污染物測(cè)量基底、設(shè)備及使用該設(shè)備制造基底的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種污染物測(cè)量基底、設(shè)備及使用該設(shè)備制造基底的方法。用于制造基底的設(shè)備包括：室，提供在其中執(zhí)行工藝的空間；污染物測(cè)量基底，包括被構(gòu)造為收集污染物的基礎(chǔ)材料以及位于基礎(chǔ)材料上并限定基礎(chǔ)材料的坐標(biāo)的激光標(biāo)記；第一平臺(tái)，設(shè)置在室內(nèi)，污染物測(cè)量基底在室的污染物的收集期間被安置在第一平臺(tái)上；第二平臺(tái)，設(shè)置在室的外側(cè)，污染物測(cè)量基底在收集在污染物測(cè)量基底上的室的污染物的測(cè)量期間被安置在第二平臺(tái)上；污染物測(cè)量光源，設(shè)置在第二平臺(tái)的上部，并且被構(gòu)造為在收集在污染物測(cè)量基底上的室的污染物的測(cè)量期間利用光照射安置在第二平臺(tái)上的污染物測(cè)量基底。
【專利說(shuō)明】污染物測(cè)量基底、設(shè)備及使用該設(shè)備制造基底的方法
[0001] 本申請(qǐng)要求與2013年7月25日提交的第10-2013-0088059號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu) 先權(quán)和全部權(quán)益，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本發(fā)明涉及一種污染物測(cè)量基底、設(shè)備及使用該設(shè)備制造基底的方法。
【背景技術(shù)】
[0003] 用于諸如有機(jī)發(fā)光顯示器（0LED)、液晶顯示器（IXD)或等離子體顯示器的顯示裝 置的基底通過制造工藝被制造為成品。
[0004] 制造工藝包括基底薄膜沉積工藝、涂覆工藝和組裝工藝，并且在各工藝室中執(zhí)行 制造工藝。
[0005] 在通過制造工藝處理用于顯示裝置的基底的同時(shí)，因工藝室的一部分的開裂或老 化而產(chǎn)生的污染物常常會(huì)吸附到基底。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006] 當(dāng)吸附到用于顯示裝置的基底的污染物的數(shù)量超過參考值時(shí)，次等可能發(fā)生在用 于顯示裝置的被制造為成品的基底中。
[0007] 因此，需要在執(zhí)行用于顯示裝置的基底的制造工藝之前，通過獲知在各工藝室中 的污染物的量以及各工藝室的產(chǎn)生污染物的部分的位置來(lái)消除污染物產(chǎn)生的原因。
[0008] 本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種污染物測(cè)量基底，該污染物測(cè)量基底在基底的 實(shí)際工藝之前使用對(duì)室的污染物的測(cè)量，獲知污染物的產(chǎn)生位置并消除污染物的產(chǎn)生原 因，能夠有效地防止經(jīng)由實(shí)際工藝產(chǎn)生次等基底。
[0009] 本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例提供了一種用于制造基底的設(shè)備，該用于制造基底的 設(shè)備在基底的實(shí)際工藝之前使用對(duì)室的污染物的測(cè)量，獲知污染物的產(chǎn)生位置并消除污染 物的產(chǎn)生原因，能夠有效地防止經(jīng)由實(shí)際工藝產(chǎn)生次等基底。
[0010] 本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例提供了一種用于制造基底的方法，該用于制造基底的 方法通過在基底的實(shí)際工藝之前測(cè)量室的污染物，獲知污染物的產(chǎn)生位置并消除污染物的 產(chǎn)生原因，能夠有效地防止經(jīng)由實(shí)際工藝產(chǎn)生次等基底。
[0011] 根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，提供了一種用于制造基底的設(shè)備，該用于制造基底 的設(shè)備包括：室，提供在其中執(zhí)行工藝的空間；污染物測(cè)量基底，包括被構(gòu)造為收集污染物 的基礎(chǔ)材料以及位于基礎(chǔ)材料上并限定基礎(chǔ)材料的坐標(biāo)的激光標(biāo)記；第一平臺(tái)，設(shè)置在室 內(nèi)，污染物測(cè)量基底在室的污染物的收集期間被安置在第一平臺(tái)上；第二平臺(tái)，設(shè)置在室的 外側(cè)，污染物測(cè)量基底在收集在污染物測(cè)量基底上的室的污染物的測(cè)量期間被安置在第二 平臺(tái)上；污染物測(cè)量光源，設(shè)置在第二平臺(tái)的上部，并且被構(gòu)造為在收集在污染物測(cè)量基底 上的室的污染物的測(cè)量期間利用光照射安置在第二平臺(tái)上的污染物測(cè)量基底。
[0012] 根據(jù)本發(fā)明的另一不例性實(shí)施例，提供了 一種制造基底的方法，該制造基底的方 法包括以下步驟：準(zhǔn)備包括基礎(chǔ)材料和激光標(biāo)記的污染物測(cè)量基底，基礎(chǔ)材料被構(gòu)造為收 集污染物，激光標(biāo)記位于基礎(chǔ)材料上并且在污染物測(cè)量基底上限定分別與基底的單位單元 對(duì)應(yīng)的多個(gè)單位區(qū)域；將污染物測(cè)量基底安置在第一平臺(tái)上并收集室的污染物，第一平臺(tái) 設(shè)置在室內(nèi)，室提供在其中執(zhí)行工藝的空間；將污染物測(cè)量基底安置在設(shè)置在室的外部的 第二平臺(tái)上，并且通過使用污染物測(cè)量光源利用光照射污染物測(cè)量基底來(lái)測(cè)量針對(duì)所述多 個(gè)單位區(qū)域收集的室的污染物；將存在于與基底的各單位單元對(duì)應(yīng)的所述多個(gè)單位區(qū)域中 的各單位區(qū)域中的室的污染物的數(shù)量與參考值進(jìn)行比較，并且確定存在于各單位區(qū)域中的 室的污染物的數(shù)量是否超過參考值。
[0013] 根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例，提供了一種污染物測(cè)量基底，該污染物測(cè)量基 底包括：基礎(chǔ)材料，被構(gòu)造為收集污染物；激光標(biāo)記，位于基礎(chǔ)材料上并限定基礎(chǔ)材料的坐 標(biāo)。
[0014] 根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，可以獲得至少以下效果。
[0015] 由于根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的污染物測(cè)量基底包括可以收集污染物的基礎(chǔ) 材料以及限定在基礎(chǔ)材料上設(shè)置的坐標(biāo)的激光標(biāo)記，所以可以在基底的實(shí)際工藝之前測(cè)量 室的污染物，可以獲知污染物的產(chǎn)生位置，并可以消除室的污染物的產(chǎn)生原因。
[0016] 因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的污染物測(cè)量基底可以有效地防止經(jīng)由實(shí)際工藝產(chǎn)生 次等基底。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的效果不限于上面舉例說(shuō)明的內(nèi)容，而且在本發(fā)明的說(shuō)明書中描述了 更多的不同效果。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0018] 通過下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本發(fā)明的以上和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更 加明顯，在附圖中：
[0019] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的污染物測(cè)量基底的示例性實(shí)施例的透視圖；
[0020] 圖2是示出一些材料的靜電的極性的示圖；
[0021] 圖3是示出在圖1的污染物測(cè)量基底上的污染物的收集的示例的透視圖；
[0022] 圖4和圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的污染物測(cè)量基底上的激光標(biāo)記的各種示例性實(shí)施 例的透視圖；
[0023] 圖6是根據(jù)本發(fā)明的用于制造基底的設(shè)備的另一示例性實(shí)施例的剖視圖；
[0024] 圖7是根據(jù)本發(fā)明的用于制造基底的設(shè)備的另一示例性實(shí)施例的剖視圖；
[0025] 圖8是根據(jù)本發(fā)明的用于制造示例性實(shí)施例的基底的方法的流程圖；
[0026] 圖9至圖15是解釋圖8的制造基底的方法的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027] 現(xiàn)在將在下文中參照附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖中示出了各種實(shí)施例。然而， 本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施，并且不應(yīng)該被解釋為局限于這里闡述的實(shí)施例。相反， 提供這些實(shí)施例使得本公開將是徹底的和完全的，這些實(shí)施例將把本發(fā)明的范圍充分地傳 達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。相似的參考標(biāo)記始終指示相似的元件。
[0028] 還將理解的是，當(dāng)層被稱作"在"另一層或基底"上"時(shí)，它可以直接在所述另一層 或基底上，或者也可以存在中間層。在整個(gè)說(shuō)明書中，相同的參考標(biāo)記指示相同的組件。
[0029] 將理解的是，雖然這里可以使用第一、第二、第三等術(shù)語(yǔ)來(lái)描述不同的元件、組件、 區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語(yǔ)限制。這 些術(shù)語(yǔ)僅是用來(lái)將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分 開來(lái)。因此，在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分 可以被命名為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。
[0030] 這里使用的術(shù)語(yǔ)僅是為了描述特定實(shí)施例的目的，而不意圖進(jìn)行限制。如這里所 使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式的"一"、"一個(gè)(種）"和"所述(該)"也意 圖包括復(fù)數(shù)形式(包括"至少一個(gè)(種）")。"或"表示"和/或"。如這里所使用的，術(shù)語(yǔ)"和 /或"包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)的任意組合和全部組合。還將理解的是，當(dāng)在本說(shuō)明書 中使用時(shí)，術(shù)語(yǔ)"包含"和/或其變形或者"包括"和/或其變形說(shuō)明存在所述特征、區(qū)域、整 體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或更多個(gè)其他特征、區(qū)域、整體、 步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
[0031] 此外，在這里可以使用相對(duì)術(shù)語(yǔ)，如"下"或"底"以及"上"或"頂"，來(lái)描述如附圖 中所示的一個(gè)元件與另一元件的關(guān)系。將理解的是，相對(duì)術(shù)語(yǔ)意在包括除了在附圖中描述 的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果在一幅圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為在其他元件 "下"側(cè)上的元件隨后將被定位為在所述其他元件"上"側(cè)上。因此，基于圖的特定方位，示 例性術(shù)語(yǔ)"下"可以包括"下"和"上"兩種方位。相似地，如果在一幅圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)， 則描述為"在"其他元件"下方"或"之下"的元件隨后將被定位為"在"所述其他元件"上 方"。因此，示例性術(shù)語(yǔ)"在…下方"或"在…之下"可以包括"在…上方"和"在…下方"兩 種方位。
[0032] 這里使用的"大約"或"近似地"包括所述值，并且表示在考慮有問題的測(cè)量以及 與具體量的測(cè)量相關(guān)的誤差（即，測(cè)量系統(tǒng)的局限）時(shí)，對(duì)于具體值的偏差在由本領(lǐng)域普通 技術(shù)人員確定的可接受的范圍內(nèi)。例如，"大約"可以表示在所述值的一個(gè)或更多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏 差內(nèi)或在所述值的±30%、±20%、±10%、±5%內(nèi)。
[0033] 除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)）具有與本公 開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。還將理解的是，除非這里明確 定義，否則術(shù)語(yǔ)(例如，在通用的字典中定義的那些術(shù)語(yǔ)）應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的 環(huán)境中它們的意思一致的意思，而將不以理想的或者過于正式的意義進(jìn)行解釋。
[0034] 在此參照作為理想實(shí)施例的示意圖的剖視圖來(lái)描述示例性實(shí)施例。這樣，預(yù)計(jì)會(huì) 出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，這里描述的實(shí)施例不應(yīng) 該被解釋為局限于在此示出的區(qū)域的特定形狀，而將包括例如由制造導(dǎo)致的形狀偏差。例 如，示出為或描述為平坦的區(qū)域可以通常具有粗糙的和/或非線性的特征。另外，示出的尖 角可以被導(dǎo)圓。因此，在附圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，它們的形狀并不意圖示出區(qū) 域的精確形狀，并且不意圖限制權(quán)利要求書的范圍。
[0035] 在下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
[0036] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的污染物測(cè)量基底的透視圖，圖2是示出一些 材料的靜電的極性的示圖，圖3是示出在圖1的污染物測(cè)量基底上的污染物的收集的示例 的透視圖。
[0037] 參照?qǐng)D1，污染物測(cè)量基底130用于測(cè)量在制造基底的工藝中產(chǎn)生的污染物。在室 中執(zhí)行實(shí)際工藝之前，收集室中的污染物以提前確定污染物在室的哪一部分中產(chǎn)生，其中， 室提供其中執(zhí)行實(shí)際工藝的空間。
[0038] 基底可以包括用于顯示裝置的基底。在示例性實(shí)施例中，例如，基底可以是用于諸 如有機(jī)發(fā)光顯示器（0LED)、液晶顯示器（IXD)或等離子體顯示器的顯示裝置的基底。在示 例性實(shí)施例中，基底可以是裸基底或者在其上包括諸如薄膜或布線的結(jié)構(gòu)的基底。
[0039] 此外，在示例性實(shí)施例中，基底可以是包括一個(gè)單位單元的基底或者包括多個(gè)單 位單元的母基底。通過切割可以將母基底分成多個(gè)單元。此外，基底可以是單個(gè)基底或?qū)?壓基底，在層壓基底中，兩個(gè)或更多個(gè)基底被設(shè)置成彼此接觸或彼此分隔開，從而使基底彼 此面對(duì)。
[0040] 實(shí)際工藝可以包括基底薄膜沉積工藝、涂覆工藝、組裝工藝等，室基于工藝可以處 于真空狀態(tài)或非真空狀態(tài)。
[0041] 污染物測(cè)量基底130可以包括基礎(chǔ)材料131和激光標(biāo)記132。
[0042] 基礎(chǔ)材料131可以具有與在實(shí)際工藝中使用的基底的尺寸相同的尺寸，并且可以 包括能夠通過靜電力收集污染物的材料。即，基礎(chǔ)材料131可以包括負(fù)靜電極性值小于室 的形成材料的負(fù)靜電極性值的材料，其中，室提供在其中將被測(cè)量的污染物所處的空間。在 示例性實(shí)施例中，例如，參照?qǐng)D2,當(dāng)室包括鋼時(shí)，基礎(chǔ)材料131可以包括負(fù)靜電極性值小于 鋼的負(fù)靜電極性值的聚四氟乙烯。因此，如圖3中所示，因室的一部分的開裂或老化產(chǎn)生的 污染物CM可以通過靜電力收集在基礎(chǔ)材料131上。
[0043] 在一些示例性實(shí)施例中，基礎(chǔ)材料131可以包括與室的形成材料的顏色匹配但不 與室的形成材料的顏色等同的顏色。在示例性實(shí)施例中，當(dāng)室包括其顏色為銀色的鋼時(shí)，例 如，基礎(chǔ)材料131可以包括諸如白色的聚四氟乙烯(例如，Teflon?)的不透明材料。因此， 通過工作人員的肉眼可以容易地確定在基礎(chǔ)材料131上收集的室的污染物CM。
[0044] 圖1示出了基礎(chǔ)材料131的平面形狀是矩形，但本發(fā)明不限于此，基于在實(shí)際工藝 中使用的基底的平面形狀，基礎(chǔ)材料131的平面形狀可以不同。
[0045] 激光標(biāo)記132可以包括沿著第一方向平行地設(shè)置的多條第一線Ll至Ln以及沿著 與第一方向交叉的第二方向平行地設(shè)置的多條第二線Rl至Rn以限定在基礎(chǔ)材料131上設(shè) 置的坐標(biāo)。因此，激光標(biāo)記132可以提供用于有效地防止污染物測(cè)量基底130在其上/下 部分或左/右部分顛倒的狀態(tài)下被送入室中的參照。在示例性實(shí)施例中，可以通過用激光 掃描基礎(chǔ)材料131來(lái)設(shè)置激光標(biāo)記132。
[0046] 激光標(biāo)記132可以通過多條第一線Ll至Ln和多條第二線Rl至Rn限定具有第一 面積的多個(gè)單位區(qū)域A。在多個(gè)單位區(qū)域A中，至少一個(gè)單位區(qū)域A可以對(duì)應(yīng)于在實(shí)際工藝 中使用的基底的多個(gè)單位單元中的一個(gè)單位單元。因此，激光標(biāo)記132可以提供用于獲知 在基礎(chǔ)材料131上的多個(gè)單位區(qū)域A之中的哪個(gè)單位區(qū)域(與基底的各單位單元對(duì)應(yīng))收集 并放置有室的污染物的參考，因此，可以使用在基礎(chǔ)材料131上的多個(gè)單位區(qū)域A中的其中 收集的室的污染物的數(shù)量超過參考值的單位區(qū)域來(lái)獲知在實(shí)際工藝中使用的基底的哪個(gè) 單位單元區(qū)域具有次等。
[0047] 當(dāng)獲知次等可能發(fā)生在基底的特定單位單元中時(shí)，在污染物測(cè)量基底130被送入 到室中以收集室的污染物的情況下，工作人員可以通過確定室的與其被獲知其中可能發(fā)生 次等的基底的單位單元對(duì)應(yīng)的污染物測(cè)量基底130的單元單位區(qū)域相鄰的一部分發(fā)生開 裂或老化來(lái)修理或替換室。單元單位區(qū)域可以包括一個(gè)單位區(qū)域A、兩個(gè)單位區(qū)域A或者三 個(gè)或更多個(gè)單位區(qū)域A。
[0048] 在下文中，將描述應(yīng)用于上述污染物測(cè)量基底的具有各種形狀的激光標(biāo)記。
[0049] 圖4和圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的各種示例性實(shí)施例的污染物測(cè)量基底上的激光標(biāo) 記的透視圖。
[0050] 圖4舉例說(shuō)明具有激光標(biāo)記132A的污染物測(cè)量基底130A，激光標(biāo)記132A包括沿 著第一方向平行地設(shè)置的多條第一線Lll至Lln以及沿著與第一方向交叉的第二方向平行 地設(shè)置的多條第二線Rll至Rln以限定在基礎(chǔ)材料131上設(shè)置的坐標(biāo)，在基礎(chǔ)材料131上， 多條第一線Lll至Lln和多條第二線Rll至Rln限定具有第二面積的多個(gè)單位區(qū)域A1。多 個(gè)單位區(qū)域Al中的至少一個(gè)可以對(duì)應(yīng)于在實(shí)際工藝中使用的基底的多個(gè)單位單元中的一 個(gè)。
[0051] 在示例性實(shí)施例中，多個(gè)單位區(qū)域Al中的一個(gè)的第二面積可以大于圖1中的通過 多條第一線Ll至Ln和多條第二線Rl至Rn限定的多個(gè)單位區(qū)域A中的一個(gè)的第一面積。 因此，例如，尺寸比圖1中示出的多個(gè)單位區(qū)域A中的兩個(gè)的尺寸大的一個(gè)單位單元可以對(duì) 應(yīng)于例如多個(gè)單位區(qū)域Al中的兩個(gè)。因此，能夠測(cè)量與具有大尺寸的基底的單位單元對(duì)應(yīng) 的室的污染物。
[0052] 雖然未示出，但是圖4的污染物測(cè)量基底130A的基礎(chǔ)材料131也可以以與圖1中 的污染物測(cè)量基底130相同的方式，包括與室的形成材料的顏色匹配但不與室的形成材料 的顏色等同的顏色。
[0053] 圖5舉例說(shuō)明具有激光標(biāo)記132B的污染物測(cè)量基底130B，激光標(biāo)記132B包括沿 第一方向和與第一方向交叉的第二方向設(shè)置的多個(gè)同心圓組Cij (其中，i和j為1至n，n 為自然數(shù))。這里，同心圓組Cll可以是設(shè)置在沿第一方向的第一行處和沿第二方向的第一 列處的同心圓組。
[0054] 激光標(biāo)記132B可以通過多個(gè)同心圓組Cij限定多個(gè)單位區(qū)域A2。多個(gè)單位區(qū)域 A2中的至少一個(gè)可以對(duì)應(yīng)于在實(shí)際工藝中使用的基底的多個(gè)單位單元中的一個(gè)。這里，一 個(gè)單位區(qū)域A2可以具有通過在同心圓組內(nèi)的多條圓形線劃分的多個(gè)劃分區(qū)域。因此，激光 標(biāo)記132B可以提供用于子劃分并獲知在基礎(chǔ)材料131上的多個(gè)單位區(qū)域中的與基底的各 單位單元對(duì)應(yīng)的單位區(qū)域A2的哪個(gè)部分收集有室的污染物的參照。
[0055] 雖然未示出，但是圖5的污染物測(cè)量基底130B的基礎(chǔ)材料131也可以以與圖1中 的污染物測(cè)量基底130相同的方式，包括與室的形成材料的顏色匹配但不與室的形成材料 的顏色等同的顏色。
[0056] 在圖1、圖4和圖5中示出的示例性實(shí)施例中，通過與基底的多個(gè)單位單元中的一 個(gè)對(duì)應(yīng)的污染物測(cè)量基底130、130A或130B的單元單位區(qū)域來(lái)測(cè)量室的污染物的數(shù)量。然 而，當(dāng)基底包括一個(gè)單位單元時(shí)，可以通過污染物測(cè)量基底的單位區(qū)域來(lái)測(cè)量室的污染物 的數(shù)量。因此，在基底包括一個(gè)單位單元的情況下，可以獲知次等可能發(fā)生在一個(gè)單位單元 的哪個(gè)部分中。
[0057] 如上所述，由于根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的污染物測(cè)量基底130包括能夠收集 污染物的基礎(chǔ)材料131以及限定設(shè)置在基礎(chǔ)材料131上的坐標(biāo)的激光標(biāo)記132,所以可以在 基底的實(shí)際工藝之前測(cè)量室的污染物，可以獲知室的污染物的產(chǎn)生位置，因此可以消除室 的污染物的產(chǎn)生原因。
[0058] 因此，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的污染物測(cè)量基底130、130A和130B可以有效 地防止通過實(shí)際工藝產(chǎn)生次等的基底。
[0059] 接下來(lái)，將描述根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的制造基底的設(shè)備。
[0060] 圖6是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的制造基底的設(shè)備的剖視圖。
[0061] 參照?qǐng)D6,根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的制造基底的設(shè)備100可以包括室 110、第一平臺(tái)120、污染物測(cè)量基底130、第二平臺(tái)140和污染物測(cè)量光源150。
[0062] 室110提供其中執(zhí)行實(shí)際工藝的空間。室基于工藝可以處于真空狀態(tài)或非真空狀 態(tài)。在示例性實(shí)施例中，例如，當(dāng)室110提供其中執(zhí)行基底薄膜沉積工藝的空間時(shí)，其可以 處于真空狀態(tài)。當(dāng)室110提供其中執(zhí)行組裝工藝的空間時(shí)，其可以處于非真空狀態(tài)。
[0063] 室110可以包括鋼，但本發(fā)明不限于此。例如，在室110包括鋼的狀態(tài)下，當(dāng)室110 的一部分發(fā)生開裂或老化時(shí)，可以產(chǎn)生材料與室的形成材料相同的污染物，即，鋼材料的污 染物。雖然圖6示出了一個(gè)室110,但基于基底制造工藝的類型可以設(shè)置多個(gè)室。
[0064] 第一平臺(tái)120設(shè)置(例如，安裝）在室110內(nèi)。第一平臺(tái)120提供了在對(duì)基底執(zhí)行 實(shí)際工藝之前可以安置污染物測(cè)量基底130的空間，并且能夠使污染物測(cè)量基底130收集 室110的污染物。此外，第一平臺(tái)120提供了在對(duì)基底進(jìn)行實(shí)際工藝期間能夠安置基底(例 如，用于顯示裝置的基底）的空間，并且能夠?qū)讏?zhí)行實(shí)際工藝。
[0065] 污染物測(cè)量基底130用于測(cè)量在基底制造工藝中產(chǎn)生的污染物，并且在室110中 執(zhí)行實(shí)際工藝之前收集室Iio的污染物以使工作人員能夠確定污染物產(chǎn)生在室Iio的哪一 部分中。
[0066] 污染物測(cè)量基底130可以通過諸如機(jī)器人的傳送裝置10被送入室110中或者被 送出室110。當(dāng)設(shè)置多個(gè)室110時(shí)，污染物測(cè)量基底130可以用于收集一個(gè)室110的污染 物，然后可以在被清理之后再次用于收集其他室110的污染物。在一些示例性實(shí)施例中，當(dāng) 設(shè)置多個(gè)室110時(shí)，可以將污染物測(cè)量基底130的數(shù)量設(shè)置為與室110的數(shù)量相等，并且在 這種情況下，多個(gè)污染物測(cè)量基底130可以分別用于收集多個(gè)室110的污染物。由于已經(jīng) 詳細(xì)地描述了污染物測(cè)量基底130,所以將省略對(duì)其的重復(fù)描述。
[0067] 第二平臺(tái)140設(shè)置(例如，安裝）在室110的外側(cè)。第二平臺(tái)140可以提供在其中 安置污染物測(cè)量基底130的空間，并且能夠使工作人員確定其上收集有室110的污染物的 污染物測(cè)量基底130。
[0068] 污染物測(cè)量光源150設(shè)置在第二平臺(tái)140的上部。污染物測(cè)量光源150可以用光 照射安置在第二平臺(tái)140上的污染物測(cè)量基底130,以執(zhí)行來(lái)自污染物測(cè)量基底130的室 110的污染物的測(cè)量。在示例性實(shí)施例中，污染物測(cè)量光源150可以是紫外線光源。
[0069] 在示例性實(shí)施例中，可以通過肉眼確定多少室110的污染物以及室110的污染物 位于污染物測(cè)量基底130的哪個(gè)區(qū)域，S卩，哪個(gè)單位區(qū)域，其對(duì)應(yīng)于基底的各單位單元，來(lái) 執(zhí)行污染物的測(cè)量。這里，在將污染物測(cè)量基底130送入室中以收集室110的污染物的條 件下，當(dāng)在某一單元單位區(qū)域中的室110的污染物的數(shù)量超過參考值時(shí)，可以獲知次等可 能發(fā)生在與單元單位區(qū)域?qū)?yīng)的單位單元中，并且工作人員可以通過確定室110的與其被 獲知其中可能產(chǎn)生次等的單位單元對(duì)應(yīng)的單元單位區(qū)域相鄰的部分發(fā)生開裂或老化來(lái)修 理或替換室110。此外，當(dāng)確定存在于多個(gè)單位區(qū)域A中的各單位區(qū)域(其對(duì)應(yīng)于基底的各 單位單元)中的室110的污染物的數(shù)量小于參考值時(shí)，工作人員可以將基底(例如，用于顯示 裝置的基底）送入室110中以對(duì)基底執(zhí)行實(shí)際工藝。
[0070] 如上所述，由于根據(jù)本發(fā)明的示出的示例性實(shí)施例的用于制造基底的設(shè)備100包 括污染物測(cè)量基底130,所以可以在基底的實(shí)際工藝之前測(cè)量室110的污染物，可以獲知室 110的污染物的產(chǎn)生位置，并且因此可以消除室110的污染物的產(chǎn)生原因。
[0071] 因此，根據(jù)本發(fā)明的示出的示例性實(shí)施例的用于制造基底的設(shè)備100可以有效地 防止通過實(shí)際工藝產(chǎn)生次等基底。
[0072] 接下來(lái)，將描述根據(jù)本發(fā)明的示出的示例性實(shí)施例的用于制造基底的設(shè)備200。
[0073] 圖7是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的用于制造基底的設(shè)備的剖視圖。
[0074] 根據(jù)本發(fā)明的示出的示例性實(shí)施例的用于制造基底的設(shè)備200具有與圖6的用于 制造基底的設(shè)備100的構(gòu)造相同的構(gòu)造，除了設(shè)備200還包括成像裝置260和計(jì)數(shù)器270 之外。因此，在根據(jù)本發(fā)明的示出的示例性實(shí)施例的用于制造基底的設(shè)備200中，將圍繞成 像裝置260和計(jì)數(shù)器270進(jìn)行解釋。
[0075] 參照?qǐng)D7,根據(jù)本發(fā)明的示出的示例性實(shí)施例的用于制造基底的設(shè)備200可以包 括室110、第一平臺(tái)120、污染物測(cè)量基底130、第二平臺(tái)140、污染物測(cè)量光源150、成像裝置 260和計(jì)數(shù)器270。
[0076] 成像裝置260設(shè)置在第二平臺(tái)140的上部。成像裝置260可以捕獲安置在第二平 臺(tái)140上的污染物測(cè)量基底130的圖像，以能夠使計(jì)數(shù)器270執(zhí)行污染物的測(cè)量。在示例 性實(shí)施例中，例如，成像裝置260可以是照相機(jī)或光學(xué)顯微鏡。
[0077] 計(jì)數(shù)器270可以接收由成像裝置260捕獲的污染物測(cè)量基底130的圖像，并且可 以對(duì)在污染物測(cè)量基底130上收集的室110的污染物進(jìn)行計(jì)算(計(jì)量)。在示例性實(shí)施例中， 可以對(duì)計(jì)數(shù)器270進(jìn)行編程以確定在污染物測(cè)量基底130上的污染物的量和位置。即，可以 對(duì)計(jì)數(shù)器270進(jìn)行編程以確定包含室110的污染物的與基底的各單位單元對(duì)應(yīng)的單位區(qū)域 的位置，并且通過將預(yù)存儲(chǔ)的污染物測(cè)量基底130的原始圖像(其中不存在污染物的圖像） 與從成像裝置260接收的圖像進(jìn)行比較來(lái)確定污染物的量。雖然未示出，但計(jì)數(shù)器270可 以包括用于顯示通過獲知在污染物測(cè)量基底130上的室110的污染物的量和位置而獲得的 數(shù)據(jù)的顯示器。
[0078] 此外，計(jì)數(shù)器270將存在于單位區(qū)域A中的與基底的各單位單元對(duì)應(yīng)的各單位區(qū) 域中的室110的污染物的數(shù)量與參考值進(jìn)行比較。當(dāng)確定存在于某一單元單位區(qū)域中的室 110的污染物的數(shù)量超過參考值時(shí)，可以輸出警告信號(hào)，警告信號(hào)指示次等可能發(fā)生在與單 元單位區(qū)域?qū)?yīng)的單位單元中。在這種情況下，在污染物測(cè)量基底130被送入室110中以 收集室110的污染物的情況下，工作人員可以通過確定室110的與其獲知其中可能產(chǎn)生次 等的單位單元對(duì)應(yīng)的單元單位區(qū)域相鄰的部分發(fā)生開裂或老化來(lái)修理或替換室110。
[0079] 計(jì)數(shù)器270將存在于多個(gè)單位區(qū)域A中的與基底的各單位單元對(duì)應(yīng)的各單位區(qū)域 中的室110的污染物的數(shù)量與參考值進(jìn)行比較，當(dāng)確定存在于各單位區(qū)域中的室110的污 染物的數(shù)量小于參考值時(shí)，輸出對(duì)基底執(zhí)行實(shí)際工藝的工藝信號(hào)。因此，工作人員可以將基 底(例如，用于顯示裝置的基底）送入室Iio中，以對(duì)基底執(zhí)行實(shí)際工藝。
[0080] 接下來(lái)，將描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的制造基底的方法。
[0081] 圖8是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的用于制造基底的方法的流程圖，圖9至圖15 是解釋圖8的制造基底的方法的剖視圖。
[0082] 參照?qǐng)D8,根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的制造基底的方法包括設(shè)置工藝氣氛 (S10)、準(zhǔn)備污染物測(cè)量基底（S20)、收集污染物（S30)、測(cè)量污染物（S40)、比較和確定 (S50)以及處理（S60)。
[0083] 參照?qǐng)D9,設(shè)置工藝氣氛（SlO)的步驟設(shè)置提供在其中執(zhí)行工藝的空間的室110的 工藝氣氛。設(shè)置室110的工藝氣氛可以包括基于基底制造工藝的類型使室110處于真空狀 態(tài)或非真空狀態(tài)。
[0084] 參照?qǐng)D10,準(zhǔn)備污染物測(cè)量基底（S20)的步驟準(zhǔn)備污染物測(cè)量基底130,污染物測(cè) 量基底130包括收集污染物的基礎(chǔ)材料131和限定設(shè)置在基礎(chǔ)材料131上的坐標(biāo)的激光標(biāo) 記 132。
[0085] 準(zhǔn)備污染物測(cè)量基底（S20)可以包括提供包括負(fù)靜電極性值小于室110的形成材 料的負(fù)靜電極性值的材料的污染物測(cè)量基底130。此外，準(zhǔn)備污染物測(cè)量基底（S20)可以包 括提供具有與室110的形成材料的顏色匹配的顏色的污染物測(cè)量基底130。由于已經(jīng)詳細(xì) 地描述過污染物測(cè)量基底130,所以將省略對(duì)其的重復(fù)描述。
[0086] 如圖11中所示，在示例性實(shí)施例中，可以通過諸如機(jī)器人的傳送裝置10將準(zhǔn)備好 的污染物測(cè)量基底130向室110傳送。
[0087] 參照?qǐng)D12,收集污染物（S30)的步驟通過將污染物測(cè)量基底130安置在設(shè)置(例 如，安裝)在室110內(nèi)的第一平臺(tái)120上來(lái)收集室110的污染物。在示例性實(shí)施例中，例如， 可以如圖13中所示執(zhí)行室110的污染物CM的收集。在示例性實(shí)施例中，可以執(zhí)行長(zhǎng)達(dá)與 實(shí)際工藝時(shí)間相同的時(shí)間的室110的污染物CM的收集。
[0088] 參照?qǐng)D14,測(cè)量污染物（S40)的步驟通過將污染物測(cè)量基底130安置在設(shè)置(例 如，安裝)在室110的外部的第二平臺(tái)140上并使用污染物測(cè)量光源150利用光照射污染物 測(cè)量基底130,來(lái)測(cè)量針對(duì)污染物測(cè)量基底130的多個(gè)單位區(qū)域A收集的室110的污染物， 其中，多個(gè)單位區(qū)域A由圖13中的激光標(biāo)記132限定。
[0089] 在示例性實(shí)施例中，可以通過肉眼確定在污染物測(cè)量基底130上的污染物的量和 位置來(lái)執(zhí)行污染物的測(cè)量。即，可以通過確定與基底的各單位單元對(duì)應(yīng)的多個(gè)單位區(qū)域A 之中的包含室110的污染物的單位區(qū)域的位置以及污染物的量來(lái)執(zhí)行污染物的測(cè)量。在使 用設(shè)置在第二平臺(tái)140的上部以捕獲污染物測(cè)量基底130的圖像的成像裝置260 (參照?qǐng)D 7)以及接收由成像裝置捕獲的污染物測(cè)量基底130的圖像并計(jì)算在污染物測(cè)量基底130上 收集的室110的污染物的計(jì)數(shù)器的情況下，可以通過計(jì)數(shù)器270 (參照?qǐng)D7)執(zhí)行室110的 污染物的測(cè)量。
[0090] 比較和確定（S50)的步驟將存在于與基底的各單位單元對(duì)應(yīng)的圖13中的多個(gè)單 位區(qū)域A之中的單位區(qū)域中的室110的污染物CM的數(shù)量與參考值進(jìn)行比較，并且確定存在 于各單位區(qū)域中的室110的污染物CM的數(shù)量是否超過參考值。
[0091] 在示例性實(shí)施例中，當(dāng)在測(cè)量污染物（S40)的步驟中通過肉眼執(zhí)行室110的污染 物的測(cè)量時(shí)，可以由工作人員來(lái)執(zhí)行比較和確定（S50)的步驟。在示例性實(shí)施例中，當(dāng)在測(cè) 量污染物（S40)的步驟中通過計(jì)數(shù)器270執(zhí)行室110的污染物的測(cè)量時(shí)，可以由計(jì)數(shù)器270 (參照?qǐng)D7)執(zhí)行比較和確定（S50)的步驟。
[0092] 當(dāng)在比較和確定（S50)的步驟中獲知存在于某一單元單位區(qū)域A (參照?qǐng)D13)中 的室110的污染物CM的數(shù)量超過參考值時(shí)，使得次等可能發(fā)生在基底的與所述單元單位區(qū) 域?qū)?yīng)的單位單元中，然后進(jìn)行處理（S60)的步驟以確定室110的與對(duì)應(yīng)于所獲知的單位 單元(獲知其中可能發(fā)生次等）的單元單位區(qū)域相鄰的部分，當(dāng)獲知存在于各單位區(qū)域中的 室110的污染物CM的數(shù)量小于參考值時(shí)，進(jìn)行處理（S60)過程以將如圖15中所示的基底 (例如，用于顯示裝置的基底）送入室110中以對(duì)基底執(zhí)行實(shí)際工藝。
[0093] 在處理（S60)的步驟中，工作人員可以直接確定在比較和確定（S50)的步驟中通 過肉眼確定的結(jié)果，或者可以接收在比較和確定（S50)的步驟中通過計(jì)數(shù)器確定的結(jié)果，以 執(zhí)行相應(yīng)的工藝。
[0094] 總結(jié)【具體實(shí)施方式】部分，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，在基本上不脫離本發(fā)明的 原理的情況下，可以對(duì)優(yōu)選示例性實(shí)施例做出許多改變和修改。因此，本發(fā)明的公開的優(yōu)選 示例性實(shí)施例僅以普通的和描述性的意義使用而不是出于限制性的目的。
【權(quán)利要求】
1. 一種用于制造基底的設(shè)備，所述用于制造基底的設(shè)備包括： 室，提供在其中執(zhí)行工藝的空間； 污染物測(cè)量基底，包括被構(gòu)造為收集污染物的基礎(chǔ)材料W及位于基礎(chǔ)材料上并限定基 礎(chǔ)材料的坐標(biāo)的激光標(biāo)記； 第一平臺(tái)，設(shè)置在室內(nèi)，污染物測(cè)量基底在室的污染物的收集期間被安置在第一平臺(tái) 上； 第二平臺(tái)，設(shè)置在室的外側(cè)，污染物測(cè)量基底在收集在污染物測(cè)量基底上的室的污染 物的測(cè)量期間被安置在第二平臺(tái)上；W及 污染物測(cè)量光源，設(shè)置在第二平臺(tái)的上部，并且被構(gòu)造為在收集在污染物測(cè)量基底上 的室的污染物的測(cè)量期間利用光照射安置在第二平臺(tái)上的污染物測(cè)量基底。
2. 如權(quán)利要求1所述的用于制造基底的設(shè)備，其中，激光標(biāo)記包括： 多條第一線，沿第一方向平行地設(shè)置；W及 多條第二線，沿與第一方向交叉的第二方向平行地設(shè)置。
3. 如權(quán)利要求1所述的用于制造基底的設(shè)備，其中，激光標(biāo)記包括沿第一方向和與第 一方向交叉的第二方向設(shè)置的多個(gè)同也圓組。
4. 如權(quán)利要求1所述的用于制造基底的設(shè)備，其中，室包括鋼，基礎(chǔ)材料包括具有比鋼 的負(fù)靜電極性值小的負(fù)靜電極性值的材料。
5. 如權(quán)利要求1所述的用于制造基底的設(shè)備，其中，基礎(chǔ)材料包括聚四氣己帰。
6. 如權(quán)利要求1所述的用于制造基底的設(shè)備，其中，污染物測(cè)量基底具有與室的顏色 匹配的顏色。
7. 如權(quán)利要求1所述的用于制造基底的設(shè)備，其中，污染物測(cè)量光源是紫外線光源。
8. 如權(quán)利要求1所述的用于制造基底的設(shè)備，所述用于制造基底的設(shè)備還包括： 成像裝置，設(shè)置在第二平臺(tái)的上部，并且被構(gòu)造為捕獲在第二平臺(tái)上安置的污染物測(cè) 量基底的圖像；W及 計(jì)數(shù)器，被構(gòu)造為從污染物測(cè)量基底的圖像對(duì)室的污染物進(jìn)行計(jì)算。
9. 一種制造基底的方法，所述制造基底的方法包括W下步驟： 準(zhǔn)備包括基礎(chǔ)材料和激光標(biāo)記的污染物測(cè)量基底，基礎(chǔ)材料被構(gòu)造為收集污染物，激 光標(biāo)記位于基礎(chǔ)材料上并且限定在污染物測(cè)量基底上的分別與基底的單位單元對(duì)應(yīng)的多 個(gè)單位區(qū)域； 將污染物測(cè)量基底安置在第一平臺(tái)上并收集室的污染物，第一平臺(tái)設(shè)置在室內(nèi)，室提 供在其中執(zhí)行工藝的空間； 將污染物測(cè)量基底安置在設(shè)置在室外側(cè)的第二平臺(tái)上，并且通過使用污染物測(cè)量光源 利用光照射污染物測(cè)量基底來(lái)測(cè)量針對(duì)所述多個(gè)單位區(qū)域收集的室的污染物；W及 將存在于所述多個(gè)單位區(qū)域中的各單位區(qū)域中的室的污染物的數(shù)量與參考值進(jìn)行比 較，并且確定存在于各單位區(qū)域中的室的污染物的數(shù)量是否超過參考值。
10. 如權(quán)利要求9所述的制造基底的方法，其中，室包括鋼，基礎(chǔ)材料包括具有比鋼的 負(fù)靜電極性值小的負(fù)靜電極性值的材料。
11. 如權(quán)利要求9所述的制造基底的方法，其中，污染物測(cè)量基底具有與室的顏色匹配 的顏色。
12. 如權(quán)利要求9所述的制造基底的方法，其中，測(cè)量室的污染物的步驟包括準(zhǔn)備紫外 線光源作為污染物測(cè)量光源。
13. 如權(quán)利要求9所述的制造基底的方法，其中，測(cè)量室的污染物的步驟包括： 使用設(shè)置在第二平臺(tái)的上部的成像裝置來(lái)捕獲污染物測(cè)量基底的圖像；W及 使用計(jì)數(shù)器從污染物測(cè)量基底的圖像計(jì)算室的污染物。
14. 如權(quán)利要求9所述的制造基底的方法，所述制造基底的方法還包括： 在比較和確定的步驟中，當(dāng)存在于各單位區(qū)域中的室的污染物的數(shù)量超過參考值時(shí)， 確定室的與各單位區(qū)域相鄰的部分， 當(dāng)存在于各單位區(qū)域中的室的污染物的數(shù)量小于參考值時(shí)，將基底送入室中W對(duì)基底 執(zhí)行工藝。
15. 如權(quán)利要求14所述的制造基底的方法，其中，基底是用于顯示裝置的基底。
16. -種污染物測(cè)量基底，所述污染物測(cè)量基底包括： 基礎(chǔ)材料，被構(gòu)造為收集污染物；W及 激光標(biāo)記，位于基礎(chǔ)材料上并限定基礎(chǔ)材料的坐標(biāo)。
17. 如權(quán)利要求16所述的污染物測(cè)量基底，其中，激光標(biāo)記包括： 多條第一線，沿第一方向平行地設(shè)置；W及 多條第二線，沿與第一方向交叉的第二方向平行地設(shè)置。
18. 如權(quán)利要求16所述的污染物測(cè)量基底，其中，激光標(biāo)記包括沿第一方向和與第一 方向交叉的第二方向設(shè)置的多個(gè)同也圓組。
19. 如權(quán)利要求16所述的污染物測(cè)量基底，其中，基礎(chǔ)材料包括具有比鋼的負(fù)靜電極 性值小的負(fù)靜電極性值的材料。
20. 如權(quán)利要求16所述的污染物測(cè)量基底，其中，基礎(chǔ)材料包括聚四氣己帰。
【文檔編號(hào)】G01N15/10GK104345023SQ201410120749
【公開日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2014年3月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月25日
【發(fā)明者】樸鐘秦 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司
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