一種二極管的光電測試方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種二極管的光電測試方法,屬于二極管領(lǐng)域。所述方法包括:確定二極管的晶圓測試間距;在待測二極管的晶圓劃裂前,按所述測試間距在待測二極管的晶圓上選取待測芯片;對(duì)選取的各個(gè)所述待測芯片分別進(jìn)行光電測試;所述對(duì)選取的各個(gè)所述待測芯片分別進(jìn)行光電測試,包括:將第一測試探針接入當(dāng)前的所述待測芯片的P電極;將第二測試探針接入第一芯片的N電極,所述第一芯片與所述待測芯片均處于所述待測二極管的晶圓上;向所述第一測試探針和所述第二測試探針通入額定電流或額定電壓;采用測量設(shè)備對(duì)所述待測芯片的光電參數(shù)進(jìn)行檢測。
【專利說明】一種二極管的光電測試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及二極管領(lǐng)域,特別涉及一種二極管的光電測試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著氮化鎵基化合物發(fā)光二極管(英文:Lighting Emitting D1de,簡稱:LED)在顯示及照明領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,最近幾年LED的需求數(shù)量呈現(xiàn)出幾何級(jí)數(shù)增加,這就對(duì)LED的生產(chǎn)效率和生產(chǎn)質(zhì)量提出了更高要求。
[0003]在LED等二極管的制造過程中,需要對(duì)二極管的晶圓進(jìn)行光電測試,測試時(shí),需要采用測試探針同時(shí)扎到晶圓上芯片的N、P電極上進(jìn)行完整的光電性能測試,測試每顆芯片時(shí)需要通多次電流。
[0004]在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中,發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題:
[0005]測試時(shí),由于芯片尺寸小,造成兩測試探針的距離過近,相近的測試探針在高電壓下極易出現(xiàn)短路,從而導(dǎo)致測試探針燒熔,增加生產(chǎn)成本;同時(shí),由于測試探針扎到芯片N、P電極上時(shí),測試探針會(huì)擋住芯片部分發(fā)光區(qū),從而影響測試的準(zhǔn)確性。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中測試探針在測試時(shí)易燒熔,增加生產(chǎn)成本,且測試探針會(huì)擋住芯片部分發(fā)光區(qū),影響測試的準(zhǔn)確性的問題,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種二極管的光電測試方法。所述技術(shù)方案如下:
[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種二極管的光電測試方法,適用于二極管的晶圓測試,所述二極管的晶圓包括多個(gè)芯片,所述方法包括:
[0008]確定二極管的晶圓測試間距;
[0009]在待測二極管的晶圓劃裂前,按所述測試間距在待測二極管的晶圓上選取待測芯片;
[0010]對(duì)選取的各個(gè)所述待測芯片分別進(jìn)行光電測試;
[0011]所述對(duì)選取的各個(gè)所述待測芯片分別進(jìn)行光電測試,包括:
[0012]將第一測試探針接入當(dāng)前的所述待測芯片的P電極;
[0013]將第二測試探針接入第一芯片的N電極,所述第一芯片與所述待測芯片均處于所述待測二極管的晶圓上;
[0014]向所述第一測試探針和所述第二測試探針通入額定電流或額定電壓;
[0015]采用測量設(shè)備對(duì)所述待測芯片的光電參數(shù)進(jìn)行檢測。
[0016]在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述待測芯片在待測二極管的晶圓上間隔或連續(xù)分布。
[0017]在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述第一芯片與所述待測芯片相鄰分布。
[0018]在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述第一芯片與所述待測芯片間隔分布。
[0019]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述第一芯片與所述待測芯片間隔一顆芯片。
[0020]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述待測二極管為發(fā)光二極管。
[0021]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述采用測量設(shè)備對(duì)所述待測芯片的光電參數(shù)進(jìn)行檢測,包括:
[0022]采用電學(xué)測量設(shè)備測量所述待測芯片的電學(xué)參數(shù);
[0023]采用光學(xué)測量設(shè)備測量所述待測芯片的光學(xué)參數(shù)。
[0024]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述電學(xué)參數(shù)包括:開啟電壓Vfin、工作電壓Vf、反向漏電流仁和反向擊穿電壓\。
[0025]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述光學(xué)參數(shù)包括:亮度Iv、主值波長Wd、峰值波長Wp、半波長Hw、CIE色度X坐標(biāo)CIE-X和CIE色度y坐標(biāo)CIE_y。
[0026]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0027]通過對(duì)待測芯片進(jìn)行測試時(shí),將第一測試探針接入待測芯片的P電極,將第二測試探針接入第一芯片的N電極,第一芯片與待測芯片均處于待測二極管的晶圓上,然后向兩個(gè)測試探針通入額定電流或額定電壓,采用測量設(shè)備對(duì)待測芯片的光電參數(shù)進(jìn)行檢測;由于一個(gè)晶圓上的多個(gè)芯片在未經(jīng)過劃裂分離前,其外延N層是相通的,只不過P層是分開的,因此即使將探針與其他芯片的N電極相連,也能夠正常測試待測芯片的光電參數(shù),將兩測試探針接在不同的芯片上,增加了兩測試探針的距離,避免了兩測試探針的距離過近時(shí),相近的測試探針在高電壓下極易出現(xiàn)短路,從而避免了測試探針燒熔的問題,節(jié)省了生產(chǎn)成本;另外,將兩測試探針接在不同的芯片上,減少了測試探針擋住芯片發(fā)光區(qū)的面積,提高了測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0028]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的二極管的晶圓的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0030]圖2是圖1提供的二極管的晶圓的A部分的局部放大圖;
[0031]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的二極管的光電測試方法的流程圖;
[0032]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的二極管的光電測試方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0034]為了便于實(shí)施例的描述,下面先簡單介紹一下二極管的晶圓,在本實(shí)施例中,晶圓是指在襯底上生長的外延片經(jīng)過芯片前段工藝加工后得到的晶片,其中芯片前段工藝是指光刻、薄膜、清洗三個(gè)工藝流程。也就是說,本實(shí)施例中的晶圓是指劃片裂片工藝之前的晶圓。
[0035]如圖1所示,晶圓10的外部為圓形,一個(gè)二極管的晶圓包括多個(gè)芯片。具體地,以晶圓10的其中一個(gè)部分A為例,如圖2所示,晶圓10上設(shè)有多個(gè)芯片20,每個(gè)芯片20包括P電極21和N電極22。
[0036]經(jīng)過芯片前段工藝后,每顆芯片20上的P電極21是獨(dú)立的,而每顆芯片20上的N電極22是連通的。
[0037]本發(fā)明提供的二極管的光電測試方法適用于所有尺寸芯片,尤其適用于小尺寸芯片的光電測試,如5.5mil芯片。
[0038]實(shí)施例
[0039]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種二極管的光電測試方法,適用于二極管的晶圓測試,參見圖2和圖3,該方法包括:
[0040]步驟101:確定二極管的晶圓測試間距。
[0041 ] 根據(jù)生產(chǎn)需要,確定二極管的晶圓測試間距。
[0042]大多數(shù)芯片廠商在進(jìn)行二極管測試時(shí),都是對(duì)二極管的晶圓上的芯片進(jìn)行抽樣測試,并不是每一顆都要測。只是不同芯片廠商所要求測試的芯片數(shù)量不同而已,即選取不同間距來進(jìn)行抽樣。
[0043]步驟102:在待測二極管的晶圓劃裂前,按該測試間距在待測二極管的晶圓上選取待測芯片。
[0044]其中,測試間距可以根據(jù)實(shí)際需要選取,例如,按該測試間距在待測二極管的晶圓上選取的待測芯片可以是連續(xù)地分布在待測二極管的晶圓上的,也可以是間隔地分布在待測二極管的晶圓上的。
[0045]步驟103:對(duì)選取的各個(gè)待測芯片分別進(jìn)行光電測試。
[0046]在本實(shí)施例中,步驟103可以采用下述方式實(shí)現(xiàn):
[0047]步驟1031:將第一測試探針接入當(dāng)前的待測芯片的P電極。
[0048]步驟1032:將第二測試探針接入第一芯片的N電極,第一芯片與待測芯片均處于待測二極管的晶圓上。
[0049]步驟1033:向第一測試探針和第二測試探針通入額定電流或額定電壓。
[0050]步驟1034:采用測量設(shè)備對(duì)待測芯片的光電參數(shù)進(jìn)行檢測。
[0051]在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中,第一芯片與待測芯片相鄰分布,此時(shí)第一測試探針與第二測試探針相距I顆芯片直徑的距離。
[0052]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中,第一芯片與待測芯片間隔分布,此時(shí)第一測試探針與第二測試探針間距離大于I顆芯片直徑。優(yōu)選地,第一芯片與待測芯片間隔一顆芯片,由于在進(jìn)行發(fā)光二極管等需要進(jìn)行光學(xué)測試的二極管測試方法時(shí),第一測試探針和第二測試探針需要同時(shí)處在光學(xué)測量設(shè)備上的顯微鏡視野內(nèi),從而保證第一測試探針和第二測試探針?biāo)B電極正確,保證測試的順利完成。而第一芯片與待測芯片間隔一顆芯片,可以保證對(duì)于不同型號(hào)的光學(xué)測量設(shè)備而言,第一測試探針和第二測試探針同時(shí)處在顯微鏡的視野內(nèi),且保證第一測試探針和第二測試探針間距離足夠大。
[0053]在本發(fā)明中,待測二極管可以是具有不同功能的二極管,例如發(fā)光二極管或者存儲(chǔ)芯片。
[0054]當(dāng)待測二極管為發(fā)光二極管時(shí),采用測量設(shè)備對(duì)待測芯片的光電參數(shù)進(jìn)行檢測,包括:
[0055]步驟一、采用電學(xué)測量設(shè)備測量待測芯片的電學(xué)參數(shù);
[0056]步驟二、采用光學(xué)測量設(shè)備測量待測芯片的光學(xué)參數(shù)。
[0057]其中,電學(xué)測量設(shè)備和光學(xué)測量設(shè)備可以是集成在一起的,比如FitTech惠特測試機(jī),維明測試機(jī)等。
[0058]在采用本發(fā)明的方案測量發(fā)光二極管時(shí),除了可以避免了兩測試探針的距離過近時(shí),相近的測試探針在高電壓下極易出現(xiàn)短路,從而導(dǎo)致測試探針燒熔的問題;還能在光學(xué)測試時(shí),由于只有一根探針在待測芯片上,使得只有一根探針會(huì)對(duì)待測芯片的發(fā)光區(qū)域進(jìn)行遮擋,避免由于兩根探針同時(shí)擋住發(fā)光二極管的發(fā)光區(qū)域,造成的光學(xué)性能測試不準(zhǔn)確,提高了光學(xué)性能測試的準(zhǔn)確性。
[0059]其中,電學(xué)參數(shù)包括:開啟電壓Vfin、工作電壓Vf、反向漏電流仁和反向擊穿電壓V-
[0060]光學(xué)參數(shù)包括:亮度Iv、主值波長Wd、峰值波長Wp、半波長HW、CIE色度X坐標(biāo)CIE-x和CIE色度y坐標(biāo)CIE-y。
[0061]當(dāng)待測二極管為其他功能的二極管時(shí),可能只需要進(jìn)行電學(xué)測試,而不需要進(jìn)行光學(xué)測試。
[0062]本實(shí)施例中提到的電學(xué)測量設(shè)備和光學(xué)測量設(shè)備都是在行業(yè)內(nèi)現(xiàn)有的測試設(shè)備。
[0063]本發(fā)明實(shí)施例通過對(duì)待測芯片進(jìn)行測試時(shí),將第一測試探針接入待測芯片的P電極,將第二測試探針接入第一芯片的N電極,第一芯片與待測芯片均處于待測二極管的晶圓上,然后向兩個(gè)測試探針通入額定電流或額定電壓,采用測量設(shè)備對(duì)待測芯片的光電參數(shù)進(jìn)行檢測;由于一個(gè)晶圓上的多個(gè)芯片在未經(jīng)過劃裂分離前,其外延N層是相通的,只不過P層是分開的,因此即使將探針與其他芯片的N電極相連,也能夠正常測試待測芯片的光電參數(shù),將兩測試探針接在不同的芯片上,增加了兩測試探針的距離,避免了兩測試探針的距離過近時(shí),相近的測試探針在高電壓下極易出現(xiàn)短路,從而避免了測試探針燒熔的問題,節(jié)省了生產(chǎn)成本;另外,將兩測試探針接在不同的芯片上,減少了測試探針擋住芯片發(fā)光區(qū)的面積,提高了測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。
[0064]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種二極管的光電測試方法,適用于二極管的晶圓測試,所述二極管的晶圓包括多個(gè)芯片,所述方法包括: 確定二極管的晶圓測試間距; 在待測二極管的晶圓劃裂前,按所述測試間距在待測二極管的晶圓上選取待測芯片; 對(duì)選取的各個(gè)所述待測芯片分別進(jìn)行光電測試; 其特征在于,所述對(duì)選取的各個(gè)所述待測芯片分別進(jìn)行光電測試,包括: 將第一測試探針接入當(dāng)前的所述待測芯片的P電極; 將第二測試探針接入第一芯片的N電極,所述第一芯片與所述待測芯片均處于所述待測二極管的晶圓上; 向所述第一測試探針和所述第二測試探針通入額定電流或額定電壓; 采用測量設(shè)備對(duì)所述待測芯片的光電參數(shù)進(jìn)行檢測。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述待測芯片在待測二極管的晶圓上間隔或連續(xù)分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一芯片與所述待測芯片相鄰分布。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一芯片與所述待測芯片間隔分布。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述第一芯片與所述待測芯片間隔一顆-H-* I I心/T O
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述待測二極管為發(fā)光二極管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述采用測量設(shè)備對(duì)所述待測芯片的光電參數(shù)進(jìn)行檢測,包括: 采用電學(xué)測量設(shè)備測量所述待測芯片的電學(xué)參數(shù); 采用光學(xué)測量設(shè)備測量所述待測芯片的光學(xué)參數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述電學(xué)參數(shù)包括:開啟電壓Vfin、工作電壓Vf、反向漏電流仁和反向擊穿電壓\。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述光學(xué)參數(shù)包括:亮度Iv、主值波長Wd、峰值波長Wp、半波長Hw、CIE色度X坐標(biāo)CIE-x和CIE色度y坐標(biāo)CIE_y。
【文檔編號(hào)】G01R31/26GK104360256SQ201410562417
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年10月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月21日
【發(fā)明者】陳建南, 周武 申請人:華燦光電(蘇州)有限公司