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專(zhuān)利名稱(chēng)：腦電接觸阻抗檢測(cè)方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及腦電技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種腦電接觸阻抗檢測(cè)方法及裝置。
背景技術(shù)：
人體組織細(xì)胞總是在自發(fā)不斷地產(chǎn)生著很微弱的生物電活動(dòng)。腦電信號(hào)是大量腦神經(jīng)細(xì)胞在高度相干狀態(tài)下的電活動(dòng)在大腦皮層上的總體效應(yīng)。如果利用在頭皮上安放的電極采集腦電信號(hào)，經(jīng)腦電檢測(cè)設(shè)備放大并記錄在專(zhuān)用紙上，則能夠得到具有一定波形、波幅、頻率和相位的圖形、曲線，即腦電圖。當(dāng)腦組織發(fā)生病理或功能改變時(shí)，腦電信號(hào)也發(fā)生相應(yīng)的改變，從而為臨床診斷、治療提供依據(jù)。但是，微弱的腦電信號(hào)往往伴隨著強(qiáng)大的干擾信號(hào)同時(shí)存在，因此在腦電信號(hào)放大的同時(shí)也不可避免將干擾信號(hào)放大。具體地說(shuō)，對(duì)于微伏級(jí)的腦電信號(hào)，如果希望在16位以下的采樣系統(tǒng)中分辨清楚則必須放大至少1000-10000倍，而此時(shí)上述干擾信號(hào)將會(huì)使放大器飽和。為了解決干擾信號(hào)使放大器飽和的問(wèn)題，通過(guò)對(duì)干擾信號(hào)的詳細(xì)分析，人們發(fā)現(xiàn)腦電極與頭皮接觸不良引起的干擾、工頻干擾以及放大通道噪聲是腦電信號(hào)檢測(cè)中干擾信號(hào)的主要來(lái)源。具體地說(shuō)，針對(duì)腦電極與頭皮接觸不良引起的干擾，當(dāng)腦電極與頭皮間接觸松動(dòng)時(shí)，腦電極與頭皮的接觸會(huì)隨著被檢測(cè)者的身體和/或面部動(dòng)作以及呼吸而改變，從而引起腦電信號(hào)檢測(cè)中的干擾，影響腦電信號(hào)檢測(cè)精度。與此相反，如果腦電極與頭皮間接觸良好，則其腦電接觸阻抗小，引起的腦電信號(hào)檢測(cè)中的干擾小，腦電信號(hào)檢測(cè)質(zhì)量高。為了降低腦電極與頭皮間由于接觸不良引起的干擾，需要一種方法可以檢測(cè)腦電極與頭皮間的接觸情況(即上述腦電接觸阻抗)。相關(guān)技術(shù)中，通常將恒流源電流注入待測(cè)腦電極并流過(guò)人腦后接地形成獨(dú)立的電流回路，然后利用電壓與電流的線性關(guān)系計(jì)算腦電接觸阻抗。但是，該腦電接觸阻抗的檢測(cè)結(jié)構(gòu)復(fù)雜并且對(duì)腦電信號(hào)的檢測(cè)精度影響比較大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種腦電接觸阻抗檢測(cè)方法及裝置，能夠解決相關(guān)技術(shù)中腦電接觸阻抗的檢測(cè)結(jié)構(gòu)復(fù)雜并且對(duì)腦電信號(hào)的檢測(cè)精度影響比較大的問(wèn)題。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種腦電接觸阻抗檢測(cè)方法。該方法包括:控制交流電流信號(hào)由待測(cè)電極流向參考電極；檢測(cè)所述待測(cè)電極與所述參考電極之間的交流電流信號(hào)；根據(jù)所檢測(cè)的交流電流信號(hào)，計(jì)算所述腦電接觸阻抗。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，控制交流電流信號(hào)由待測(cè)電極流向參考電極包括:控制所述交流電流信號(hào)還經(jīng)過(guò)高通濾波器和低通濾波器。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，所述交流電流信號(hào)經(jīng)過(guò)所述高通濾波器注入所述待測(cè)電極，然后通過(guò)所述低通濾波器衰減進(jìn)入所述參考電極。根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例，在根據(jù)所檢測(cè)的交流電流信號(hào)，計(jì)算所述腦電接觸阻抗之后，上述方法還包括:根據(jù)所述計(jì)算的腦電接觸阻抗，控制與所述待測(cè)電極對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,簡(jiǎn)稱(chēng)為L(zhǎng)ED)的亮滅。 根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例，所述交流電流信號(hào)是正弦交流電流信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例，所述交流電流信號(hào)的頻率范圍是IOKHz到IMHz。根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例，所述交流電流信號(hào)的頻率范圍是50KHz。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種腦電接觸阻抗檢測(cè)裝置。該裝置包括:第一控制模塊，用于控制交流電流信號(hào)由待測(cè)電極流向參考電極；檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)所述待測(cè)電極與所述參考電極之間的交流電流信號(hào)；計(jì)算模塊，用于根據(jù)所檢測(cè)的交流電流信號(hào)，計(jì)算所述腦電接觸阻抗。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，上述裝置還包括:第二控制模塊，用于根據(jù)所述計(jì)算的腦電接觸阻抗，控制與所述待測(cè)電極對(duì)應(yīng)的LED的亮滅。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，提供了 一種腦電接觸阻抗檢測(cè)裝置。該裝置包括:控制器，用于控制交流電流信號(hào)由待測(cè)電極流向參考電極；差動(dòng)放大器，用于檢測(cè)所述待測(cè)電極與所述參考電極之間的交流電流信號(hào)；微控制器，用于根據(jù)所檢測(cè)的交流電流信號(hào)，計(jì)算所述腦電接觸阻抗。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述控制器包括:控制模塊，用于控制所述交流電流信號(hào)還經(jīng)過(guò)高通濾波器和低通濾波器。根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例，所述交流電流信號(hào)經(jīng)過(guò)所述高通濾波器注入所述待測(cè)電極，然后通過(guò)所述低通濾波器衰減進(jìn)入所述參考電極。根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例，所述微控制器還用于根據(jù)所述計(jì)算的腦電接觸阻抗，控制與所述待測(cè)電極對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管LED的亮滅。根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例，所述交流電流信號(hào)是正弦交流電流信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例，所述交流電流信號(hào)的頻率范圍是IOKHz到匪z。根據(jù)本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例，所述交流電流信號(hào)的頻率范圍是50KHz。本發(fā)明的實(shí)施例通過(guò)交流電流信號(hào)檢測(cè)腦電接觸阻抗，從而可以降低對(duì)腦電信號(hào)的檢測(cè)精度的影響。同時(shí)，本發(fā)明的實(shí)施例通過(guò)檢測(cè)待測(cè)電極與參考電極之間的交流電流信號(hào)，可以實(shí)現(xiàn)單個(gè)電極的接觸阻抗的檢測(cè)，充分滿(mǎn)足腦電接觸阻抗的檢測(cè)需求。


此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的腦電接觸阻抗檢測(cè)方法的流程圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的腦電接觸阻抗檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)框圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的腦電接觸阻抗檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)框圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的腦電接觸阻抗檢測(cè)裝置的原理的示意圖；以及圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的腦電接觸阻抗檢測(cè)裝置的具體實(shí)現(xiàn)的示意圖。
具體實(shí)施例方式需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的腦電接觸阻抗檢測(cè)方法的流程圖，如圖1所示，包括如下的步驟S102至步驟S106。在步驟S102，控制交流電流信號(hào)由待測(cè)電極流向參考電極。在步驟S104，檢測(cè)所述待測(cè)電極與所述參考電極之間的交流電流信號(hào)。在步驟S106，根據(jù)所檢測(cè)的交流電流信號(hào)，計(jì)算所述腦電接觸阻抗。在本發(fā)明的實(shí)施例中，通過(guò)交流電流信號(hào)檢測(cè)腦電接觸阻抗。根據(jù)對(duì)人體組織電特性的研究，對(duì)于交流電流信號(hào)，人體組織的純電阻性起作用，因此，采用交流電流信號(hào)對(duì)腦電接觸阻抗進(jìn)行檢測(cè)，可以降低對(duì)腦電信號(hào)的檢測(cè)精度的影響。同時(shí)，本發(fā)明的實(shí)施例通過(guò)檢測(cè)待測(cè)電極與參考電極之間的交流電流信號(hào)，可以實(shí)現(xiàn)單個(gè)電極的接觸阻抗的檢測(cè)，充分滿(mǎn)足腦電接觸阻抗的檢測(cè)需求。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述交流電流信號(hào)可以是正弦交流電流信號(hào)，其頻率范圍可以是IOKHz到1MHz，例如可以是50KHz。在IOKHz到IMHz之間的頻率范圍，人體組織的純電阻性起主要作用，可以進(jìn)一步降低腦電接觸阻抗檢測(cè)對(duì)腦電信號(hào)檢測(cè)的精度的影響。進(jìn)而，采用IOKHz到IMHz之間的頻率范圍的交流電流信號(hào)作為激勵(lì)對(duì)人體也是安全的。另外，本發(fā)明的實(shí)施例可以控制所述交流電流信號(hào)還經(jīng)過(guò)高通濾波器和低通濾波器。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，可以設(shè)置該低通濾波器的截止頻率遠(yuǎn)低于上述交流電流信號(hào)的頻率，例如設(shè)置5KHz，從而隔離腦電接觸阻抗檢測(cè)對(duì)后續(xù)的腦電信號(hào)檢測(cè)的影響。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，所述交流電流信號(hào)可以先經(jīng)過(guò)所述高通濾波器注入所述待測(cè)電極，然后通過(guò)所述低通濾波器衰減進(jìn)入所述參考電極，以便更有效地隔離腦電接觸阻抗檢測(cè)對(duì)后續(xù)的腦電信號(hào)檢測(cè)的影響。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，在根據(jù)所檢測(cè)的交流電流信號(hào)，計(jì)算所述腦電接觸阻抗之后，還可以根據(jù)所述計(jì)算的腦電接觸阻抗，控制與所述待測(cè)電極對(duì)應(yīng)的LED的亮滅，從而給予檢測(cè)者和被檢測(cè)者對(duì)腦電極與頭皮間的接觸情況的直觀的指示，提高用戶(hù)體驗(yàn)。需要說(shuō)明的是，對(duì)于步驟S106，本發(fā)明可以利用電壓與電流的線性關(guān)系計(jì)算所述腦電接觸阻抗，但并不限于此，實(shí)際應(yīng)用中，任何能夠根據(jù)所檢測(cè)的交流電流信號(hào)計(jì)算所述腦電接觸阻抗的實(shí)施方式，均應(yīng)當(dāng)納入本發(fā)明的保護(hù)范圍。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種腦電接觸阻抗檢測(cè)裝置。圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的腦電接觸阻抗檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)框圖，如圖2所示，包括第一控制模塊22、檢測(cè)模塊24和計(jì)算模塊26。下面對(duì)其結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)描述。第一控制模塊22，用于控制交流電流信號(hào)由待測(cè)電極流向參考電極。檢測(cè)模塊24，連接至第一控制模塊22，用于檢測(cè)第一控制模塊22控制的所述待測(cè)電極與所述參考電極之間的交流電流信號(hào)。計(jì)算模塊26，連接至檢測(cè)模塊24，用于根據(jù)檢測(cè)模塊24所檢測(cè)的交流電流信號(hào)，計(jì)算所述腦電接觸阻抗。圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的腦電接觸阻抗檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)框圖，如圖3所示，該腦電接觸阻抗檢測(cè)裝置還包括:第二控制模塊28，連接至計(jì)算模塊26，用于根據(jù)計(jì)算模塊26計(jì)算的腦電接觸阻抗，控制與所述待測(cè)電極對(duì)應(yīng)的LED的亮滅。下面結(jié)合圖4和圖5進(jìn)一步說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的腦電接觸阻抗檢測(cè)裝置以及基于該腦電接觸阻抗檢測(cè)裝置實(shí)現(xiàn)的腦電接觸阻抗檢測(cè)方法。圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的腦電接觸阻抗檢測(cè)裝置的原理的示意圖。如圖4所示，包括信號(hào)源1、導(dǎo)聯(lián)選擇2、差動(dòng)放大器3、低通濾波器4、高通濾波器5、微控制器6、顯示單元7以及腦電信號(hào)檢測(cè)裝置8。其中，信號(hào)源I產(chǎn)生50Hz的正弦交流電流信號(hào)，該信號(hào)注入由微控制器6的外圍端口控制的導(dǎo)聯(lián)選擇2所選擇的待測(cè)電極，該待測(cè)電極可以由導(dǎo)聯(lián)選擇2在待測(cè)電極I至待測(cè)電極N中任意選擇。在該信號(hào)流向參考電極之后，差動(dòng)發(fā)大器3放大該待測(cè)電極與該參考電極之間的正弦交流電流信號(hào)，微控制器6內(nèi)部的模擬數(shù)字模塊(A/D模塊)采集放大后的正弦交流電流信號(hào)，以及微控制器6計(jì)算獲得腦電接觸阻抗。進(jìn)而，微控制器6的外圍端口可以控制顯示單元7中與該待測(cè)電極對(duì)應(yīng)的LED的亮滅。需要說(shuō)明的是，本具體實(shí)例還使得正弦交流電流信號(hào)先后經(jīng)過(guò)高通濾波器5和低通濾波器4，以便隔離腦電接觸阻抗檢測(cè)對(duì)后續(xù)的腦電信號(hào)檢測(cè)8的影響。圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的腦電接觸阻抗檢測(cè)裝置的具體實(shí)現(xiàn)的示意圖。如圖5所示，以單獨(dú)一個(gè)待測(cè)電極的接觸阻抗的檢測(cè)為例，其工作方式如下:由可編程信號(hào)發(fā)生器組成的信號(hào)源1，經(jīng)由微控制器6的控制。產(chǎn)生50KHz的正弦交流電流信號(hào)；由多選一模擬開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的導(dǎo)聯(lián)選擇2，經(jīng)由微控制器6的控制選擇到待測(cè)電極；由RC濾波電路(電阻Rl、電阻R2和電容Cl)實(shí)現(xiàn)的高通濾波器5對(duì)該正弦交流電流信號(hào)進(jìn)行高通濾波，優(yōu)選地該高通濾波器的截止頻率是IOOKHz ；分別由RC濾波電路(電阻R3和電容C2，電阻R4和電容C3)實(shí)現(xiàn)的兩組低通濾波器4對(duì)該正弦交流電流信號(hào)進(jìn)行低通濾波，優(yōu)選地該低通濾波器的截止頻率遠(yuǎn)低于該正弦交流電流信號(hào)的頻率，例如是5KHz，以便隔離腦電接觸阻抗檢測(cè)對(duì)后續(xù)的腦電信號(hào)檢測(cè)8的影響；由低噪聲、高輸入阻抗的儀表放大器組成的差動(dòng)放大器3放大該待測(cè)電極與該參考電極之間的正弦交流電流信號(hào)；微控制器6利用其內(nèi)部的A/D模塊采集差動(dòng)放大器3輸出的電壓信號(hào)，計(jì)算腦電接觸阻抗，以及控制顯示單元7中與該待測(cè)電極對(duì)應(yīng)的LED的亮滅。綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例，提供了 一種腦電接觸阻抗檢測(cè)方法及裝置。本發(fā)明的實(shí)施例通過(guò)交流電流信號(hào)檢測(cè)腦電接觸阻抗，從而可以降低對(duì)腦電信號(hào)的檢測(cè)精度的影響。同時(shí)，本發(fā)明的實(shí)施例通過(guò)檢測(cè)待測(cè)電極與參考電極之間的交流電流信號(hào)，可以實(shí)現(xiàn)單個(gè)電極的接觸阻抗的檢測(cè)，充分滿(mǎn)足腦電接觸阻抗的檢測(cè)需求。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，上述的本發(fā)明的各模塊或各步驟可以用通用的計(jì)算裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)，它們可以集中在單個(gè)的計(jì)算裝置上，或者分布在多個(gè)計(jì)算裝置所組成的網(wǎng)絡(luò)上，可選地，它們可以用計(jì)算裝置可執(zhí)行的程序代碼來(lái)實(shí)現(xiàn)，從而可以將它們存儲(chǔ)在存儲(chǔ)裝置中由計(jì)算裝置來(lái)執(zhí)行，或者將它們分別制作成各個(gè)集成電路模塊，或者將它們中的多個(gè)模塊或步驟制作成單個(gè)集成電路模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)。這樣，本發(fā)明不限制于任何特定的硬件和軟件結(jié)合。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種腦電接觸阻抗檢測(cè)方法，其特征在于，包括: 控制交流電流信號(hào)由待測(cè)電極流向參考電極； 檢測(cè)所述待測(cè)電極與所述參考電極之間的交流電流信號(hào)；以及 根據(jù)所檢測(cè)的交流電流信號(hào)，計(jì)算所述腦電接觸阻抗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，控制交流電流信號(hào)由待測(cè)電極流向參考電極包括: 控制所述交流電流信號(hào)還經(jīng)過(guò)高通濾波器和低通濾波器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述交流電流信號(hào)經(jīng)過(guò)所述高通濾波器注入所述待測(cè)電極，然后通過(guò)所述低通濾波器衰減進(jìn)入所述參考電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在根據(jù)所檢測(cè)的交流電流信號(hào)，計(jì)算所述腦電接觸阻抗之后，還包括: 根據(jù)所述計(jì)算的腦電接觸阻抗，控制與所述待測(cè)電極對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管LED的亮滅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述交流電流信號(hào)是正弦交流電流信號(hào)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述交流電流信號(hào)的頻率范圍是 IOKHz 到 IMHz。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述交流電流信號(hào)的頻率范圍是50KHz。
8.一種腦電接觸阻抗檢測(cè)裝置，其特征在于，包括: 第一控制模塊，用于控制交流電流信號(hào)由待測(cè)電極流向參考電極； 檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)所述待測(cè)電極與所述參考電極之間的交流電流信號(hào)；以及 計(jì)算模塊，用于根據(jù)所檢測(cè)的交流電流信號(hào)，計(jì)算所述腦電接觸阻抗。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，還包括: 第二控制模塊，用于根據(jù)所述計(jì)算的腦電接觸阻抗，控制與所述待測(cè)電極對(duì)應(yīng)的LED的売滅。
10.一種腦電接觸阻抗檢測(cè)裝置，其特征在于，包括: 控制器，用于控制交流電流信號(hào)由待測(cè)電極流向參考電極； 差動(dòng)放大器，用于檢測(cè)所述待測(cè)電極與所述參考電極之間的交流電流信號(hào)；以及 微控制器，用于根據(jù)所檢測(cè)的交流電流信號(hào)，計(jì)算所述腦電接觸阻抗。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，所述控制器包括: 控制模塊，用于控制所述交流電流信號(hào)還經(jīng)過(guò)高通濾波器和低通濾波器。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，所述交流電流信號(hào)經(jīng)過(guò)所述高通濾波器注入所述待測(cè)電極，然后通過(guò)所述低通濾波器衰減進(jìn)入所述參考電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，所述微控制器還用于根據(jù)所述計(jì)算的腦電接觸阻抗，控制與所述待測(cè)電極對(duì)應(yīng)的發(fā)光二極管LED的亮滅。
14.根據(jù)權(quán)利要求10至13中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述交流電流信號(hào)是正弦交流電流信號(hào)。
15.根據(jù)權(quán)利要求10至13中任一項(xiàng)所述的裝置，其特征在于，所述交流電流信號(hào)的頻率范圍是IOKHz到IMHz。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其特征在于，所述交流電流信號(hào)的頻率范圍是50KHz。
全文摘要
本發(fā)明的實(shí)施例公開(kāi)了一種腦電接觸阻抗檢測(cè)方法及裝置。該方法包括控制交流電流信號(hào)由待測(cè)電極流向參考電極；檢測(cè)所述待測(cè)電極與所述參考電極之間的交流電流信號(hào)；根據(jù)所檢測(cè)的交流電流信號(hào)，計(jì)算所述腦電接觸阻抗。本發(fā)明的實(shí)施例通過(guò)交流電流信號(hào)檢測(cè)腦電接觸阻抗，從而可以降低對(duì)腦電信號(hào)的檢測(cè)精度的影響。
文檔編號(hào)G01R27/02GK103149438SQ201310033909
公開(kāi)日2013年6月12日 申請(qǐng)日期2013年1月24日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月24日
發(fā)明者董記平, 張彥春, 馬清寶, 夏鵬 申請(qǐng)人:上海帝儀科技有限公司