量數(shù)據(jù)的關系提高關于測量的說服力，并且由此還可尤其識別且必要時修正在測量時的干擾。
[0028]在一個設計方案中，至少兩個偏轉體沿著測量管的縱軸線布置在阻流體之后。例如為了識別測量管自身的運動，在該設計方案中相繼布置有兩個阻流體。在此，必要時相應地設置有用于電磁輻射的耦合和/或退耦的多個傳導裝置或窗部，以便相應獲得偏轉體的測量數(shù)據(jù)。
[0029]在另一設計方案中，至少一個偏轉體沿著測量管的縱軸線來布置，并且至少一個偏轉體布置在阻流體之后。在此，該設計方案還可通過以下方式部分地由以上所述的設計方案來補充，即，或者在阻流體之前和/或在阻流體之后布置多于一個偏轉體。通過提高偏轉體的數(shù)量，尤其還可實現(xiàn)在流動方向方面的雙向性，或者實現(xiàn)基于與偏轉體相應相關聯(lián)的測量數(shù)據(jù)確定流動方向。因此，優(yōu)選地與偏轉體一起還設置相應的結構(例如傳導裝置或窗部)以用于測量由于通過借助于阻流體產生的渦流引起的差壓引起的相應的偏轉。備選地，根據(jù)流動方向，偏轉體還至少部分地用作用于相應隨后的偏轉體的附加的阻流體。
[0030]在一個設計方案中，設置有至少一個溫度傳感器以用于確定介質的溫度。備選地或補充地，設置有壓力傳感器以用于測量在測量管中的壓力。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0031]具體存在設計和改進根據(jù)本發(fā)明的渦流式流量測量儀的多種可能性。為此，結合附圖一方面參考從屬于權利要求1的權利要求，另一方面參考實施例的隨后說明。其中:
圖1以示意性的截面圖在第一變型方案中示出了根據(jù)本發(fā)明的渦流式流量測量儀，
圖2以示意性的截面圖在第二變型方案中示出了根據(jù)本發(fā)明的渦流式流量測量儀，
圖3以示意性的截面圖(以垂直于圖1和2的截面的平面的截面平面)在第三變型方案中示出了根據(jù)本發(fā)明的渦流式流量測量儀，
圖4以示意性的截面圖(以與在圖1和2中的相同的截面平面)在第四變型方案中示出了根據(jù)本發(fā)明的渦流式流量測量儀，
圖5以示意性的截面圖在第五變型方案中示出了根據(jù)本發(fā)明的渦流式流量測量儀，
圖6以示意性的截面圖在第六變型方案中示出了根據(jù)本發(fā)明的渦流式流量測量儀，
圖7以與在圖3中相同的截面平面的示意性的截面圖在第七變型方案中示出了根據(jù)本發(fā)明的渦流式流量測量儀，以及
圖8以示意性的截面圖在第八變型方案中示出了根據(jù)本發(fā)明的渦流式流量測量儀。
【具體實施方式】
[0032]在圖1、2和4至7中示出了根據(jù)本發(fā)明的渦流式流量測量儀I的不同實施例的截面圖。在此，截面相應如此伸延，即，相應的測量管2的縱軸線9位于該截面平面中。在圖3、8和9的實施例中，截面平面相應垂直于該截面并且縱軸線9相應地垂直于繪圖平面。
[0033]在圖1中示出了渦流式流量測量儀1，其測量管2在其端部處相應引導到凸緣上，以便例如引入到現(xiàn)有的管系統(tǒng)中。為了測量通過測量管2的介質(其運動方向通過在在此在圖中左側處的箭頭指出)的流量，設置有阻流體3，在阻流體3處通過介質的運動形成渦流。該渦流又引起在介質中的壓力波動，其在此作用到在介質的流動方向上布置在阻流體3之后的偏轉體4上并且由此使偏轉體4偏轉。
[0034]為了最優(yōu)地測量，偏轉體4沿著測量管2的縱軸線9布置成與阻流體3具有合適的距離。在在此膜片式的偏轉體4的情況下，偏轉體4基本上位于這樣的平面中，S卩，縱軸線9位于該平面中。
[0035]在所示出的設計方案中，在此在圖中布置在偏轉體4之上或之下的兩個傳導裝置5用于探測偏轉體4相對于參考點的偏轉，更確切地說位置變化。兩個傳導裝置5設置為用于電磁輻射的空心導體，電磁輻射由電子單元6通過天線7產生并被接收。在一變型方案中，為了測量偏轉體4的偏轉，主要使用例如在確定介質的填充高度時所用的雷達原理，也就是說，確定輻射的運行時間并且從中推出距離。
[0036]優(yōu)選備選地確定在發(fā)射出的電磁輻射與再次接收的電磁輻射之間的相位，并且將其用于確定在電子單元6的發(fā)射器/接收器和偏轉體之間的距離，尤其對此還可使用經調制的電磁輻射。為此，已知多種經證實的方法，例如連續(xù)波雷達或經調制的連續(xù)波雷達。
[0037]在所示出的設計方案中，通過兩個傳導裝置5還得到兩種測量并且因此得到至少兩組測量數(shù)據(jù)，其相應地相互結合或者必要時考慮用于修正。
[0038]為了簡化并且還為了圖示的清楚性，在此設置僅僅一個電子單元6。然而，備選地還可設置成多于一個電子單元6。
[0039]指出的是，測量管2、傳導裝置5和偏轉體4相應基本上由金屬設計而成并且因此相互焊接或釬焊在一起。傳導裝置5與偏轉體一起相應根據(jù)空心導體的形式形成兩個測量區(qū)段，其中，兩個測量區(qū)段在其共同的接合部位處通過偏轉體4來限制。偏轉體4不僅在通過傳導裝置5形成的空腔之內而且在空腔之外伸延。在傳導裝置5的外部空間中，偏轉體4暴露在介質的通過渦流引起的壓力波動中。該壓力波動不僅在傳導裝置5之外而且在傳導裝置5之內引起偏轉體4的變形，在此，變形然后可通過電磁輻射更確切地說通過評估電磁輻射的行進時間特性和擴散特性來探測。如果偏轉體4在傳導裝置5之內由于壓力波動而如此偏轉，即，一測量區(qū)段擴大，另一測量區(qū)段自動地減小相同的量，從而在此可以推挽(Gegentakt)的方式實現(xiàn)測量偏轉體4的運動。
[0040]固定在測量管2處的傳導裝置5在所示出的實施例中不僅用于引導電磁輻射，其更確切地說還用于固定偏轉體4。同時還通過傳導裝置實現(xiàn)與電子單元6的在熱方面的分開。
[0041]圖2的設計方案與圖1的設計方案的區(qū)別在于，傳導裝置5相應與偏轉體4 一起形成諧振器。在此，諧振器相應如此構造，即，其特性(例如諧振頻率)與偏轉體4的位置或定向相關。這意味著，偏轉體4的運動例如表現(xiàn)出存在其他的諧振頻率。因此，在偏轉體4偏轉時，所實現(xiàn)的諧振器失調，其中，失調的可評估的頻率為實際關注的測量信號。使用諧振器(更確切地說，在此兩個諧振器)引起:與根據(jù)圖1的空心軸導體變型方案相比，所使用的電磁輻射是窄帶的。然而在這兩種設計方案中，傳導裝置5安裝成基本上垂直于偏轉體4。
[0042]利用圖1和2的設計方案的測量基本上且在最寬泛的思想中在使用反射的情況下來實現(xiàn)。當電磁輻射經由兩個傳導裝置5沿著偏轉體4來引導時，圖3的設計方案使用通過傳導裝置5的傳輸方式(在此示意性地通過箭頭指出)。在此，圖3的視圖沿著測量管2的縱軸線的方向。圖3為原理圖。傳導裝置5和偏轉體4必須在機械方面如此設計，S卩，在測量管2中通過渦流產生的壓力波動引起偏轉體4和如有可能傳導裝置5的足夠的偏轉。在基于電磁輻射傳輸通過傳導裝置5的該設計方案中，偏轉體自身并未伸到通過傳導裝置5形成的測量空腔中。
[0043]在此利用材料8填充的并且由此不是如例如在圖1的設計方案中那樣是空心的傳導裝置5基本上U形地沿著膜片式的偏轉體4來引導并且相應地對偏轉體4的運動做出反應。
[0044]此外可看出，偏轉體4的翻轉相應相反地影響通過兩個傳導裝置5的測量。此外，出現(xiàn)相對穩(wěn)定的結構，其中，傳導裝置5互相支撐或者部分地相互支撐偏轉體4。在一備選的(在此未示出的)設計方案中設置了用于利用電磁輻射進行測量的僅僅一個傳導裝置5。
[0045]在圖4的設計方案中，偏轉體4直接安裝在阻流體3處并且由此幾乎為阻流體3的延長部。此外，同樣如在前述設計方案中那樣設置有兩個傳導裝置5，其在此同樣位于膜片狀的偏轉體4之上和之下。
[0046]相繼布置阻流體3和偏轉體4的缺點是，介質的特定的流動方向與此相關，因為偏轉體4應接對由阻流體3產生的渦流作出反應。因此，流動方向的變化導致不再可實現(xiàn)測量。
[0047]針對該問題，圖5的設計方案設置成，在阻流體3之前和之后相應設置有偏轉體4 (在此相應帶有兩個傳導裝置5)。這允許與介質的流動方向無關地進行測量或者使得能夠實現(xiàn)根據(jù)測量推出流動方向。為此，阻流體3例如如此設計，即，其對于兩個流動方向產生為了測量所需的渦流。在圖示中，介質應從左向右流動，從而顯示出的渦流同樣位于阻流體3右側。
[0048]與確定流動方向或用于雙向測量的原則上的可能性方法無關地，包括偏轉體4和傳導裝置5的相繼布置的測量組件還允許測量過程系統(tǒng)的運動或振動或在介質本身的流動中的干擾。
[0049]圖6示出了另一布置方案，其允許通過測量數(shù)據(jù)的相互關系獲得更多信息，在其中，兩個偏轉體4與其傳導裝置5在縱軸線9的方向上布置在阻流體3之后，并且在此這兩者測量或記錄所產生的渦流或壓力波動。
[0050]圖7的設計方案用于另一變型方案，在其中，電子單元6的電磁輻射通過在測量管2的壁部中的窗部10來耦合或退耦。這種窗部10例如在借助于雷達原理的填充狀態(tài)測量的領域中是已知的。備選地，然而在此未示出，窗部可與例如在上述的設計方案中的傳導裝置相組合。
[0051]圖8和9的圖示顯示了將測量移位至測量管2之外。
[0052]圖8顯示了在測量管2的縱軸線的方向上的視圖。通過尤其用于壓力傳遞的兩個通道使測量室11與測量管2相連接，偏轉體4位于測量室11中。在測量管2中，通過阻流體3在介質中產生渦流和壓力波動，其在所顯示的設計方案中在測量室11中進行測得。在此，阻流體3和測量室11可沿著測量管2的縱軸線位于不同的軸向高度上。
[0053]在測量室11中同樣使偏轉體4運動，這可通過由傳導裝置5引導的電磁輻射測得。在此，在傳導裝置5中可存在與過程壓力不同的壓力。
[0054]圖9顯示了一備選方案，在其中測量室11本身是封閉的并且完全處于過程壓力下。在該設計方案中，例如通過(在此未示出的)窗部實現(xiàn)電磁信號的耦合和退耦，窗部例如位于與在此示出的截面不同的軸向高度上。
[0055]在該設計方案中，偏轉體4附加地還具有溫度傳感器12，其允許確定介質溫度。
【權利要求】
1.一種渦流式流量測量儀(I)，其帶有:可由介質流經的測量管⑵；用于在介質中產生渦流的至少一個阻流體(3);和至少一個偏轉體(4)，其至少可由于通過伴隨在介質中的渦流產生的壓力波動而偏轉，其特征在于，設置有至少一個電子單元(6)，其為所述偏轉體(4)加載電磁輻射，并且由所述偏轉體(4)接收電磁輻射。
2.根據(jù)權利要求1所述的渦流式流量測量儀(I)，其特征在于，所述電磁輻射為在微波范圍中的輻射。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的渦流式流量測量儀(I)，其特征在于，設置有至少一個傳導裝置(5)，其將電磁輻射引向所述偏轉體(4)和/或將電磁輻射從所述偏轉體(4)中引開，并且所述電子單元(6)為所述至少一個傳導裝置(5)加載電磁輻射和/或從所述至少一個傳導裝置(5)量取電磁輻射。
4.根據(jù)權利要求3所述的渦流式流量測量儀(I)，其特征在于，所述至少一個傳導裝置(5)通到所述偏轉體(4)上。
5.根據(jù)權利要求3或4所述的渦流式流量測量儀(I)，其特征在于，所述至少一個傳導裝置(5)部分地以機械接觸的方式沿著所述偏轉體(4)來引導。
6.根據(jù)權利要求3至5中任一項所述的渦流式流量測量儀(I)，其特征在于，所述至少一個傳導裝置(5)和所述偏轉體(4)形成諧振器。
7.根據(jù)權利要求3至6中任一項所述的渦流式流量測量儀(I)，其特征在于，所述偏轉體(4)固定在所述阻流體(3)處或者為所述阻流體(3)的一部分，并且所述至少一個傳導裝置(5)至少部分地固定在所述阻流體(3)處。
8.根據(jù)權利要求3至7中任一項所述的渦流式流量測量儀(I)，其特征在于，設置有至少兩個傳導裝置(5)，并且所述至少兩個傳導裝置(5)相對于所述偏轉體(4)彼此相對而置地來布置。
9.根據(jù)權利要求1至8中任一項所述的渦流式流量測量儀(I)，其特征在于，設置有對于電磁輻射可至少部分地穿透的至少一個窗部(10)，并且所述電子單元(6)至少通過所述至少一個窗部(10)為所述偏轉體(4)加載電磁輻射和/或至少通過所述至少一個窗部(10)由所述偏轉體(4)接收電磁福射。
10.根據(jù)權利要求1至9中任一項所述的渦流式流量測量儀(I)，其特征在于，所述偏轉體(4)布置在以傳遞壓力的方式與所述測量管(2)相連接的測量室(11)中。
11.根據(jù)權利要求1至10中任一項所述的渦流式流量測量儀(I)，其特征在于，至少兩個偏轉體(4)沿著所述測量管(2)的縱軸線(9)布置在所述阻流體(3)之后，或者至少一個偏轉體(4)沿著所述測量管(2)的縱軸線(9)布置在所述阻流體(3)之前，并且至少一個偏轉體(4)沿著所述縱軸線(9)布置在所述阻流體(3)之后。
【文檔編號】G01F1/32GK104520680SQ201380043193
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2013年6月26日 優(yōu)先權日:2012年8月13日
【發(fā)明者】比爾吉克 A., 戴爾曼 M., 格丁 M., 穆施 T., 諾伊布格爾 S. 申請人:克洛納測量技術有限公司
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