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一種雙z軸磁電阻角度傳感器的制造方法
【專利摘要】一種雙Z軸磁電阻角度傳感器，包括圓形永磁體、兩個(gè)Z軸磁電阻傳感器芯片和PCB，兩個(gè)Z軸磁電阻傳感器位于PCB上，其磁場(chǎng)敏感方向正交，所述Z軸磁電阻傳感器芯片包括襯底以及位于襯底之上的至少一個(gè)磁電阻傳感器，其磁場(chǎng)敏感方向垂直于所述襯底，所述磁電阻傳感器包括通量集中器和磁電阻傳感單元，所述磁電阻傳感單元電連接成推挽式結(jié)構(gòu)，其推臂和挽臂分別位于所述通量集中器上方或下方的距離Y軸中心線等距離的兩側(cè)位置，所述圓形永磁體具有平行于過直徑方向的磁化方向，其旋轉(zhuǎn)時(shí)，兩個(gè)Z軸磁電阻傳感器芯片所測(cè)量的正交磁場(chǎng)計(jì)算出磁場(chǎng)測(cè)量角，可以用于表征圓形永磁體的旋轉(zhuǎn)角度，該發(fā)明具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，靈敏度高，空間靈活性高的特點(diǎn)。
【專利說明】—種雙Z軸磁電阻角度傳感器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及磁性傳感器領(lǐng)域，特別涉及一種雙Z軸磁電阻角度傳感器。

【背景技術(shù)】
[0002]磁電阻傳感器和永磁碼盤構(gòu)成的磁電阻角度傳感器可以應(yīng)用于磁編碼器以及旋轉(zhuǎn)位置傳感器等領(lǐng)域，通常情況下，對(duì)于磁電阻傳感器如TMR，GMR等，采用的是平面X-Y類型的磁電阻角度傳感器芯片，通過對(duì)同一芯片上X、Y方向磁場(chǎng)分量的測(cè)量并對(duì)X磁場(chǎng)分量和Y磁場(chǎng)分量夾角進(jìn)行計(jì)算，實(shí)現(xiàn)對(duì)永磁碼盤旋轉(zhuǎn)角度的測(cè)量，但其主要存在如下問題:
1)X-Y類型的磁電阻角度傳感器芯片，和圓形永磁碼盤一起來測(cè)量角度位置時(shí)，芯片測(cè)量平面位于在平行于圓形永磁碼盤旋轉(zhuǎn)平面區(qū)域位置上方，其測(cè)量的敏感磁場(chǎng)來自于圓形永磁碼盤在圓形永磁碼盤旋轉(zhuǎn)面區(qū)域上方的分布磁場(chǎng)，因此X-Y磁電阻角度傳感器芯片的安裝空間和磁場(chǎng)均勻區(qū)受到限制，空間靈活性較差。
[0003]2) X-Y類型的磁電阻角度傳感器芯片的圓形永磁碼盤在旋轉(zhuǎn)平面上方的旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)分布容易受到附近磁體如軟磁材料或者永磁體的干擾，而使得角度測(cè)量區(qū)域發(fā)生改變，不能正確得到測(cè)量角度，穩(wěn)定性較差。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)以上問題，本發(fā)明提出了一種雙Z軸磁電阻角度傳感器，來取代X-Y磁電阻角度傳感器，通過測(cè)量圓形永磁碼盤邊緣外側(cè)所產(chǎn)生的徑向旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)來取代位于圓形永磁碼盤旋轉(zhuǎn)平面上方的旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)，并采用兩個(gè)相差90度相位的分立的Z軸磁電阻傳感器芯片來取代單一 X-Y磁電阻傳感器芯片，由于兩個(gè)Z軸磁電阻傳感器芯片位于圓形永磁碼盤邊緣外側(cè)，所以其安裝空間靈活性大大增加。
[0005]本發(fā)明所提出的一種雙Z軸磁電阻角度傳感器，包括一個(gè)圓形永磁碼盤，兩個(gè)Z軸磁電阻傳感器芯片和PCB，所述圓形永磁碼盤附著在一個(gè)旋轉(zhuǎn)軸上，且所述旋轉(zhuǎn)軸圍繞所述圓形永磁碼盤中心軸線旋轉(zhuǎn)；所述兩個(gè)Z軸磁電阻傳感器芯片均包括襯底以及位于其上的至少一個(gè)Z軸磁電阻傳感器，所述Z軸磁電阻傳感器的磁場(chǎng)敏感方向垂直于所述襯底所在平面；所述兩個(gè)Z軸磁電阻傳感器芯片位于所述PCB上，且所述兩個(gè)Z軸磁電阻傳感器芯片的磁場(chǎng)敏感方向和所述圓形永磁碼盤的中心軸線兩兩正交，且所述兩個(gè)Z軸磁電阻傳感器芯片與所述圓形永磁碼盤中心軸線保持相同距離r+Det，其中r為所述圓形永磁碼盤半徑，所述Det>0 ;所述圓形永磁碼盤旋轉(zhuǎn)時(shí)，所述兩個(gè)Z軸磁電阻傳感器芯片分別將所圓形永磁碼盤所產(chǎn)生的兩個(gè)正交磁場(chǎng)信號(hào)轉(zhuǎn)變成兩個(gè)電壓信號(hào)輸出，從而根據(jù)所述兩個(gè)電壓信號(hào)，計(jì)算出所述圓形永磁碼盤的0-360度旋轉(zhuǎn)角度。
[0006]優(yōu)選的，所述圓形永磁碼盤磁化方向?yàn)槠叫杏谶^直徑的方向。
[0007]優(yōu)選的，所述Det距離為0_2r。
[0008]優(yōu)選的，所述Z軸磁電阻傳感器包括磁電阻傳感單元和通量集中器，所述通量集中器為長(zhǎng)條形，其長(zhǎng)軸平行于Y軸方向，短軸平行于X軸方向，所述磁電阻傳感單元敏感方向平行于X軸方向，且電連接成包括至少兩個(gè)橋臂的磁電阻橋，其中，每個(gè)所述橋臂為一個(gè)或多個(gè)磁電阻傳感單元電連接而成的兩端口結(jié)構(gòu)，且所述橋臂中的磁電阻傳感單元沿著平行于Y軸方向排列成多個(gè)磁電阻列，所述磁電阻橋?yàn)橥仆焓綐?，其中，推臂和挽臂分別位于所述通量集中器上方或下方Y(jié)軸中心線的不同側(cè)，且到各自對(duì)應(yīng)的所述Y軸中心線的距離相等。
[0009]優(yōu)選的，所述通量集中器為包含N1、Fe、Co元素中的一種或多種元素的軟磁合金材料。
[0010]優(yōu)選的，所述磁電阻傳感單元為GMR或TMR磁電阻傳感單元。
[0011]優(yōu)選的，所述Z軸磁電阻傳感器包含N+2 (N>0的整數(shù))個(gè)通量集中器，且所述磁電阻列對(duì)應(yīng)于中間N個(gè)通量集中器。
[0012]優(yōu)選的，所述Z軸磁電阻傳感器包含I個(gè)通量集中器，所述磁電阻列對(duì)應(yīng)于所述I個(gè)通量集中器。
[0013]優(yōu)選的，所述Z軸磁電阻傳感器包含2個(gè)通量集中器，所述磁電阻列分別對(duì)應(yīng)于所述2個(gè)通量集中器中的Y軸中心線不同側(cè)的位置，且距離對(duì)應(yīng)通量集中器的Y軸中心線相同距離。
[0014]優(yōu)選的，所述Z軸磁電阻傳感器中相鄰兩個(gè)所述通量集中器之間的間距S不小于所述通量集中器的寬度Lx。
[0015]優(yōu)選的，所述Z軸磁電阻傳感器中相鄰兩個(gè)所述通量集中器之間的間距S>2Lx，所述Lx為所述通量集中器的寬度。
[0016]優(yōu)選的，所述Z軸磁電阻傳感器的所述磁電阻單元列與所述通量集中器的上方或下方邊緣的間距越小，或者所述通量集中器的厚度Lz越大，或者所述通量集中器的寬度Lx越小，所述z軸磁電阻傳感器的靈敏度越高。
[0017]優(yōu)選的，所述Z軸磁電阻傳感器的推挽式電橋?yàn)榘霕?、全橋或者?zhǔn)橋結(jié)構(gòu)中的一種。
[0018]優(yōu)選的，所述兩個(gè)Z軸磁電阻傳感器具有相同的磁場(chǎng)靈敏度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1雙Z軸磁電阻旋轉(zhuǎn)角度傳感器正視圖；
圖2雙Z軸磁電阻旋轉(zhuǎn)角度傳感器側(cè)視圖；
圖3 Z軸磁電阻傳感器結(jié)構(gòu)圖一；
圖4 Z軸磁電阻傳感器結(jié)構(gòu)圖二；
圖5 Z軸磁電阻傳感器結(jié)構(gòu)圖三；
圖6 Z軸磁電阻傳感器Z磁場(chǎng)測(cè)量原理圖；
圖7 Z軸磁電阻傳感器中磁電阻傳感單元位置磁場(chǎng)分布圖；
圖8 Z軸磁電阻傳感器中磁電阻傳感單元電連接圖；
圖9推挽式磁電阻傳感器全橋示意圖；
圖10推挽式磁電阻傳感器半橋示意圖；
圖11雙Z軸磁電阻旋轉(zhuǎn)角度傳感器測(cè)量磁場(chǎng)幅度隨旋轉(zhuǎn)角度關(guān)系圖；
圖12雙Z軸磁電阻旋轉(zhuǎn)角度傳感器磁場(chǎng)測(cè)量角度隨旋轉(zhuǎn)角度關(guān)系圖； 圖13雙Z軸磁電阻旋轉(zhuǎn)角度傳感器測(cè)量磁場(chǎng)角度隨旋轉(zhuǎn)角度關(guān)系曲線直線擬合參數(shù)R2與Det/R比率關(guān)系圖。
[0020] _

【具體實(shí)施方式】
[0021]下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例，來詳細(xì)說明本發(fā)明。
[0022]實(shí)施例一
圖1和2分別為雙Z軸磁電阻旋轉(zhuǎn)角度傳感器的正視圖和側(cè)視圖，可以看出，包括放置于PCB 5上的兩個(gè)Z軸磁電阻傳感器芯片I和2，以及圓形永磁碼盤3，其中圓形永磁碼盤3附著在一個(gè)旋轉(zhuǎn)軸4上，所述旋轉(zhuǎn)軸4圍繞著所述圓形永磁碼盤3的中心軸線41旋轉(zhuǎn)，兩個(gè)所述Z軸磁電阻傳感器芯片I和2的磁場(chǎng)敏感方向相互正交，且分別位于圓形永磁碼盤3的旋轉(zhuǎn)面外側(cè)，芯片中心法線過圓形永磁碼盤3的圓點(diǎn)，并且圓形永磁碼盤3的磁化方向M為平行于過直徑的直線方向，兩個(gè)Z軸磁電阻傳感器芯片距離圓形永磁碼盤3中心軸線41相同的距離，為r+Det,其中r為圓形永磁碼盤的半徑，Det大于O。
[0023]實(shí)施例二
圖3為Z軸磁電阻傳感器芯片及其Z磁場(chǎng)測(cè)量原理圖，包括襯底8，以及位于其上的至少一個(gè)Z軸磁電阻傳感器9，所述Z軸磁電阻傳感器9包括通量集中器6以及位于通量集中器6上方或下方且距離通量集中器Y軸中心線相同距離的磁電阻單元列7，其原理為當(dāng)Z方向外磁場(chǎng)經(jīng)過通量集中器6時(shí)，由于通量集中器6為高磁導(dǎo)率的軟磁合金材料，如包括Co、Fe、Ni等元素中的一種或多種元素的合金的軟磁合金，磁場(chǎng)在通量集中器6上方或下方產(chǎn)生扭曲，出現(xiàn)了 X軸方向的磁場(chǎng)分量，并且正比于Z磁場(chǎng)，從而能夠被位于通量集中器6上方或下方處的位于Y軸中心線兩側(cè)的磁電阻單元列7探測(cè)到，所述磁電阻傳感單元的磁場(chǎng)敏感方向?yàn)閄方向，其為TMR，GMR類型傳感器單元，所述通量集中器為長(zhǎng)條形狀，其長(zhǎng)度為Y方向，寬度為X方向，且所述多個(gè)通量集中器沿X方向等距平行排列。
[0024]為了方便說明，圖3列出了標(biāo)號(hào)為nl到n7的多個(gè)通量集中器，圖4為標(biāo)號(hào)為nl到n7的多個(gè)通量集中器6上方或下方距離通量集中器6的Y軸中心線兩側(cè)等距離的磁電阻傳感單元處的X分量磁場(chǎng)分布，可以看出，位于Y軸中心線兩側(cè)的磁電阻傳感單元感受相反方向的X分量磁場(chǎng)，其中一個(gè)為正，另一個(gè)為負(fù)，但兩側(cè)的兩個(gè)通量集中器所對(duì)應(yīng)的兩個(gè)反向的X分量磁場(chǎng)的幅度大小并不一致，其中靠外的X磁場(chǎng)分量顯然要大于位于靠?jī)?nèi)的X磁場(chǎng)分量，而位于除兩側(cè)之外的中間部分的通量集中器所對(duì)應(yīng)的兩個(gè)位置的X磁場(chǎng)分量幅度大小相同。
[0025]所述Z軸磁電阻傳感器中相鄰兩個(gè)所述通量集中器之間的間距S不小于所述通量集中器的寬度Lx。在另一實(shí)施例中，所述Z軸磁電阻傳感器中相鄰兩個(gè)所述通量集中器之間的間距S>2Lx ；
此外，減小所述Z軸磁電阻傳感器的所述磁電阻單元列與所述通量集中器的上方或下方邊緣的間距，或者增加所述通量集中器的厚度Lz，或者減小所述通量集中器的寬度Lx均能增加所述z軸磁電阻傳感器的靈敏度。
[0026]實(shí)施例三
根據(jù)以上通量集中器上方或下方位置處磁電阻傳感單元X磁場(chǎng)分量分布特征可以看出，Z軸磁電阻傳感器可以具有如下結(jié)構(gòu)特征:所述磁電阻傳感單元電連接成推挽式全橋、半橋或者準(zhǔn)橋結(jié)構(gòu)，每個(gè)橋臂包含I個(gè)或多個(gè)磁電阻傳感單元，且電連接成兩端口的結(jié)構(gòu)，所述磁電阻單元排布成磁電阻單元列，所述推臂和挽臂分別位于通量集中器上方或者下方Y(jié)軸中心線的不同側(cè)，并且到對(duì)應(yīng)通量集中器的Y軸中心線距離相等。
[0027]根據(jù)磁電阻單元列在通量集中器中的分布特征和數(shù)量的不同，所述Z軸磁電阻傳感器可以分成如下幾種結(jié)構(gòu):
圖5為位于襯底8上的Z軸磁電阻傳感器的結(jié)構(gòu)圖一,其中包含N+2 (N為大于I的整數(shù))個(gè)通量集中器6，包括位于中間的N個(gè)通量集中器62和位于兩側(cè)的2個(gè)通量集中器61，磁電阻傳感單元列7中的71和72分布于中間N個(gè)通量集中器62所對(duì)應(yīng)的Y軸中心線兩側(cè)的位置處,這是由于位于中間N個(gè)通量集中器62所對(duì)應(yīng)Y中心線兩側(cè)的磁電阻傳感列71和72位置處的X磁場(chǎng)分量大小相同，且方向相反，從而可以構(gòu)成推挽式電橋結(jié)構(gòu)。
[0028]圖6為位于襯底8上的Z軸磁電阻傳感器的結(jié)構(gòu)圖二，其中，只包含I個(gè)通量集中器6 (1)，磁電阻單元列7 (I)包括兩個(gè)磁電阻單元列73和74，且分布于通量集中器Y軸中心線的兩側(cè)位置，這是因?yàn)樵趩蝹€(gè)通量集中器的情況下，以上兩個(gè)位置顯然X磁場(chǎng)分量具有大小相同，方向相反特征，從而可以構(gòu)成推挽式電橋結(jié)構(gòu)。
[0029]圖7為Z軸磁電阻傳感器的結(jié)構(gòu)圖三，其中，只包含2個(gè)通量集中器65和66，磁電阻單元列75和76分別分布于2個(gè)通量集中器所對(duì)應(yīng)的兩個(gè)Y軸中心線的外側(cè)，或者內(nèi)側(cè)位置，且距離所在通量集中器Y軸中心線相同距離，顯然此時(shí)兩個(gè)位置也具有大小相同，方向相反的X磁場(chǎng)分量，從而構(gòu)成推挽式電橋結(jié)構(gòu)，為了方便說明，圖7中只給出了兩個(gè)磁電阻傳感單元列同時(shí)位于外側(cè)的情況，實(shí)際上還可以包括兩個(gè)磁電阻單元列同時(shí)位于內(nèi)側(cè)的情況。
[0030]圖8為Z軸磁電阻傳感器的電連接圖，磁電阻傳感單元電連接成推挽式電橋結(jié)構(gòu)，并且至少包括一個(gè)推臂和一個(gè)挽臂，每個(gè)推臂和挽臂包括I個(gè)或多個(gè)磁電阻傳感單元電連接成的兩端口結(jié)構(gòu)，且所述磁電阻單元排成多個(gè)平行的磁電阻單元列，其中81為連接導(dǎo)線，82和83分別為電源輸入端和接地端，85和84分別為信號(hào)輸出端，6 (3)為通量集中器，其中67位于兩側(cè)，68位于中間，磁電阻單元列77和78分別位于通量集中器的上方或下方的Y中心線兩側(cè)，且距離Y中心線有相同的距離，構(gòu)成推臂和腕臂的一部分，其中磁電阻單元排列成磁電阻單元列，圖8中為全橋結(jié)構(gòu)推挽式磁電阻橋，包括4個(gè)橋臂，即兩個(gè)推臂和兩個(gè)挽臂，每個(gè)推臂和挽臂分別包含多個(gè)磁電阻列，并且形成兩端口結(jié)構(gòu)。Z磁電阻傳感器的推挽式全橋結(jié)構(gòu)如圖9所示，構(gòu)成全橋的四個(gè)橋臂Rl，R2，R3和R4兩兩相鄰，具有相反的外磁場(chǎng)響應(yīng)特征。
[0031]圖10給出的為推挽式全橋結(jié)構(gòu)，實(shí)際上還包括半橋類型的推挽式結(jié)構(gòu)，包含兩個(gè)臂Rl和R2，其中一個(gè)為推臂，另一個(gè)為挽臂，此外，還可以構(gòu)成準(zhǔn)橋結(jié)構(gòu)。
[0032]實(shí)施例四
圖11為所述圓形永磁碼盤圍繞中線軸線旋轉(zhuǎn)時(shí)，兩個(gè)Z軸傳感器芯片所測(cè)量的敏感磁場(chǎng)Hl和H2,圓形永磁碼盤的磁化方向M與Hl方向的夾角為Φ,可以用Φ來定義永磁碼盤旋轉(zhuǎn)角度，兩個(gè)Z軸傳感器分別測(cè)量的磁場(chǎng)分量Hl和H2之間的磁場(chǎng)測(cè)量角α定義如下，a =atan(Hy/Hx), Hx>0, Hy>0=atan(Hy/Hx)+pi, Hx>0, Hy<0
=atan(Hy/Hx)-pi, Hx<0, Hy<0
圖11中91和92分別為Z軸磁電阻傳感器芯片I和Z軸磁電阻傳感器2的敏感磁場(chǎng)Hl和H2隨圓形永磁碼盤的旋轉(zhuǎn)角度Φ的變化關(guān)系，可以看出，磁場(chǎng)Hl和H2隨旋轉(zhuǎn)角度變化為正弦/余弦的變化關(guān)系，且相位相差90度。
[0033]圖12中93為典型的磁場(chǎng)測(cè)量角度α和圓形永磁碼盤旋轉(zhuǎn)角度Φ之間的關(guān)系曲線93，可以看出，曲線93為直線特征，表明磁場(chǎng)測(cè)量角度和旋轉(zhuǎn)角度之間有線性關(guān)系，可以通過兩個(gè)Z軸磁電阻傳感器芯片的輸出信號(hào)對(duì)圓形永磁碼盤旋轉(zhuǎn)角度進(jìn)行測(cè)量。
[0034]圖13為Z軸磁電阻傳感器芯片I和2距離圓形永磁碼盤3不同距離Det時(shí)，所得到的磁場(chǎng)測(cè)量角α隨圓形永磁旋轉(zhuǎn)角Φ的曲線采用線性擬合時(shí)擬合參數(shù)R2與Det/R比率的關(guān)系曲線94，可以看出，隨著Det/R的增加，其R2開始保持穩(wěn)定在1.0附近，而后再2.0時(shí)逐漸的下降，總體上R2線性度很高，保持在0.997以上，為了便于角度的測(cè)量精度，因此旋轉(zhuǎn)0-2 r,r為圓形永磁體半徑，因此可以看出，雙Z軸磁電阻角度傳感器的工作空間遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于X-Y軸的小于r區(qū)域的空間，因此具有更大的靈活性。
【權(quán)利要求】
1.一種雙Z軸磁電阻角度傳感器，包括一個(gè)圓形永磁碼盤，兩個(gè)Z軸磁電阻傳感器芯片和PCB，其特征在于，所述圓形永磁碼盤附著在一個(gè)旋轉(zhuǎn)軸上，且所述旋轉(zhuǎn)軸圍繞所述圓形永磁碼盤中心軸線旋轉(zhuǎn)；所述兩個(gè)Z軸磁電阻傳感器芯片均包括襯底以及位于其上的至少一個(gè)Z軸磁電阻傳感器，所述Z軸磁電阻傳感器的磁場(chǎng)敏感方向垂直于所述襯底所在平面；所述兩個(gè)Z軸磁電阻傳感器芯片位于所述PCB上，且所述兩個(gè)Z軸磁電阻傳感器芯片的磁場(chǎng)敏感方向和所述圓形永磁碼盤的中心軸線兩兩正交，且所述兩個(gè)Z軸磁電阻傳感器芯片與所述圓形永磁碼盤中心軸線保持相同距離r+Det，其中r為所述圓形永磁碼盤半徑，所述Det>0 ;所述圓形永磁碼盤旋轉(zhuǎn)時(shí)，所述兩個(gè)Z軸磁電阻傳感器芯片分別將所圓形永磁碼盤所產(chǎn)生的兩個(gè)正交磁場(chǎng)信號(hào)轉(zhuǎn)變成兩個(gè)電壓信號(hào)輸出，從而根據(jù)所述兩個(gè)電壓信號(hào)，計(jì)算出所述圓形永磁碼盤的0-360度旋轉(zhuǎn)角度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙Z軸磁電阻角度傳感器，其特征在于，所述圓形永磁碼盤磁化方向?yàn)槠叫杏谶^直徑的方向。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙Z軸磁電阻角度傳感器，其特征在于，所述Det距離為0_2 r ο
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙Z軸磁電阻角度傳感器，其特征在于，所述Z軸磁電阻傳感器包括磁電阻傳感單元和通量集中器，所述通量集中器為長(zhǎng)條形，其長(zhǎng)軸平行于Y軸方向，短軸平行于X軸方向，所述磁電阻傳感單兀敏感方向平行于X軸方向，且電連接成包括至少兩個(gè)橋臂的磁電阻橋，其中，每個(gè)所述橋臂為一個(gè)或多個(gè)磁電阻傳感單元電連接而成的兩端口結(jié)構(gòu)，且所述橋臂中的磁電阻傳感單元沿著平行于Y軸方向排列成多個(gè)磁電阻列，所述磁電阻橋?yàn)橥仆焓綐颍渲?，推臂和挽臂分別位于所述通量集中器上方或下方Y(jié)軸中心線的不同側(cè)，且到各自對(duì)應(yīng)的所述Y軸中心線的距離相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種雙Z軸磁電阻角度傳感器，其特征在于，所述通量集中器為包含N1、Fe、Co元素中的一種或多種元素的軟磁合金材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種雙Z軸磁電阻角度傳感器，其特征在于，所述磁電阻傳感單元為GMR或TMR磁電阻傳感單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種雙Z軸磁電阻角度傳感器，其特征在于，所述Z軸磁電阻傳感器包含N+2個(gè)通量集中器，且所述磁電阻列對(duì)應(yīng)于中間N個(gè)通量集中器，所述N為大于O的整數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種雙Z軸磁電阻角度傳感器，其特征在于，所述Z軸磁電阻傳感器包含I個(gè)通量集中器，所述磁電阻列對(duì)應(yīng)于所述I個(gè)通量集中器。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種雙Z軸磁電阻角度傳感器，其特征在于，所述Z軸磁電阻傳感器包含2個(gè)通量集中器，所述磁電阻列分別對(duì)應(yīng)于所述2個(gè)通量集中器中的Y軸中心線不同側(cè)的位置，且距離對(duì)應(yīng)通量集中器的Y軸中心線相同距離。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種雙Z軸磁電阻角度傳感器，其特征在于，所述Z軸磁電阻傳感器中相鄰兩個(gè)所述通量集中器之間的間距S不小于所述通量集中器的寬度Lx。
11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種雙Z軸磁電阻角度傳感器，其特征在于，所述Z軸磁電阻傳感器中相鄰兩個(gè)所述通量集中器之間的間距S>2Lx，所述Lx為所述通量集中器的寬度。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種雙Z軸磁電阻角度傳感器，其特征在于，所述Z軸磁電阻傳感器的所述磁電阻單元列與所述通量集中器的上方或下方邊緣的間距越小，或者所述通量集中器的厚度Lz越大，或者所述通量集中器的寬度Lx越小，所述z軸磁電阻傳感器的靈敏度越高。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙Z軸磁電阻角度傳感器，其特征在于，所述Z軸磁電阻傳感器的推挽式電橋?yàn)榘霕颉⑷珮蚧蛘邷?zhǔn)橋結(jié)構(gòu)中的一種。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙Z軸磁電阻角度傳感器，其特征在于，所述兩個(gè)Z軸磁電阻傳感器具有相同的磁場(chǎng)靈敏度。
【文檔編號(hào)】G01R33/09GK104197827SQ201410406142
【公開日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2014年8月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月18日
【發(fā)明者】詹姆斯·G·迪克, 周志敏 申請(qǐng)人:江蘇多維科技有限公司