一種元器件抗總劑量生存能力預(yù)估方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種元器件抗總劑量生存能力預(yù)估方法，包括：MOS器件抗總劑量生存概率與空間環(huán)境指標(biāo)要求、總劑量余量之間的關(guān)系在對數(shù)正態(tài)分布下的情況，批次性器件的抗總劑量生存概率與總劑量效應(yīng)失效閾值標(biāo)準(zhǔn)差σ有關(guān)，控制σ可以在有限的總劑量余量下提高生存概率。本發(fā)明只需要控制總劑量效應(yīng)失效閾值標(biāo)準(zhǔn)差σ即可實現(xiàn)對元器件在空間環(huán)境中的抗總劑量生存概率的預(yù)估，效率有了很大的提高。
【專利說明】一種元器件抗總劑量生存能力預(yù)估方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種元器件抗總劑量生存概率預(yù)估方法，特別涉及一種元器件抗總劑量生存能力預(yù)估方法，具體是一種航天器用MOS器件在空間環(huán)境中的抗總劑量生存概率預(yù)估方法。
【背景技術(shù)】
[0002]航天器上使用的電子元器件相對地面上的電子設(shè)備有一個很大的區(qū)別是:航天器上的電子元器件除滿足地面上的各種使用要求外，還要能夠適應(yīng)空間復(fù)雜環(huán)境，特別是空間輻射環(huán)境。為此航天器上選用的電子元器件必須能夠抗總劑量效應(yīng)。
[0003]目前，航天通常采購有航天用元器件的資質(zhì)供應(yīng)商的元器件，并對元器件提出了相應(yīng)的指標(biāo)要求，其中抗輻射能力是一個重要的指標(biāo)，特別是抗總劑量能力是必須的指標(biāo)，為此要求元器件供應(yīng)商在采購的元器件中抽取一定量的元器件進(jìn)行總劑量試驗，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)中明確了抽取的元器件數(shù)量，但未明確給出如何評價元器件的抗輻射能力。
[0004]如果MOS器件抗總劑量能力指標(biāo)提的過高，一方面是元器件采購成本的大幅提高，另一方面是有可能元器件供應(yīng)商無法提供滿足要求的器件，器件抗總劑量能力過低，則給元器件采購方使用帶來了使用風(fēng)險。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]為了克服目前的MOS器件抗總劑量能力被不準(zhǔn)確的高估給航天器使用方造成巨大的風(fēng)險，或低估造成不必要的重量支出和經(jīng)濟上的浪費，從而給出一種MOS器件抗總劑量能力預(yù)估的簡便方法來提高預(yù)估的準(zhǔn)確性。
`[0006]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種航天器用MOS器件在空間環(huán)境中的抗總劑量生存概率預(yù)估方法，包括:
[0007]步驟I)、獲取一組實測的同批次MOS器件總劑量輻照數(shù)據(jù)，根據(jù)這些總劑量輻照數(shù)據(jù)，計算出器件總劑量耐量的幾何平均數(shù)5，總劑量耐量的對數(shù)標(biāo)準(zhǔn)差σ ;
[0008]步驟2)、MOS器件抗總劑量生存概率與空間環(huán)境指標(biāo)要求、總劑量余量之間的關(guān)系存在對數(shù)正態(tài)分布:
【權(quán)利要求】
1.一種元器件抗總劑量生存能力預(yù)估方法，包括: 步驟I)、獲取一組實測的同批次MOS器件總劑量輻照數(shù)據(jù)，根據(jù)這些總劑量輻照數(shù)據(jù)，計算出器件總劑量耐量的幾何平均I/D !、劑量耐量的對數(shù)標(biāo)準(zhǔn)差σ ; 步驟2)、MOS器件抗總劑量生存概率與空間環(huán)境指標(biāo)要求、總劑量余量之間的關(guān)系存在對數(shù)正態(tài)分布:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種元器件抗總劑量生存能力預(yù)估方法，其特征在于，控制所述總劑量效應(yīng)失效閾值標(biāo)準(zhǔn)差σ實現(xiàn)對元器件在空間環(huán)境中的抗總劑量生存概率的預(yù)估。
【文檔編號】G01R31/26GK103698680SQ201310658892
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年12月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月6日
【發(fā)明者】李強, 肖文斌, 宗益燕, 周秀峰 申請人:上海衛(wèi)星工程研究所
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