專利名稱：有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及導(dǎo)體膜厚度測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量方法及裝置。
背景技術(shù)：
目前，導(dǎo)體膜厚度的測(cè)量方法通常包括:四點(diǎn)探針法、電渦流法、X射線吸收法、X射線熒光法、激光超聲法等。四點(diǎn)探針法會(huì)對(duì)導(dǎo)體膜的表面造成損傷。X射線吸收法與X射線熒光法具有放射性，因此不適宜于在常規(guī)環(huán)境中應(yīng)用。傳統(tǒng)的電渦流測(cè)量方法多通過單頻點(diǎn)的電渦流傳感器的阻抗變化、電感變化或Q值變化來測(cè)量單層薄膜的厚度。在實(shí)際應(yīng)用過程中電渦流法主要存在如下問題:a)測(cè)量分辨率和精度有限；b)實(shí)際測(cè)量過程中存在提離高度(即電渦流傳感器與被測(cè)薄膜間的距離)變化的影響。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的旨在至少解決所述技術(shù)缺陷之一。為此，本發(fā)明的 一個(gè)目的在于提出一種有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量方法，該方法可以簡(jiǎn)便、快速地測(cè)量導(dǎo)體薄膜(即導(dǎo)體膜)厚度，且能夠減小提離(指?jìng)鞲衅髋c待測(cè)樣品之間的測(cè)量距離)波動(dòng)對(duì)厚度測(cè)量的影響，從而提高測(cè)量精度。本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提出一種有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量裝置。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明第一方面的實(shí)施例公開了有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量方法，包括以下步驟:將所述電渦流傳感器置于與導(dǎo)體膜間隔預(yù)定距離的位置；向所述電渦流傳感器輸入預(yù)定頻率范圍的交變電流作為激勵(lì)信號(hào)；獲取所述電渦流傳感器的等效阻抗隨所述激勵(lì)信號(hào)的頻率的變化關(guān)系曲線，以便得到所述等效阻抗的實(shí)部與激勵(lì)信號(hào)的頻率的比值；得到所述比值隨所述激勵(lì)信號(hào)的頻率變化的關(guān)系曲線，并得到所述關(guān)系曲線中的峰值點(diǎn)的激勵(lì)頻率；以及比較待測(cè)導(dǎo)體膜對(duì)應(yīng)的峰值激勵(lì)頻率與標(biāo)樣的峰值激勵(lì)頻率，以得到所述待測(cè)導(dǎo)體膜的厚度值。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量方法，測(cè)量導(dǎo)體膜的厚度，受到提離距離波動(dòng)的影響非常小。因此，盡管測(cè)量過程中提離距離可能發(fā)生波動(dòng)，但對(duì)厚度測(cè)量的結(jié)果影響非常小。因此，該方法可以簡(jiǎn)便、快速地測(cè)量導(dǎo)體膜的厚度、并且可以極大地減小提離距離波動(dòng)對(duì)厚度測(cè)量結(jié)果的影響。另外，該方法操作簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)。另外，根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量方法還可以具有如下附加的技術(shù)特征:在一些示例中，所述預(yù)定頻率范圍位于[1ΚΗζ-200ΜΗζ]之間。在一些示例中，所述導(dǎo)體膜的厚度位于[10納米至5微米]之間。在一些示例中，所述電渦流傳感器的探頭線圈匝數(shù)為[I匝至100匝]之間。
本發(fā)明第二方面的實(shí)施例公開了一種有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量裝置，包括:電渦流傳感器，所述電渦流傳感器置于與導(dǎo)體膜間隔預(yù)定距離的位置；前置信號(hào)處理模塊，所述前置信號(hào)處理模塊用于向所述電渦流傳感器輸入激勵(lì)信號(hào)，并獲得所述電渦流傳感器的測(cè)量信號(hào)，其中，所述激勵(lì)信號(hào)為預(yù)定頻率范圍的交變電流；以及數(shù)據(jù)采集處理模塊，所述數(shù)據(jù)采集處理模塊用于在所述交變電流的預(yù)定相位時(shí)，采集所述前置信號(hào)處理模塊提供的測(cè)量信號(hào)，以根據(jù)所述測(cè)量信號(hào)得到所述電渦流傳感器的等效阻抗的實(shí)部與激勵(lì)信號(hào)的頻率的比值，并得到所述比值隨所述激勵(lì)信號(hào)的頻率變化的關(guān)系曲線，并得到所述關(guān)系曲線中的峰值點(diǎn)的激勵(lì)頻率，以及比較待測(cè)導(dǎo)體膜對(duì)應(yīng)的峰值激勵(lì)頻率與標(biāo)樣的峰值激勵(lì)頻率，以得到所述待測(cè)導(dǎo)體膜的厚度值。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量裝置，測(cè)量導(dǎo)體膜的厚度，受到提離距離波動(dòng)的影響非常小。因此，盡管測(cè)量過程中提離距離可能發(fā)生波動(dòng)，但對(duì)厚度測(cè)量的結(jié)果影響非常小。因此，該裝置可以簡(jiǎn)便、快速地測(cè)量導(dǎo)體膜的厚度、并且可以極大地減小提離距離波動(dòng)對(duì)厚度測(cè)量結(jié)果的影響。另外，該裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低。另外，根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量裝置還可以具有如下附加的技術(shù)特征:在一些示例中，所述前置信號(hào)處理模塊還用于:將所述測(cè)量信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬電信號(hào)。進(jìn)一步地，所述數(shù)據(jù)采集處理模塊還用于:將所述模擬電信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。在一些示例中，所述電渦流傳感器的線圈的外徑大于3毫米，所述線圈的匝數(shù)為I膽至100膽。在一些示例中，所述預(yù)定頻率范圍位于[1ΚΗζ-200ΜΗζ]之間。本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)`將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。
本發(fā)明所述的和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量方法的流程圖；以及圖2是根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量裝置的不意圖；圖3a和3b分別示出了采用本發(fā)明實(shí)施例的有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量裝置在不同薄膜厚度和不同提離下，利用電渦流傳感器測(cè)量導(dǎo)體膜時(shí)傳感器的阻抗實(shí)部與激勵(lì)頻率的比值隨激勵(lì)頻率變化的關(guān)系曲線；以及圖4a和4b分別示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量裝置中激勵(lì)頻率隨導(dǎo)體膜厚度和提離變化的關(guān)系曲線。
具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是機(jī)械連接或電連接，也可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通，可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解所述術(shù)語(yǔ)的具體含義。以下結(jié)合附圖描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)
量方法及裝置。圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量方法的流程圖。如圖1所示，該方法包括如下步驟:步驟SlOl:將電渦流傳感器置于與導(dǎo)體膜間隔預(yù)定距離的位置。即將電渦流傳感器放置在與導(dǎo)體膜間隔預(yù)定提離距離h的位置處，其中，該預(yù)定距離(預(yù)定提離距離h)根據(jù)經(jīng)驗(yàn)值確定。
步驟S102:向電渦流傳感器輸入預(yù)定頻率范圍的交變電流作為激勵(lì)信號(hào)。即向電渦流傳感器輸入多頻交變電流，并將該多頻交變電流作為激勵(lì)信號(hào)。在該示例中，電渦流傳感器的探頭線圈匝數(shù)為但不限于[I匝至100匝]之間。另夕卜，預(yù)定頻率范圍位于但不限于[1ΚΗζ-200ΜΗζ]之間。步驟S103:獲取電渦流傳感器的等效阻抗隨激勵(lì)信號(hào)的頻率的變化關(guān)系曲線，以便得到等效阻抗的實(shí)部與激勵(lì)信號(hào)的頻率的比值。例如:可通過測(cè)量的方式，得到電渦流傳感器的等效阻抗Z隨激勵(lì)信號(hào)的頻率f的變化關(guān)系曲線，并可根據(jù)該變化關(guān)系曲線推導(dǎo)出等效阻抗Z的實(shí)部R與激勵(lì)信號(hào)的頻率f的比值R/f。步驟S104:得到比值隨激勵(lì)信號(hào)的頻率變化的關(guān)系曲線，并得到關(guān)系曲線中的峰值點(diǎn)的激勵(lì)頻率。該比值R/f隨激勵(lì)信號(hào)的頻率f的變化關(guān)系曲線中存在一個(gè)峰值點(diǎn)，峰值點(diǎn)對(duì)應(yīng)的激勵(lì)頻率(即峰值點(diǎn)的激勵(lì)頻率)記為fo。由此，當(dāng)導(dǎo)體膜的厚度處于5微米以內(nèi)時(shí)，激勵(lì)頻率f。隨導(dǎo)體膜厚度變化的靈敏度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其隨提離距離h變化的靈敏度。在該實(shí)例中，導(dǎo)體膜的厚度位于但不限于:[10納米至5微米]之間。步驟S105:比較待測(cè)導(dǎo)體膜對(duì)應(yīng)的峰值激勵(lì)頻率與標(biāo)樣的峰值激勵(lì)頻率，以得到待測(cè)導(dǎo)體膜的厚度值。例如:首先對(duì)激勵(lì)頻率fo進(jìn)行分析，通過比較待測(cè)樣品導(dǎo)體膜(待測(cè)導(dǎo)體膜)與標(biāo)樣(導(dǎo)體膜)的峰值頻率值(激勵(lì)頻率)fo，從而得出待測(cè)導(dǎo)體膜的厚度值。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量方法可以簡(jiǎn)便地、快速地測(cè)量導(dǎo)體膜的厚度，并且極大地減小提離波動(dòng)對(duì)厚度測(cè)量的影響，從而提升測(cè)量的精度。另外，該方法操作簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)。圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量裝置的示意圖。
如圖2所示，該有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量裝置10包括:電渦流傳感器100、前置信號(hào)處理模塊200和數(shù)據(jù)采集處理模塊300。其中，電渦流傳感器100置于與導(dǎo)體膜20間隔預(yù)定距離的位置。即將電渦流傳感器100放置在與導(dǎo)體膜20間隔預(yù)定提離距離h的位置處，其中，該預(yù)定距離(預(yù)定提離距離h)根據(jù)經(jīng)驗(yàn)值確定。此外，在本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，電渦流傳感器100的線圈的外徑大于3毫米，線圈的匝數(shù)為但不限于I匝至100匝。前置信號(hào)處理模塊200與電渦流傳感器100相連，用于向電渦流傳感器100輸入激勵(lì)信號(hào)，并獲得電渦流傳感器100的測(cè)量信號(hào)，其中，激勵(lì)信號(hào)為預(yù)定頻率范圍的交變電流(即多頻交變電流)。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，前置信號(hào)處理模塊200還用于將測(cè)量信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬電信號(hào)。即前置信號(hào)處理模塊200向電渦流傳感器100輸入激勵(lì)信號(hào)的同時(shí)，將獲得的電渦流傳感器100的測(cè)量信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬電信號(hào)。數(shù)據(jù)采集處理模塊300與前置信號(hào)處理模塊200相連，數(shù)據(jù)采集處理模塊300用于在交變電流的預(yù)定相位時(shí)，采集前置信號(hào)處理模塊200提供的測(cè)量信號(hào)，以根據(jù)測(cè)量信號(hào)得到電渦流傳感器100的等 效阻抗的實(shí)部與激勵(lì)信號(hào)的頻率的比值，并得到比值隨激勵(lì)信號(hào)的頻率變化的關(guān)系曲線，并得到關(guān)系曲線中的峰值點(diǎn)的激勵(lì)頻率，以及比較待測(cè)導(dǎo)體膜對(duì)應(yīng)的峰值激勵(lì)頻率與標(biāo)樣的峰值激勵(lì)頻率，以得到待測(cè)導(dǎo)體膜的厚度值。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，數(shù)據(jù)采集處理模塊300還用于:將所述模擬電信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。即數(shù)據(jù)采集處理模塊300在交變電流的預(yù)定相位時(shí)采集前置信號(hào)處理模塊200提供的模擬電信號(hào)并將模擬電信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，繼而通過計(jì)算機(jī)400處理分析得到比值R/f隨激勵(lì)信號(hào)頻率f的變化關(guān)系，進(jìn)一步分析得到峰值點(diǎn)頻率(即峰值點(diǎn)的激勵(lì)頻率)&，最終通過比較待測(cè)樣品與標(biāo)樣的峰值頻率值(激勵(lì)頻率)&，從而得出待測(cè)導(dǎo)體膜的厚度值。具體地，結(jié)合圖2所示，可以將電渦流傳感器100放置在與已知厚度的導(dǎo)體膜20間隔預(yù)定提離距離h的上方位置處。然后向電渦流傳感器100輸入預(yù)定頻率范圍的交變電流，例如預(yù)定頻率范圍位于[1ΚΗζ-200ΜΗζ]之間，這樣可以在電渦流傳感器100的周圍產(chǎn)生源電磁場(chǎng)。由于所述源電磁場(chǎng)的作用，已知厚度的導(dǎo)體膜20中會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電渦流，并且伴隨產(chǎn)生相應(yīng)的感應(yīng)電磁場(chǎng)。由于所述源電磁場(chǎng)和所述感應(yīng)電磁場(chǎng)的相互作用，導(dǎo)致電渦流傳感器100的電渦流線圈的阻抗Z發(fā)生變化。因此電渦流傳感器100的阻抗Z及其分量實(shí)部R中會(huì)包含導(dǎo)體膜20的厚度、提離h等信息。利用前置信號(hào)處理模塊200可以獲得電渦流傳感器100阻抗Z的大小。構(gòu)造一個(gè)新參數(shù):阻抗Z的實(shí)部R與激勵(lì)信號(hào)頻率f的比值R/f。R/f隨f變化的關(guān)系曲線存在一個(gè)峰值點(diǎn)，峰值點(diǎn)對(duì)應(yīng)的激勵(lì)頻率記做該峰值點(diǎn)頻率f。隨導(dǎo)體膜20的厚度變化遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其隨提離h的變化。因此分析比較待測(cè)樣品與標(biāo)樣的峰值頻率值A(chǔ)可以得到導(dǎo)體膜20的厚度大小，且基本不受測(cè)量時(shí)提離h變化的影響。例如:選取多個(gè)厚度彼此不同的已知厚度的導(dǎo)體膜20 (例如100nm、200nm、300nm、400nm、500nm、600nm、700nm、800nm),并且選取一定的提離距離h進(jìn)行測(cè)量，以便得到電潤(rùn)流傳感器100在多個(gè)不同已知厚度下，峰值點(diǎn)頻率&隨導(dǎo)體膜厚度t的關(guān)系(例如關(guān)系曲線)，得到標(biāo)定。將電渦流傳感器100放置在與待測(cè)厚度的導(dǎo)體膜20間隔所上述一定的提離h的位置處，然后再次進(jìn)行測(cè)量，以便得到待測(cè)厚度的導(dǎo)體膜20的峰值點(diǎn)頻率&，最后對(duì)比所述關(guān)系(例如關(guān)系曲線)即可得到所述待測(cè)厚度的導(dǎo)體膜20的厚度。利用本發(fā)明實(shí)施例的測(cè)量裝置10測(cè)量導(dǎo)體膜20的厚度，受到提離距離h波動(dòng)的影響非常小。因此，盡管測(cè)量過程中提離距離h可能發(fā)生波動(dòng)，但對(duì)厚度測(cè)量的結(jié)果影響非常小。因此，本發(fā)明實(shí)施例的裝置可以簡(jiǎn)便、快速地測(cè)量導(dǎo)體膜20的厚度、并且可以極大地減小提離距離h波動(dòng)對(duì)厚度測(cè)量結(jié)果的影響。圖3a和3b分別示出了在不同薄膜厚度和不同提離下，利用電渦流傳感器測(cè)量導(dǎo)體膜時(shí)傳感器的阻抗實(shí)部R與激勵(lì)頻率f的比值R/f隨激勵(lì)頻率f變化的關(guān)系曲線。由圖3a和圖3b可以看出，R/f隨激勵(lì)頻率f變化的關(guān)系曲線存在一個(gè)峰值點(diǎn)，且峰值點(diǎn)頻率fQ隨膜厚的變化大于其隨提離h的變化。圖4a和4b分別示出了峰值頻率fQ隨導(dǎo)體膜厚度t和提離h變化的關(guān)系曲線。由圖4a和圖4b可以看出，峰值點(diǎn)頻率&隨膜厚的變化曲線為冪函數(shù)關(guān)系，當(dāng)導(dǎo)體膜20厚度在一定厚度范圍內(nèi)時(shí)，其靈敏度非常高；而峰值點(diǎn)頻率fo隨提離h的變化曲線為線性關(guān)系，其靈敏度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于&隨膜厚的靈敏度。如下表所示，導(dǎo)體膜20處于部分厚度下時(shí)，f0隨提離h的靈敏度和其厚度的靈敏度對(duì)比。從表I中可以看出，&隨厚度變化的靈敏度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其隨提離h變化的靈敏度。即有效的減小了提離波動(dòng)對(duì)膜厚測(cè)量精度的影響。
權(quán)利要求
1.一種有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量方法，其特征在于，包括以下步驟: 將所述電渦流傳感器置于與導(dǎo)體膜間隔預(yù)定距離的位置； 向所述電渦流傳感器輸入預(yù)定頻率范圍的交變電流作為激勵(lì)信號(hào)； 獲取所述電渦流傳感器的等效阻抗隨所述激勵(lì)信號(hào)的頻率的變化關(guān)系曲線，以便得到所述等效阻抗的實(shí)部與激勵(lì)信號(hào)的頻率的比值； 得到所述比值隨所述激勵(lì)信號(hào)的頻率變化的關(guān)系曲線，并得到所述關(guān)系曲線中的峰值點(diǎn)的激勵(lì)頻率；以及 比較待測(cè)導(dǎo)體膜對(duì)應(yīng)的峰值激勵(lì)頻率與標(biāo)樣的峰值激勵(lì)頻率，以得到所述待測(cè)導(dǎo)體膜的厚度值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)定頻率范圍位于[1ΚΗζ-200ΜΗζ]之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)體膜的厚度位于[10納米至5微米]之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述電渦流傳感器的探頭線圈匝數(shù)為[I匝至100匝]之間。
5.一種有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量裝置，其特征在于，包括: 電渦流傳感器，所述電渦流傳感器置于與導(dǎo)體膜間隔預(yù)定距離的位置； 前置信號(hào)處理模塊，所述前置信號(hào)處理模塊用于向所述電渦流傳感器輸入激勵(lì)信號(hào)，并獲得所述電渦流傳感器的測(cè)量信號(hào)，其中，所述激勵(lì)信號(hào)為預(yù)定頻率范圍的交變電流；以及 數(shù)據(jù)采集處理模塊，所述數(shù)據(jù)采集處理模塊用于在所述交變電流的預(yù)定相位時(shí)，采集所述前置信號(hào)處理模塊提供的測(cè)量信號(hào)，以根據(jù)所述測(cè)量信號(hào)得到所述電渦流傳感器的等效阻抗的實(shí)部與激勵(lì)信號(hào)的頻率的比值，并得到所述比值隨所述激勵(lì)信號(hào)的頻率變化的關(guān)系曲線，并得到所述關(guān)系曲線中的峰值點(diǎn)的激勵(lì)頻率，以及比較待測(cè)導(dǎo)體膜對(duì)應(yīng)的峰值激勵(lì)頻率與標(biāo)樣的峰值激勵(lì)頻率，以得到所述待測(cè)導(dǎo)體膜的厚度值。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述前置信號(hào)處理模塊還用于:將所述測(cè)量信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬電信號(hào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述數(shù)據(jù)采集處理模塊還用于:將所述模擬電信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述電渦流傳感器的線圈的外徑大于3毫米，所述線圈的匝數(shù)為I匝至100匝。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在 于，所述預(yù)定頻率范圍位于[1ΚΗζ-200ΜΗζ]之間。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量方法，包括以下步驟將電渦流傳感器置于與導(dǎo)體膜間隔預(yù)定距離的位置；向電渦流傳感器輸入預(yù)定頻率范圍的交變電流作為激勵(lì)信號(hào)；獲取電渦流傳感器的等效阻抗隨激勵(lì)信號(hào)的頻率的變化關(guān)系曲線，以便得到等效阻抗的實(shí)部與激勵(lì)信號(hào)的頻率的比值；得到比值隨所述激勵(lì)信號(hào)的頻率變化的關(guān)系曲線；得到關(guān)系曲線中的峰值點(diǎn)的激勵(lì)頻率；比較待測(cè)導(dǎo)體膜對(duì)應(yīng)的峰值激勵(lì)頻率與標(biāo)樣的峰值激勵(lì)頻率，以得到待測(cè)導(dǎo)體膜的厚度值。該方法可以簡(jiǎn)便、快速地測(cè)量導(dǎo)體膜厚度，且能夠減小提離波動(dòng)對(duì)厚度測(cè)量的影響，從而提高測(cè)量精度。本發(fā)明還提出了一種有效減小提離波動(dòng)影響的導(dǎo)體膜厚度測(cè)量裝置。
文檔編號(hào)G01B7/06GK103234449SQ20131017014
公開日2013年8月7日 申請(qǐng)日期2013年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2013年5月9日
發(fā)明者趙乾, 余強(qiáng), 孟永鋼, 路新春 申請(qǐng)人:清華大學(xué)
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