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一種空間單粒子效應(yīng)測試方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種空間單粒子效應(yīng)測試方法，能夠?qū)崿F(xiàn)單粒子翻轉(zhuǎn)、單粒子鎖定、單粒子燒毀的實時測試和存儲；能夠全面表征單粒子效應(yīng)，為航天器抗單粒子效應(yīng)加固設(shè)計提供綜合性的可靠依據(jù)；本發(fā)明中建立的集成化的空間單粒子效應(yīng)測試系統(tǒng)，采用兩個單粒子效應(yīng)傳感器即可測試三種單粒子效應(yīng)，同時，兩個傳感器共用一套測試系統(tǒng)，實現(xiàn)了測試系統(tǒng)的集成化，同時也為實現(xiàn)測試系統(tǒng)的小型化奠定了基礎(chǔ)。
【專利說明】一種空間單粒子效應(yīng)測試方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于空間輻射效應(yīng)及加固【技術(shù)領(lǐng)域】，具體設(shè)計一種空間單粒子效應(yīng)測試方法。

【背景技術(shù)】
[0002]單個空間高能粒子撞擊航天器電子系統(tǒng)，與電子器件相互作用會誘發(fā)單粒子效應(yīng)。如單個高能粒子撞擊存儲器件的存儲單元使得邏輯狀態(tài)發(fā)生變化，引起單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)；單個高能粒子在CMOS器件中引發(fā)的單粒子鎖定效應(yīng)，能在極短的時間內(nèi)對硬件造成永久性的破壞；單個高能粒子穿透功率MOSFET器件，在器件內(nèi)部敏感節(jié)點產(chǎn)生大電流，從而誘發(fā)單粒子燒毀效應(yīng)，如此等等，這些單粒子效應(yīng)會影響航天器的在軌安全，嚴(yán)重的會引起航天器徹底損毀，因此，其備受航天器設(shè)計者的普遍關(guān)注。近年來隨著半導(dǎo)體特征尺寸的不斷減小，使得節(jié)點電容不斷減小，并且電子器件的工作電壓也在不斷降低，導(dǎo)致電子器件發(fā)生單粒子效應(yīng)更加敏感。
[0003]隨著超大規(guī)模集成芯片以及超大規(guī)模專用電路在空間電子系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用，單粒子效應(yīng)引起的輻射危害已成為影響集成電路輻射環(huán)境下可靠性的重要因素之一。運行在空間環(huán)境中的航天器，會遭受多種單粒子效應(yīng)的綜合影響，嚴(yán)重危害航天器的在軌安全?，F(xiàn)有的單粒子效應(yīng)監(jiān)測都是針對某一種效應(yīng)進(jìn)行單獨監(jiān)測，針對不同的單粒子效應(yīng)都設(shè)計了不同的測試系統(tǒng)，如單粒子翻轉(zhuǎn)測試系統(tǒng)或單粒子鎖定測試系統(tǒng)等等，這種分立設(shè)計的測試系統(tǒng)可以實現(xiàn)不同類型單粒子效應(yīng)的測試，但是重復(fù)性的設(shè)計，不僅增加了研制成本，而且通用性低。但是，隨著航天技術(shù)的不斷發(fā)展，設(shè)計研制小型化、集成化的新型有效載荷已成為主要的發(fā)展趨勢。在航天器小型化載荷的發(fā)展趨勢下，由于航天器自身重量、體積以及研制成本等因素的限制，這種分立的載荷設(shè)計已不能完全滿足航天任務(wù)的工程需求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種空間單粒子效應(yīng)測試方法，通過建立集成化的空間單粒子效應(yīng)測試系統(tǒng)，可同時測試單粒子翻轉(zhuǎn)、單粒子鎖定和單粒子燒毀效應(yīng)，為航天器的單粒子效應(yīng)監(jiān)測和輻射防護(hù)設(shè)計提供綜合性的技術(shù)數(shù)據(jù)。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的:
[0006]一種空間單粒子效應(yīng)測試方法，包括如下步驟:
[0007]步驟1、建立集成化的空間單粒子效應(yīng)測試系統(tǒng):
[0008]該系統(tǒng)包括單粒子軟錯誤傳感器、單粒子硬錯誤傳感器、前端信號調(diào)理電路、邏輯狀態(tài)監(jiān)測電路、電流監(jiān)測電路、鎖定判定及防護(hù)電路、數(shù)據(jù)處理及控制模塊以及上位機(jī)；所述單粒子軟錯誤傳感器分別與邏輯狀態(tài)監(jiān)測電路和電流監(jiān)測電路相連；所述單粒子硬錯誤傳感器與前端信號調(diào)理電路相連；所述前端信號調(diào)理電路與電流監(jiān)測電路和數(shù)據(jù)處理及控制模塊分別相連；所述電流監(jiān)測電路、邏輯狀態(tài)監(jiān)測電路以及鎖定判定及防護(hù)電路分別與數(shù)據(jù)處理及控制模塊相連；所述鎖定判定及防護(hù)電路與所述電流監(jiān)測電路相連；所述數(shù)據(jù)處理及控制模塊又與上位機(jī)相連；
[0009]所述單粒子軟錯誤傳感器為存儲型芯片，接收輻照源的輻照；
[0010]所述單粒子硬錯誤傳感器為功率MOSSET型芯片，接收輻照源的輻照；
[0011]步驟2、選擇所要進(jìn)行的單粒子效應(yīng)測試:
[0012]當(dāng)需要對單粒子燒毀效應(yīng)進(jìn)行測試時:
[0013](I)、對所述空間單粒子效應(yīng)測試系統(tǒng)上電，并初始化參數(shù)；
[0014](2)、根據(jù)空間的輻照環(huán)境，選擇輻照源，并確定輻照源發(fā)射的粒子能量后對所述單粒子硬錯誤傳感器進(jìn)行輻照；
[0015](3)、所述前端信號調(diào)理電路接收所述單粒子硬錯誤傳感器的工作電流信號并進(jìn)行前期處理，包括:將工作電流與燒毀閾值進(jìn)行比較，當(dāng)出現(xiàn)工作電流大于燒毀閾值的情況時，判斷產(chǎn)生單粒子燒毀效應(yīng)，累計單粒子效應(yīng)硬錯誤傳感器發(fā)生的燒毀次數(shù)并記錄此時的工作電流，將所述燒毀次數(shù)發(fā)給所述數(shù)據(jù)處理及控制模塊，并對工作電流進(jìn)行平滑濾波和降壓處理，再將降壓后工作電流發(fā)送給所述電流監(jiān)測電路，執(zhí)行步驟(4)；
[0016]若單粒子硬錯誤傳感器工作電流沒有超過燒毀閾值電流，執(zhí)行步驟(5)；
[0017](4)、所述電流監(jiān)測電路將單粒子硬錯誤傳感器的工作電流送至數(shù)據(jù)處理及控制模塊；所述數(shù)據(jù)處理及控制模塊對單粒子硬錯誤傳感器的工作電流進(jìn)行數(shù)字化處理，然后將該工作電流以及燒毀次數(shù)上傳至上位機(jī)；所述上位機(jī)對所述單粒子硬錯誤傳感器工作電流以及燒毀次數(shù)進(jìn)行存儲和顯示；然后對空間單粒子效應(yīng)測試系統(tǒng)斷電并更換單粒子效應(yīng)硬錯誤傳感器，返回執(zhí)行步驟(3)；
[0018](5)、判斷獲得的燒毀次數(shù)和記錄的工作電流是否滿足試驗要求，若不滿足，調(diào)整輻照源發(fā)射的粒子能量后，返回執(zhí)行步驟(3);若滿足，則結(jié)束試驗；
[0019]當(dāng)需要對單粒子鎖定效應(yīng)和單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)進(jìn)行測試時:
[0020]①、對所述空間單粒子效應(yīng)測試系統(tǒng)上電，并初始化參數(shù):
[0021]②、根據(jù)空間的輻照環(huán)境，選擇輻照源，并確定輻照源發(fā)射的粒子能量后對所述單粒子軟錯誤傳感器進(jìn)行輻照；
[0022]③、所述電流監(jiān)測電路實時監(jiān)測單粒子軟錯誤傳感器的工作電流，并將該工作電流送至數(shù)據(jù)處理及控制模塊和鎖定判定及防護(hù)電路；
[0023]④、所述數(shù)據(jù)處理及控制模塊接收單粒子軟錯誤傳感器的工作電流后對其進(jìn)行數(shù)字化處理，并上傳至上位機(jī)；
[0024]所述鎖定判定及防護(hù)電路對單粒子軟錯誤傳感器的工作電流進(jìn)行實時判定:
[0025]當(dāng)該工作電流超過鎖定閾值時，則判斷發(fā)生單粒子鎖定效應(yīng)，累計單粒子效應(yīng)軟錯誤傳感器的鎖定次數(shù)，并將鎖定次數(shù)和鎖定命令發(fā)給所述數(shù)據(jù)處理及控制模塊；所述數(shù)據(jù)處理及控制模塊接收到鎖定命令后，數(shù)據(jù)處理及控制模塊控制電流監(jiān)測電路泄放單粒子軟錯誤傳感器的工作電流，對單粒子軟錯誤傳感器進(jìn)行降壓；同時，將所述鎖定次數(shù)上傳給上位機(jī)；所述上位機(jī)對單粒子軟錯誤傳感器的工作電流以及鎖定次數(shù)進(jìn)行存儲和顯示；對所述空間單粒子效應(yīng)測試系統(tǒng)斷電并重啟，返回步驟③，繼續(xù)進(jìn)行試驗；
[0026]若單粒子效應(yīng)軟錯誤傳感器工作電流沒有超過鎖定閾值，則執(zhí)行步驟⑤；
[0027]⑤、所述邏輯狀態(tài)監(jiān)測電路實時監(jiān)測單粒子軟錯誤傳感器的邏輯狀態(tài)，若發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)，記錄邏輯狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn)的存儲單元地址，之后將邏輯狀態(tài)變化值以及邏輯狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn)的存儲單元地址送至數(shù)據(jù)處理及控制模塊；數(shù)據(jù)處理及控制模塊將邏輯狀態(tài)變化值以及邏輯狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn)的存儲單元地址送至上傳給上位機(jī)；若沒有翻轉(zhuǎn)單粒子翻轉(zhuǎn)，則執(zhí)行步驟⑥；所述上位機(jī)對接收到的單粒子軟錯誤傳感器的工作電流以及邏輯狀態(tài)變化值和邏輯狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn)的存儲單元地址進(jìn)行存儲和顯示；
[0028]⑥判斷獲得的鎖定次數(shù)和記錄的工作電流是否滿足試驗要求:若不滿足，調(diào)整輻照源發(fā)射的粒子能量，然后返回執(zhí)行步驟③；若滿足，則結(jié)束試驗。
[0029]本發(fā)明具有如下有益效果:
[0030]本發(fā)明提出了一種空間單粒子效應(yīng)測試方法，能夠?qū)崿F(xiàn)單粒子翻轉(zhuǎn)、單粒子鎖定、單粒子燒毀的實時測試和存儲；能夠全面表征單粒子效應(yīng)，為航天器抗單粒子效應(yīng)加固設(shè)計提供綜合性的可靠依據(jù)。
[0031]本發(fā)明中建立的集成化的空間單粒子效應(yīng)測試系統(tǒng)，采用兩個單粒子效應(yīng)傳感器即可測試三種單粒子效應(yīng)，同時，兩個傳感器共用一套測試系統(tǒng)，實現(xiàn)了測試系統(tǒng)的集成化，同時也為實現(xiàn)測試系統(tǒng)的小型化奠定了基礎(chǔ)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]圖1為本發(fā)明的測試系統(tǒng)的原理圖；
[0033]圖2為本發(fā)明的單粒子燒毀效應(yīng)測試流程圖。
[0034]圖3為本發(fā)明的單粒子翻轉(zhuǎn)和單粒子鎖定效應(yīng)測試流程圖。

【具體實施方式】
[0035]下面結(jié)合附圖并舉實施例，對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0036]本發(fā)明的一種空間單粒子效應(yīng)測試方法，包括如下步驟:
[0037]步驟1、建立集成化的空間單粒子效應(yīng)測試系統(tǒng)，如圖1所示:
[0038]該系統(tǒng)包括單粒子軟錯誤傳感器、單粒子硬錯誤傳感器、前端信號調(diào)理電路、邏輯狀態(tài)監(jiān)測電路、電流監(jiān)測電路、鎖定判定及防護(hù)電路、數(shù)據(jù)處理及控制模塊以及上位機(jī)；所述單粒子軟錯誤傳感器分別與邏輯狀態(tài)監(jiān)測電路和電流監(jiān)測電路相連；所述單粒子硬錯誤傳感器與前端信號調(diào)理電路相連；所述前端信號調(diào)理電路與電流監(jiān)測電路和數(shù)據(jù)處理及控制模塊分別相連；所述電流監(jiān)測電路、邏輯狀態(tài)監(jiān)測電路以及鎖定判定及防護(hù)電路分別與數(shù)據(jù)處理及控制模塊相連；所述鎖定判定及防護(hù)電路與所述電流監(jiān)測電路相連；所述數(shù)據(jù)處理及控制模塊又與上位機(jī)相連；
[0039]所述單粒子軟錯誤傳感器為存儲型芯片，接收輻照源的輻照；
[0040]所述單粒子硬錯誤傳感器為功率MOSSET型芯片，接收輻照源的輻照；
[0041]步驟2、選擇所要進(jìn)行的單粒子效應(yīng)測試:
[0042]當(dāng)需要對單粒子燒毀效應(yīng)進(jìn)行測試時，如圖2所示:
[0043](I)、對所述空間單粒子效應(yīng)測試系統(tǒng)上電，并初始化參數(shù)；
[0044](2)、根據(jù)空間的輻照環(huán)境，選擇輻照源，并確定輻照源發(fā)射的粒子能量后對所述單粒子硬錯誤傳感器進(jìn)行輻照；
[0045](3)、所述前端信號調(diào)理電路接收所述單粒子硬錯誤傳感器的工作電流信號并進(jìn)行前期處理，包括:將工作電流與燒毀閾值進(jìn)行比較，當(dāng)出現(xiàn)工作電流大于燒毀閾值的情況時，判斷產(chǎn)生單粒子燒毀效應(yīng)，累計單粒子效應(yīng)硬錯誤傳感器發(fā)生的燒毀次數(shù)并記錄此時的工作電流，將所述燒毀次數(shù)發(fā)給所述數(shù)據(jù)處理及控制模塊，并對工作電流進(jìn)行平滑濾波和降壓處理，再將降壓后工作電流發(fā)送給所述電流監(jiān)測電路，執(zhí)行步驟(4)；
[0046]若單粒子硬錯誤傳感器工作電流沒有超過燒毀閾值電流，執(zhí)行步驟(5)；
[0047](4)、所述電流監(jiān)測電路將單粒子硬錯誤傳感器的工作電流送至數(shù)據(jù)處理及控制模塊；所述數(shù)據(jù)處理及控制模塊對單粒子硬錯誤傳感器的工作電流進(jìn)行數(shù)字化處理，然后將該工作電流以及燒毀次數(shù)上傳至上位機(jī)；所述上位機(jī)對所述單粒子硬錯誤傳感器工作電流以及燒毀次數(shù)進(jìn)行存儲和顯示；然后對空間單粒子效應(yīng)測試系統(tǒng)斷電并更換單粒子效應(yīng)硬錯誤傳感器，返回執(zhí)行步驟(3)；
[0048](5)、判斷獲得的燒毀次數(shù)和記錄的工作電流是否滿足試驗要求，若不滿足，調(diào)整輻照源發(fā)射的粒子能量后，返回執(zhí)行步驟(3);若滿足，則結(jié)束試驗；
[0049]當(dāng)需要對單粒子鎖定效應(yīng)和單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)進(jìn)行測試時，如圖3所示:
[0050]①、對所述空間單粒子效應(yīng)測試系統(tǒng)上電,并初始化參數(shù):
[0051]②、根據(jù)空間的輻照環(huán)境，選擇輻照源，并確定輻照源發(fā)射的粒子能量后對所述單粒子軟錯誤傳感器進(jìn)行輻照；
[0052]③、所述電流監(jiān)測電路實時監(jiān)測單粒子軟錯誤傳感器的工作電流，并將該工作電流送至數(shù)據(jù)處理及控制模塊和鎖定判定及防護(hù)電路；
[0053]④、所述數(shù)據(jù)處理及控制模塊接收單粒子軟錯誤傳感器的工作電流后對其進(jìn)行數(shù)字化處理，并上傳至上位機(jī)；
[0054]所述鎖定判定及防護(hù)電路對單粒子軟錯誤傳感器的工作電流進(jìn)行實時判定:
[0055]當(dāng)該工作電流超過鎖定閾值時，則判斷發(fā)生單粒子鎖定效應(yīng)，累計單粒子效應(yīng)軟錯誤傳感器的鎖定次數(shù)，并將鎖定次數(shù)和鎖定命令發(fā)給所述數(shù)據(jù)處理及控制模塊；所述數(shù)據(jù)處理及控制模塊接收到鎖定命令后，數(shù)據(jù)處理及控制模塊控制電流監(jiān)測電路泄放單粒子軟錯誤傳感器的工作電流，對單粒子軟錯誤傳感器進(jìn)行降壓；同時，將所述鎖定次數(shù)上傳給上位機(jī)；所述上位機(jī)對單粒子軟錯誤傳感器的工作電流以及鎖定次數(shù)進(jìn)行存儲和顯示；對所述空間單粒子效應(yīng)測試系統(tǒng)斷電并重啟，返回步驟③，繼續(xù)進(jìn)行試驗；
[0056]若單粒子效應(yīng)軟錯誤傳感器工作電流沒有超過鎖定閾值，則執(zhí)行步驟⑤；
[0057]⑤、所述邏輯狀態(tài)監(jiān)測電路實時監(jiān)測單粒子軟錯誤傳感器的邏輯狀態(tài)，若發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)，記錄邏輯狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn)的存儲單元地址，之后將邏輯狀態(tài)變化值以及邏輯狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn)的存儲單元地址送至數(shù)據(jù)處理及控制模塊；數(shù)據(jù)處理及控制模塊將邏輯狀態(tài)變化值以及邏輯狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn)的存儲單元地址送至上傳給上位機(jī)；若沒有翻轉(zhuǎn)單粒子翻轉(zhuǎn)，則執(zhí)行步驟⑥；所述上位機(jī)對接收到的單粒子軟錯誤傳感器的工作電流以及邏輯狀態(tài)變化值和邏輯狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn)的存儲單元地址進(jìn)行存儲和顯示；
[0058]⑥判斷獲得的鎖定次數(shù)和記錄的工作電流是否滿足試驗要求:若不滿足，調(diào)整輻照源發(fā)射的粒子能量，然后返回執(zhí)行步驟③；若滿足，則結(jié)束試驗。
[0059]綜上所述，以上僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種空間單粒子效應(yīng)測試方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、建立集成化的空間單粒子效應(yīng)測試系統(tǒng): 該系統(tǒng)包括單粒子軟錯誤傳感器、單粒子硬錯誤傳感器、前端信號調(diào)理電路、邏輯狀態(tài)監(jiān)測電路、電流監(jiān)測電路、鎖定判定及防護(hù)電路、數(shù)據(jù)處理及控制模塊以及上位機(jī)；所述單粒子軟錯誤傳感器分別與邏輯狀態(tài)監(jiān)測電路和電流監(jiān)測電路相連；所述單粒子硬錯誤傳感器與前端信號調(diào)理電路相連；所述前端信號調(diào)理電路與電流監(jiān)測電路和數(shù)據(jù)處理及控制模塊分別相連；所述電流監(jiān)測電路、邏輯狀態(tài)監(jiān)測電路以及鎖定判定及防護(hù)電路分別與數(shù)據(jù)處理及控制模塊相連；所述鎖定判定及防護(hù)電路與所述電流監(jiān)測電路相連；所述數(shù)據(jù)處理及控制模塊又與上位機(jī)相連； 所述單粒子軟錯誤傳感器為存儲型芯片，接收輻照源的輻照； 所述單粒子硬錯誤傳感器為功率MOSSET型芯片，接收輻照源的輻照； 步驟2、選擇所要進(jìn)行的單粒子效應(yīng)測試: 當(dāng)需要對單粒子燒毀效應(yīng)進(jìn)行測試時: (1)、對所述空間單粒子效應(yīng)測試系統(tǒng)上電，并初始化參數(shù)； (2)、根據(jù)空間的輻照環(huán)境，選擇輻照源，并確定輻照源發(fā)射的粒子能量后對所述單粒子硬錯誤傳感器進(jìn)行輻照； (3)、所述前端信號調(diào)理電路接收所述單粒子硬錯誤傳感器的工作電流信號并進(jìn)行前期處理，包括:將工作電流與燒毀閾值進(jìn)行比較，當(dāng)出現(xiàn)工作電流大于燒毀閾值的情況時，判斷產(chǎn)生單粒子燒毀效應(yīng)，累計單粒子效應(yīng)硬錯誤傳感器發(fā)生的燒毀次數(shù)并記錄此時的工作電流，將所述燒毀次數(shù)發(fā)給所述數(shù)據(jù)處理及控制模塊，并對工作電流進(jìn)行平滑濾波和降壓處理，再將降壓后工作電流發(fā)送給所述電流監(jiān)測電路，執(zhí)行步驟(4)； 若單粒子硬錯誤傳感器工作電流沒有超過燒毀閾值電流，執(zhí)行步驟(5)； (4)、所述電流監(jiān)測電路將單粒子硬錯誤傳感器的工作電流送至數(shù)據(jù)處理及控制模塊；所述數(shù)據(jù)處理及控制模塊對單粒子硬錯誤傳感器的工作電流進(jìn)行數(shù)字化處理，然后將該工作電流以及燒毀次數(shù)上傳至上位機(jī)；所述上位機(jī)對所述單粒子硬錯誤傳感器工作電流以及燒毀次數(shù)進(jìn)行存儲和顯示；然后對空間單粒子效應(yīng)測試系統(tǒng)斷電并更換單粒子效應(yīng)硬錯誤傳感器，返回執(zhí)行步驟(3)； (5)、判斷獲得的燒毀次數(shù)和記錄的工作電流是否滿足試驗要求，若不滿足，調(diào)整輻照源發(fā)射的粒子能量后，返回執(zhí)行步驟(3);若滿足，則結(jié)束試驗； 當(dāng)需要對單粒子鎖定效應(yīng)和單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)進(jìn)行測試時: ①、對所述空間單粒子效應(yīng)測試系統(tǒng)上電，并初始化參數(shù): ②、根據(jù)空間的輻照環(huán)境，選擇輻照源，并確定輻照源發(fā)射的粒子能量后對所述單粒子軟錯誤傳感器進(jìn)行輻照； ③、所述電流監(jiān)測電路實時監(jiān)測單粒子軟錯誤傳感器的工作電流，并將該工作電流送至數(shù)據(jù)處理及控制模塊和鎖定判定及防護(hù)電路； ④、所述數(shù)據(jù)處理及控制模塊接收單粒子軟錯誤傳感器的工作電流后對其進(jìn)行數(shù)字化處理,并上傳至上位機(jī)； 所述鎖定判定及防護(hù)電路對單粒子軟錯誤傳感器的工作電流進(jìn)行實時判定: 當(dāng)該工作電流超過鎖定閾值時，則判斷發(fā)生單粒子鎖定效應(yīng)，累計單粒子效應(yīng)軟錯誤傳感器的鎖定次數(shù)，并將鎖定次數(shù)和鎖定命令發(fā)給所述數(shù)據(jù)處理及控制模塊；所述數(shù)據(jù)處理及控制模塊接收到鎖定命令后，數(shù)據(jù)處理及控制模塊控制電流監(jiān)測電路泄放單粒子軟錯誤傳感器的工作電流，對單粒子軟錯誤傳感器進(jìn)行降壓；同時，將所述鎖定次數(shù)上傳給上位機(jī)；所述上位機(jī)對單粒子軟錯誤傳感器的工作電流以及鎖定次數(shù)進(jìn)行存儲和顯示；對所述空間單粒子效應(yīng)測試系統(tǒng)斷電并重啟，返回步驟③，繼續(xù)進(jìn)行試驗； 若單粒子效應(yīng)軟錯誤傳感器工作電流沒有超過鎖定閾值，則執(zhí)行步驟⑤； ⑤、所述邏輯狀態(tài)監(jiān)測電路實時監(jiān)測單粒子軟錯誤傳感器的邏輯狀態(tài)，若發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)，記錄邏輯狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn)的存儲單元地址，之后將邏輯狀態(tài)變化值以及邏輯狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn)的存儲單元地址送至數(shù)據(jù)處理及控制模塊；數(shù)據(jù)處理及控制模塊將邏輯狀態(tài)變化值以及邏輯狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn)的存儲單元地址送至上傳給上位機(jī)；若沒有翻轉(zhuǎn)單粒子翻轉(zhuǎn)，則執(zhí)行步驟⑥；所述上位機(jī)對接收到的單粒子軟錯誤傳感器的工作電流以及邏輯狀態(tài)變化值和邏輯狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn)的存儲單元地址進(jìn)行存儲和顯示； ⑥判斷獲得的鎖定次數(shù)和記錄的工作電流是否滿足試驗要求:若不滿足，調(diào)整輻照源發(fā)射的粒子能量，然后返回執(zhí)行步驟③；若滿足，則結(jié)束試驗。
【文檔編號】G01R31/00GK104237685SQ201410451782
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年9月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月5日
【發(fā)明者】安恒, 楊生勝, 薛玉雄, 把得東, 馬亞莉, 曹洲 申請人:蘭州空間技術(shù)物理研究所