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專利名稱：輻射探測器及輻射探測裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及輻射探測器及包括該輻射探測器的輻射探測裝置，更具體地，涉及用于X射線或Y射線能譜測量或成像的CdZnTe (CZT)探測器及其探測裝置。
背景技術(shù)：
輻射探測器可以測量例如X射線或Y射線的能譜，因而是進(jìn)行核素識別的主要手段之一。輻射探測器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于核輻射防護(hù)、核安檢、環(huán)境保護(hù)及國土安全等領(lǐng)域，用于檢測放射性物質(zhì)。目前，輻射探測器主要可分為兩類:一類是以NaI (Tl)為代表的閃爍體探測器，另一類是以高純鍺(HPGe)為代表的半導(dǎo)體輻射探測器。閃爍體探測器具有價格便宜、制備簡單等優(yōu)點(diǎn)。然而，閃爍體探測器的能量分辨率較差，很難滿足復(fù)雜能譜精細(xì)結(jié)構(gòu)的測量要求。半導(dǎo)體輻射探測器具有很好的能量分辨率。然而，半導(dǎo)體輻射探測器大都要求在液氮(77K)下保存或使用。由于使用了低溫容器和真空室，這將增加探測器的總體積。而且，需要頻繁地添加液氮，無法滿足野外惡劣條件下的使用要求，使用范圍受到了限制。使用化合物半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體輻射探測器具有能量分辨率高、探測效率高、體積小、便于攜帶、并可在室溫下工作等優(yōu)點(diǎn)。目前，半導(dǎo)體輻射探測器已廣泛應(yīng)用于環(huán)境監(jiān)測、核醫(yī)學(xué)、工業(yè)無損檢測、安全檢查、核武器突防、航空航天、天體物理和高能物理等領(lǐng)域。近年來，人們對HgI2、GaAs、CdTe、CdZnTe、CdSe、GaP、HgS、PbI2及AlSb等多種化合物半導(dǎo)體材料進(jìn)行了廣泛的研究。研究表明，CdZnTe是性能優(yōu)異、最有前途的用于在室溫下工作的半導(dǎo)體輻射探測器的新材料。由于例如CdZnTe的半導(dǎo)體晶體的本身特性，例如空穴壽命短、遷移率低(即μ h τ h很小)，載流子在半導(dǎo)體晶體中的漂移長度Lh很短，在半導(dǎo)體晶體中不同位置處的載流子對脈沖幅度的貢獻(xiàn)不同。結(jié)果，化合物半導(dǎo)體輻射探測器的能量分辨率變差。為改善該類化合物半導(dǎo)體輻射探測器的能量分辨性能，該類化合物半導(dǎo)體輻射探測器往往設(shè)計為具有單電荷靈敏特性的電極結(jié)構(gòu)，以消除因空穴遷移速度慢而對能量分辨率帶來的不良影響。目前，基于單電荷靈敏特性設(shè)計的半導(dǎo)體輻射探測器主要包括:平行弗里希柵型(ParallelFrisch Grid)、共面弗里希柵型(Coplanar Frisch Grid)、半球形(Hemisphere)、準(zhǔn)半球型(Quas1-hemisphere)和小像素型(Pixelated)等。上述基于單電荷靈敏特性設(shè)計的半導(dǎo)體輻射探測器利用特定的電極結(jié)構(gòu)在一定程度上提高了能量分辨率。然而，這些電極結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，工藝制作復(fù)雜且給后續(xù)的讀出電子學(xué)設(shè)計帶來困難，不利于便攜式Y(jié)譜儀的制作?；蛘哌@些電極結(jié)構(gòu)限制了半導(dǎo)體輻射探測器的探測效率，并且對能量分辨率的改善不明顯。

實用新型內(nèi)容本實用新型的一個目的旨在簡化半導(dǎo)體輻射探測器的電極結(jié)構(gòu)以降低生產(chǎn)成本。本實用新型的進(jìn)一步的目的是結(jié)合信號處理電路對半導(dǎo)體輻射探測器的輸出信號進(jìn)行修正，以提高能量分辨率。[0008]根據(jù)本實用新型的一方面，提供一種輻射探測器，包括:用于感測輻射的半導(dǎo)體晶體，所述半導(dǎo)體晶體包括頂部表面、底部表面和至少一個側(cè)面；位于半導(dǎo)體晶體的頂部表面的第一陽極；位于半導(dǎo)體晶體的底部表面的第二陽極；以及位于半導(dǎo)體晶體的至少一個側(cè)面的陰極。優(yōu)選地，半導(dǎo)體晶體感測X射線或Y射線。優(yōu)選地，半導(dǎo)體晶體的形狀為長方體，并且所述頂部表面和所述底部表面是長方體的任意兩個相對表面，所述至少一個側(cè)面是長方體的其余四個表面。優(yōu)選地，半導(dǎo)體晶體的形狀為立方體，并且所述頂部表面和所述底部表面是立方體的任意兩個相對表面，所述至少一個側(cè)面是立方體的其余四個表面。優(yōu)選地，半導(dǎo)體晶體的形狀為圓柱體，并且所述頂部表面和所述底部表面分別是圓柱體的頂面和底面，所述至少一個側(cè)面是圓柱體的側(cè)面。優(yōu)選地，陰極連續(xù)覆蓋半導(dǎo)體晶體的所述至少一個側(cè)面。優(yōu)選地，陰極分成位于半導(dǎo)體晶體的所述至少一個側(cè)面的一部分并且共同連接在一起的多個區(qū)段。優(yōu)選地，陰極完全覆蓋半導(dǎo)體晶體的所述至少一個側(cè)面。優(yōu)選地，第一陽極和第二陽極分別覆蓋半導(dǎo)體晶體的頂部表面和底部表面的至少一部分。進(jìn)一步優(yōu)選地，第一陽極和第二陽極的尺寸為半導(dǎo)體晶體的頂部表面和底部表面之間的高度的1/5 2/5，并且小于半導(dǎo)體晶體的頂部表面和底部表面的尺寸。優(yōu)選地，第一陽極和第二陽極具有相同的形狀，并且相對于陰極對稱地設(shè)置在半導(dǎo)體晶體的頂部表面和底部表面的中心。優(yōu)選地，半導(dǎo)體晶體由選自HgI2、GaAs、CdTe、CdZnTe、CdSe、GaP、HgS、PbI2 和 AlSb中的一種組成。優(yōu)選地，射線沿著半導(dǎo)體晶體的4 π方向入射。進(jìn)一步優(yōu)選地，射線沿著垂直于所述至少一個側(cè)面中的一個側(cè)面的方向入射。根據(jù)本實用新型的另一方面，提供一種輻射探測裝置，包括:上述的輻射探測器；以及信號處理電路，所述信號處理電路包括:第一雙極性放大整形電路，從第一陽極接收第一感測信號并進(jìn)行放大和整形；第二雙極性放大整形電路，從第二陽極接收第二感測信號并進(jìn)行放大和整形；第一絕對值電路，從第一雙極性放大整形電路接收第一感測信號并且計算第一感測信號的幅度的絕對值；第二絕對值電路，從第二雙極性放大整形電路接收第二感測信號并且計算第二感測信號的幅度的絕對值；求和電路，從第一絕對值電路接收第一感測信號的幅度的絕對值，以及從第二絕對值電路接收第二感測信號的幅度的絕對值，并對第一感測信號的幅度的絕對值和第二感測信號的幅度的絕對值求和；以及多道脈沖幅度分析器，接收求和電路的輸出信號并對脈沖幅度分布進(jìn)行分析。優(yōu)選地，輻射探測裝置還包括供電電路，在第一陽極、第二陽極與陰極之間提供工作電壓。優(yōu)選地，輻射探測裝置根據(jù)半導(dǎo)體晶體的高度設(shè)置工作電壓。進(jìn)一步優(yōu)選地，半導(dǎo)體晶體是尺寸為IOmmX IOmmX IOmm的立方體,工作電壓約為100 200V/mm。例如，工作電壓約為200V/mm。[0026]根據(jù)本實用新型的輻射探測器利用第一陽極和第二陽極提供兩路感測信號。在優(yōu)選的實施例中，第一陽極和第二陽極具有相同的形狀，并且相對于陰極對稱地設(shè)置在半導(dǎo)體晶體的頂部表面和底部表面的中心。該電極結(jié)構(gòu)的制備無須進(jìn)行昂貴的光刻技術(shù)。該輻射探測器利用結(jié)構(gòu)簡單的雙陽極結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了單電荷靈敏特性，從而改善能量分辨率。該雙陽極結(jié)構(gòu)使得可以利用較大靈敏體積的半導(dǎo)體晶體，從而可以提高探測效率。根據(jù)本實用新型的輻射探測裝置不需要使用龐大復(fù)雜的信號處理電路，僅依靠雙陽極結(jié)構(gòu)的優(yōu)化及讀出信號的修正即可使室溫半導(dǎo)體Y /X探測器具有較高的能量分辨率。

通過以下參照附圖對本公開實施例的描述，本公開的上述以及其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更為清楚，在附圖中:圖1是根據(jù)本實用新型一個優(yōu)選實施例的輻射探測器的示意性原理圖；圖2是根據(jù)本實用新型一個優(yōu)選實施例的輻射探測器中半導(dǎo)體晶體內(nèi)部不同位置處產(chǎn)生的電子在工作電壓作用下的模擬漂移路徑；圖3是根據(jù)本實用新型一個優(yōu)選實施例的輻射探測裝置的電路框圖；以及圖4是根據(jù)本實用新型一個優(yōu)選實施例的輻射探測裝置的模擬能譜圖。
具體實施方式
下文結(jié)合附圖對本實用新型優(yōu)選實施例進(jìn)行詳細(xì)描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員將會更加明了本實用新型的上述以及其他目的、優(yōu)點(diǎn)和特征。在各個附圖中，相同的元件采用類似的附圖標(biāo)記來表示。為了清楚起見，附圖中的各個部分沒有按比例繪制。圖1是根據(jù)本實用新型一個優(yōu)選實施例的輻射探測器的示意性原理圖。輻射探測器100包括半導(dǎo)體晶體101、陰極102、第一陽極103和第二陽極104。半導(dǎo)體晶體101感測X射線或Y射線。在圖1的示例中，半導(dǎo)體晶體101由CdZnTe (CZT)組成。然而，半導(dǎo)體晶體101的材料不限于此，而是可以由選自HgI2、GaAs、CdTe、CdZnTe、CdSe、GaP、HgS、PbI2及AlSb中的一種組成。在圖1的示例中，半導(dǎo)體晶體101的形狀為立方體，并且任意兩個相對表面分別作為頂表面和底表面，與頂表面和底表面鄰接的四個表面作為側(cè)面。然而，半導(dǎo)體晶體101的形狀不限于此，而是可以是選自長方體、立方體、棱柱和圓柱體的一種，其中兩個相對表面分別作為頂表面和底表面，與頂表面和底表面鄰接的所有表面作為側(cè)面。在圖1的示例中，半導(dǎo)體晶體101的頂部表面和底部表面的尺寸由寬度D表示，半導(dǎo)體晶體101的頂部表面和底部表面之間的距離由高度H表示。立方體的寬度D和高度H都是可以調(diào)整的參數(shù)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)實際應(yīng)用需求及探測器的效率對其進(jìn)行調(diào)整。立方體的寬度D和高度H相等,通常可為大約5mm 20mm,典型地可以大約為10mm。然而，如果半導(dǎo)體晶體101的頂部表面和底部表面的形狀為長方形，則其尺寸由長度L和寬度D表示，如果半導(dǎo)體晶體101的頂部表面和底部表面的形狀為圓形，則其尺寸由半徑R表
/Jn ο在圖1的示例中，陰極102覆蓋半導(dǎo)體晶體101的所有側(cè)面的全部區(qū)域。然而，陰極102的配置不限于此。例如，陰極102可以連續(xù)覆蓋半導(dǎo)體晶體101的各個側(cè)面的一部分，或者可以分成位于半導(dǎo)體晶體101的各個側(cè)面的一部分并且共同連接在一起的多個區(qū)段。在圖1的示例中，第一陽極103和第二陽極104分別覆蓋半導(dǎo)體晶體的頂部表面和底部表面的至少一部分。第一陽極103和第二陽極104均為圓形，并且分別對稱地設(shè)置在半導(dǎo)體晶體的頂部表面和底部表面的中心。第一陽極103和第二陽極104的直徑和半導(dǎo)體晶體101的高度有關(guān)系。如果第一陽極103和第二陽極104的直徑過大，則小像素效應(yīng)不明顯，單電荷靈敏特性不明顯，影響探測器的能量分辨率。如果第一陽極103和第二陽極104的直徑過小，盡管小像素效應(yīng)增強(qiáng)，但不利于電子空穴對的快速收集，會因電子空穴對的壽命問題帶來電荷收集不完全，從而影響探測器的能量分辨率。本領(lǐng)域技術(shù)人員可通過對探測器能量分辨率的優(yōu)化獲得最佳比例關(guān)系。第一陽極103和第二陽極104的尺寸為半導(dǎo)體晶體101的高度的1/5 2/5例如，當(dāng)半導(dǎo)體晶體尺寸是尺寸為IOmmX IOmmX IOmm的立方體時，第一陽極103和第二陽極104的直徑優(yōu)選為3mm。此外，第一陽極103和第二陽極104的尺寸還應(yīng)當(dāng)小于半導(dǎo)體晶體101的頂部表面和底部表面的尺寸，即第一陽極103和第二陽極104沒有全部覆蓋頂部表面和底部表面，小于半導(dǎo)體晶體的頂部表面和底部表面的尺寸。第一陽極103和第二陽極104的配置不限于圓形，而是可以是選自圓形、方形、長方形、三角形、菱形等的一種。在圖1中示意性地示出了輻射探測器100對Y射線的探測過程。在圖1中示出Y射線沿著垂直于半導(dǎo)體晶體101的一個側(cè)面的方向入射。然而，射線的入射方向不限于此，而是可以沿著半導(dǎo)體晶體的4π方向入射。輻射探測器100對于X射線的探測過程與Y射線的探測過程類似。以Y射線的探測過程為例，當(dāng)射線Itl從半導(dǎo)體晶體101的一個側(cè)面入射到半導(dǎo)體晶體101中時，射線Itl將與半導(dǎo)體晶體101內(nèi)部的原子發(fā)生光電效應(yīng)或康普頓散射。當(dāng)射線能量大于1.022MeV時，還將發(fā)生電子對效應(yīng)。上述不同作用過程產(chǎn)生的電子都將會與半導(dǎo)體物質(zhì)原子發(fā)生電離相互作用使晶體內(nèi)生成電子-空穴對。在工作電壓的作用下，電子向第一陽極103、第二陽極104漂移，空穴向陰極102漂移，并在上述電極上產(chǎn)生感測信號。本實用新型人認(rèn)識到，感測信號的大小及極性將與電子空穴對的產(chǎn)生位置及漂移路徑直接相關(guān)，而電子-空穴對的漂移路徑又由工作電場決定。圖2是根據(jù)本實用新型一個優(yōu)選實施例的輻射探測器中半導(dǎo)體晶體內(nèi)部不同位置處產(chǎn)生的電子在工作電壓作用下的模擬漂移路徑。對于尺寸為IOmmX IOmmX 5mm的半導(dǎo)體晶體101,通過計算示出了半導(dǎo)體晶體101內(nèi)部不同位置處產(chǎn)生的電子在工作電壓下的漂移路徑。本領(lǐng)域技術(shù)人員容易明白在這些位置處產(chǎn)生的空穴將沿與電子路徑相反的方向漂移。并且，本領(lǐng)域技術(shù)人員容易明白半導(dǎo)體晶體101的內(nèi)部其它不同位置處產(chǎn)生的電子-空穴對的漂移路徑。電子-空穴對在沿上述漂移路徑漂移時，將分別在上表面陽極及下表面陽極上產(chǎn)生電荷感測信號。如圖2所示，本實用新型的輻射探測器利用雙陽極結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了單電荷靈敏特性，即電荷感測信號的大小主要依賴于電子的收集過程，而對空穴的收集過程不敏感。因此，雙陽極結(jié)構(gòu)可以避免由于空穴壽命短而造成的電荷收集不完全現(xiàn)象，從而提高探測器的能量分辨率。圖3是根據(jù)本實用新型一個優(yōu)選實施例的輻射探測裝置1000的電路框圖。輻射探測裝置1000包括圖1所示的輻射探測器100，還包括信號處理電路200和供電電路300。在輻射探測器100中僅僅示出了第一陽極103和第二陽極104。供電電路300在輻射探測器100的第一陽極103、第二陽極104與陰極102之間提供工作電壓。根據(jù)半導(dǎo)體晶體的高度設(shè)置工作電壓。在一個示例中，半導(dǎo)體晶體101是尺寸為IOmmX IOmmX IOmm的立方體，工作電壓約為100 200V/mm，優(yōu)選為200V/mm。信號處理電路200包括:第一雙極性放大整形電路201a，從第一陽極103接收第一感測信號并進(jìn)行放大和整形；第二雙極性放大整形電路201b，從第二陽極104接收第二感測信號并進(jìn)行放大和整形；第一絕對值電路202a，從第一雙極性放大整形電路201a接收第一感測信號并且計算第一感測信號的幅度的絕對值；第二絕對值電路202b，從第二雙極性放大整形電路201b接收第二感測信號并且計算第二感測信號的幅度的絕對值；求和電路203，從第一絕對值電路202a接收第一感測信號的幅度的絕對值，以及從第二絕對值電路202b接收第二感測信號的幅度的絕對值，并對第一感測信號的幅度的絕對值和第二感測信號的幅度的絕對值求和；以及多道脈沖幅度分析器204，接收求和電路203的輸出信號并對脈沖幅度分布進(jìn)行分析。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，上文所述信號處理電路只是示意性的而非限制性的，任何當(dāng)前已知或未來已知的能夠滿足上述信號修正處理原理的電路，均屬于本實用新型所述范圍之內(nèi)。根據(jù)本實用新型的輻射探測器100利用第一陽極103和第二陽極104提供兩路感測信號。根據(jù)本實用新型的輻射探測裝置1000利用信號處理電路200對雙陽極的感測信號進(jìn)行處理。在Y射線的探測過程中，第一陽極103作為電子收集電極，則在電子漂移過程中在第一陽極103上產(chǎn)生正感測信號，而在第二陽極104上產(chǎn)生負(fù)感測信號，將第一陽極103的感測信號減去第二陽極104的感測信號得到最終讀出信號；反之亦然。若Y光子在探測器內(nèi)發(fā)生多次康普頓散射，且產(chǎn)生的電子分別被兩個陽極分別收集，則兩陽極均產(chǎn)生正感測信號，將第一陽極103的感測信號與第二陽極104的感測信號相加得到最終讀出信號。通過將第一陽極103的感測信號的絕對值與第二陽級104的感測信號的絕對值相加，可以針對上述任一情況獲得最終讀出信號。圖4是根據(jù)本實用新型一個優(yōu)選實施例的輻射探測裝置1000的模擬能譜圖。本實用新型人認(rèn)識到，通過上述信號修正處理可顯著改善探測器的能量分辨率。根據(jù)本實用新型一個優(yōu)選實施例的輻射探測裝置1000，在半導(dǎo)體晶體101的尺寸約為IOmmX IOmmX IOmm,第一陽極103和第二陽極的形狀均為直徑約3mm的圓形時,模擬計算得到的能量分辨率可達(dá)到1% @662keV0最后，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識到，雖然本文已詳盡地示出和描述了優(yōu)選示例性的實施例，但是，在不脫離本實用新型精神和范圍的情況下，仍可根據(jù)本申請公開的內(nèi)容直接確定或推導(dǎo)出符合本實用新型原理的許多其他變型或修改。因此，本實用新型的范圍應(yīng)被理解和認(rèn)定為覆蓋了所有這些其他變型或修改。
權(quán)利要求1.一種輻射探測器，其特征在于包括: 用于感測輻射的半導(dǎo)體晶體，所述半導(dǎo)體晶體包括頂部表面、底部表面和至少一個側(cè)面； 位于半導(dǎo)體晶體的頂部表面的第一陽極； 位于半導(dǎo)體晶體的底部表面的第二陽極；以及 位于半導(dǎo)體晶體的至少一個側(cè)面的陰極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測器，其特征在于半導(dǎo)體晶體感測X射線或Y射線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測器，其特征在于半導(dǎo)體晶體的形狀為長方體，并且所述頂部表面和所述底部表面是長方體的任意兩個相對表面，所述至少一個側(cè)面是長方體的其余四個表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測器，其特征在于半導(dǎo)體晶體的形狀為立方體，并且所述頂部表面和所述底部表面是立方體的任意兩個相對表面，所述至少一個側(cè)面是立方體的其余四個表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測器，其特征在于半導(dǎo)體晶體的形狀為圓柱體，并且所述頂部表面和所述底部表面分別是圓柱體的頂面和底面，所述至少一個側(cè)面是圓柱體的側(cè)面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的輻射探測器，其特征在于陰極連續(xù)覆蓋半導(dǎo)體晶體的所述至少一個側(cè)面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的輻射探測器，其特征在于陰極分成位于半導(dǎo)體晶體的所述至少一個側(cè)面的一部分并且共同連接在一起的多個區(qū)段。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的輻射探測器，其特征在于陰極完全覆蓋半導(dǎo)體晶體的所述至少一個側(cè)面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的輻射探測器，其特征在于第一陽極和第二陽極分別覆蓋半導(dǎo)體晶體的頂部表面和底部表面的至少一部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求9中任一項所述的輻射探測器，其特征在于第一陽極和第二陽極的尺寸為半導(dǎo)體晶體的頂部表面和底部表面之間的高度的1/5 2/5，并且小于半導(dǎo)體晶體的頂部表面和底部表面的尺寸。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測器，其特征在于第一陽極和第二陽極具有相同的形狀，并且分別對稱地設(shè)置在半導(dǎo)體晶體的頂部表面和底部表面的中心。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測器，其特征在于半導(dǎo)體晶體由選自Hgl2、GaAs,CdTe、CdZnTe、CdSe、GaP、HgS、PbI2 和 AlSb 中的一種組成。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測器，其特征在于射線沿著半導(dǎo)體晶體的4π方向入射。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的輻射探測器，其特征在于射線沿著垂直于所述至少一個側(cè)面中的一個側(cè)面的方向入射。
15.一種輻射探測裝置，其特征在于包括: 根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射探測器；以及 信號處理電路，所述信號處理電路包括: 第一雙極性放大整形電路，從第一陽極接收第一感測信號并進(jìn)行放大和整形；第二雙極性放大整形電路，從第二陽極接收第二感測信號并進(jìn)行放大和整形； 第一絕對值電路，從第一雙極性放大整形電路接收第一感測信號并且計算第一感測信號的幅度的絕對值； 第二絕對值電路，從第二雙極性放大整形電路接收第二感測信號并且計算第二感測信號的幅度的絕對值； 求和電路，從第一絕對值電路接收第一感測信號的幅度的絕對值，以及從第二絕對值電路接收第二感測信號的幅度的絕對值，并對第一感測信號的幅度的絕對值和第二感測信號的幅度的絕對值求和；以及 多道脈沖幅度分析器，接收求和電路的輸出信號并對脈沖幅度分布進(jìn)行分析。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的輻射探測裝置，其特征在于還包括供電電路，在第一陽極、第二陽極與陰極之間提供工作電壓。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的輻射探測裝置，其特征在于根據(jù)半導(dǎo)體晶體的高度設(shè)置工作電壓。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的輻射探測裝置，其特征在于半導(dǎo)體晶體是尺寸為10mmX 10mmX 10mm的立方體，工作電壓約為100 200V/mm。
19.根據(jù)權(quán)利 要求18所述的輻射探測裝置，其特征在于工作電壓約為200V/mm。
專利摘要公開了一種輻射探測器及包括該輻射探測器的輻射探測裝置。輻射探測器包括用于感測輻射的半導(dǎo)體晶體，所述半導(dǎo)體晶體包括頂部表面、底部表面和至少一個側(cè)面；位于半導(dǎo)體晶體的頂部表面的第一陽極；位于半導(dǎo)體晶體的底部表面的第二陽極；以及位于半導(dǎo)體晶體的至少一個側(cè)面的陰極。輻射探測裝置包括該輻射探測器和信號處理電路。該輻射探測器利用結(jié)構(gòu)簡單的雙陽極結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了單電荷靈敏特性，從而改善能量分辨率。
文檔編號G01T1/36GK203037860SQ201320005909
公開日2013年7月3日 申請日期2013年1月7日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月7日
發(fā)明者李玉蘭, 張嵐, 李元景, 劉以農(nóng), 牛莉博, 傅楗強(qiáng), 江灝, 張韡, 劉延青, 李軍 申請人:同方威視技術(shù)股份有限公司, 清華大學(xué)