高靈敏度離子晶格電位分析儀的制作方法
【專利摘要】高靈敏度離子晶格電位分析儀，主要包括：樣品離子化裝置，離子電位轉(zhuǎn)化裝置，電勢(shì)傳導(dǎo)裝置，正離子電位分析裝置，負(fù)離子電位分析裝置，電位校正裝置，電位轉(zhuǎn)化裝置，信號(hào)放大裝置，信號(hào)穩(wěn)定傳導(dǎo)裝置，信號(hào)顯示記錄裝置；其中離子電位轉(zhuǎn)化裝置含有電位轉(zhuǎn)化膜，該電位轉(zhuǎn)化膜材料為三乙胺五芐基六鈀碳四溴锝的納米復(fù)合薄膜材料，正離子電位分析裝置含有正離子電位電極，該電位電極材料為六苯腈二羰基三哌啶五氯鋦的納米復(fù)合電極材料，負(fù)離子電位分析裝置含有負(fù)離子電位電極，該電位電極材料為三吡啶六吲哚五乙酮三磷鈰的納米復(fù)合電位電極材料。
【專利說明】高靈敏度離子晶格電位分析儀
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電位分析領(lǐng)域，尤其涉及高靈敏度離子晶格電位分析儀。
【背景技術(shù)】
[0002]離子電位分析技術(shù)，主要是通過實(shí)際離子晶體中形成原子的熱運(yùn)動(dòng)形成，原子的排列不可能那樣完整和規(guī)則，存在偏離了理想晶體結(jié)構(gòu)的區(qū)域，與完整周期性點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的偏離，破壞了晶體的對(duì)稱性，缺陷對(duì)晶體的物理性質(zhì)具有極其重要的影響，為面缺陷、線缺陷和點(diǎn)缺陷三種。其中晶粒間界、堆垛層錯(cuò)和孿晶間界屬面缺陷，晶粒間界多晶體中晶粒之間的交界面。堆垛層錯(cuò)晶體中原子面的堆垛順序出現(xiàn)反造成的缺陷，影響層錯(cuò)面附近晶體結(jié)構(gòu)，不影響其他區(qū)域的原子層堆垛順序，孿晶晶體中相毗鄰兩部分互為鏡像，線缺陷主位錯(cuò)的存在對(duì)晶體的力學(xué)性質(zhì)機(jī)翼各種物理性質(zhì)有影響。
[0003]但是由于離子晶格中的某些原子由于某種原因(如熱振動(dòng)的偶然偏差)脫離其晶格結(jié)點(diǎn)而轉(zhuǎn)移到晶格間隙時(shí)會(huì)造成點(diǎn)缺陷，使得離子電位分析技術(shù)的精確程度受到影響，因此，有必要改進(jìn)現(xiàn)有的離子電位分析技術(shù)，提高其分析精確度。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]為了克服現(xiàn)有裝置的不足之處，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
[0005]高靈敏度離子晶格電位分析儀，其特征在于，主要包括:
[0006]I—樣品離子化裝置，2—離子電位轉(zhuǎn)化裝置，3—電勢(shì)傳導(dǎo)裝置，4—正離子電位分析裝置，5—負(fù)離子電位分析裝置，6—電位校正裝置，7—電位轉(zhuǎn)化裝置，8—信號(hào)放大裝置，9一信號(hào)穩(wěn)定傳導(dǎo)裝置，10-信號(hào)顯示記錄裝置；
[0007]其中，
[0008]離子電位轉(zhuǎn)化裝置(2)含有電位轉(zhuǎn)化膜，該電位轉(zhuǎn)化膜材料為三乙胺五芐基六鈀碳四溴锝的納米復(fù)合薄膜材料，
[0009]正離子電位分析裝置(4)含有正離子電位電極，該電位電極材料為六苯腈二羰基三哌唳五氯鋦的納米復(fù)合電極材料，
[0010]負(fù)離子電位分析裝置(5)含有負(fù)離子電位電極，該電位電極材料為三吡啶六吲哚五乙酮三磷鈰的納米復(fù)合電位電極材料。
[0011]樣品離子化裝置(I)主要用于樣品的晶格破碎以及溶液離子轉(zhuǎn)化，實(shí)現(xiàn)樣品離子的溶液傳導(dǎo)與正負(fù)離子形成，離子電位轉(zhuǎn)化裝置(2)主要用于樣品離子的電勢(shì)差位生成以及離子電位轉(zhuǎn)化，電勢(shì)傳導(dǎo)裝置(3)主要用于提供電位傳導(dǎo)溶液介質(zhì)以及離子電勢(shì)的穩(wěn)定形成，正離子電位分析裝置(4)主要用于正離子電位分析以及正離子電勢(shì)的標(biāo)準(zhǔn)溶液體系校正，消除正離子電勢(shì)基線漂移以及電荷傳遞導(dǎo)致的空穴電位干擾，負(fù)離子電位分析裝置
(5)主要用于負(fù)離子電位分析以及負(fù)離子電勢(shì)的標(biāo)準(zhǔn)溶液體系校正，消除負(fù)離子電勢(shì)基線漂移以及離子擴(kuò)散引起的電位干擾，電位校正裝置(6)主要用于離子電位形成體系的穩(wěn)定校正，控制離子電荷傳遞速率以及晶格空穴形成規(guī)模，防止離子電勢(shì)不穩(wěn)定波動(dòng)；電位轉(zhuǎn)化裝置(7)主要用于離子電位的轉(zhuǎn)化，有利于提高離子電層結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定建立；信號(hào)放大裝置
(8)主要用于離子電位信號(hào)傳導(dǎo)放大以及高質(zhì)量輸送，信號(hào)穩(wěn)定傳導(dǎo)裝置(9)主要用于離子信號(hào)的電位穩(wěn)定變換以及離子膜電位穩(wěn)定，信號(hào)顯示記錄裝置(10)主要用于離子電位信號(hào)顯示以及分析結(jié)果記錄。
[0012]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有的有益效果是:
[0013](I)通過正離子電位分析裝置實(shí)現(xiàn)正離子電位分析以及正離子電勢(shì)的標(biāo)準(zhǔn)溶液體系校正，消除正離子電勢(shì)基線漂移以及電荷傳遞導(dǎo)致的空穴電位干擾；
[0014](2)采用負(fù)離子電位分析裝置用于負(fù)離子電位分析以及負(fù)離子電勢(shì)的標(biāo)準(zhǔn)溶液體系校正，消除負(fù)離子電勢(shì)基線漂移以及離子擴(kuò)散引起的電位干擾；
[0015](3)結(jié)合電位校正裝置進(jìn)行離子電位形成體系的穩(wěn)定校正，控制離子電荷傳遞速率以及晶格空穴形成規(guī)模，防止離子電勢(shì)不穩(wěn)定波動(dòng)。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]圖1是高靈敏度離子晶格電位分析儀的示意圖
[0017]如圖1所示，本發(fā)明所述的高靈敏度離子晶格電位分析儀，主要包括:
[0018]I—樣品離子化裝置，2—離子電位轉(zhuǎn)化裝置，3—電勢(shì)傳導(dǎo)裝置，
[0019]4—正離子電位分析裝置，5—負(fù)離子電位分析裝置，6—電位校正裝置，
[0020]7-電位轉(zhuǎn)化裝置，8—信號(hào)放大裝置，9一信號(hào)穩(wěn)定傳導(dǎo)裝置，
[0021]10—信號(hào)顯示記錄裝置；
[0022]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
【具體實(shí)施方式】
[0023]首先，通過樣品離子化裝置(I)進(jìn)行樣品的晶格破碎以及溶液離子轉(zhuǎn)化，實(shí)現(xiàn)樣品離子的溶液傳導(dǎo)與正負(fù)離子形成，結(jié)合離子電位轉(zhuǎn)化裝置(2)用于樣品離子的電勢(shì)差位生成以及離子電位轉(zhuǎn)化，借助于電勢(shì)傳導(dǎo)裝置(3)提供電位傳導(dǎo)溶液介質(zhì)以及離子電勢(shì)的穩(wěn)定形成，采用正離子電位分析裝置(4)用于正離子電位分析以及正離子電勢(shì)的標(biāo)準(zhǔn)溶液體系校正，消除正離子電勢(shì)基線漂移以及電荷傳遞導(dǎo)致的空穴電位干擾，通過負(fù)離子電位分析裝置(5)進(jìn)行負(fù)離子電位分析以及負(fù)離子電勢(shì)的標(biāo)準(zhǔn)溶液體系校正，消除負(fù)離子電勢(shì)基線漂移以及離子擴(kuò)散引起的電位干擾，結(jié)合電位校正裝置(6)實(shí)現(xiàn)離子電位形成體系的穩(wěn)定校正，控制離子電荷傳遞速率以及晶格空穴形成規(guī)模，防止離子電勢(shì)不穩(wěn)定波動(dòng)；采用電位轉(zhuǎn)化裝置(7)進(jìn)行離子電位的轉(zhuǎn)化，有利于提高離子電層結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定建立；借助于信號(hào)放大裝置(8)用于離子電位信號(hào)傳導(dǎo)放大以及高質(zhì)量輸送，通過信號(hào)穩(wěn)定傳導(dǎo)裝置(9)進(jìn)行離子信號(hào)的電位穩(wěn)定變換以及離子膜電位穩(wěn)定，最后，采用信號(hào)顯示記錄裝置(10)實(shí)現(xiàn)離子電位信號(hào)顯示以及分析結(jié)果記錄。
【權(quán)利要求】
1.高靈敏度離子晶格電位分析儀，其特征在于，主要包括: I—樣品離子化裝置，2—離子電位轉(zhuǎn)化裝置，3—電勢(shì)傳導(dǎo)裝置，4—正離子電位分析裝置，5—負(fù)離子電位分析裝置，6—電位校正裝置，7-電位轉(zhuǎn)化裝置，8—信號(hào)放大裝置，9一信號(hào)穩(wěn)定傳導(dǎo)裝置，10-信號(hào)顯示記錄裝置； 其中， 離子電位轉(zhuǎn)化裝置(2)含有電位轉(zhuǎn)化膜，該電位轉(zhuǎn)化膜材料為三乙胺五芐基六鈀碳四溴锝的納米復(fù)合薄膜材料， 正離子電位分析裝置(4)含有正離子電位電極，該電位電極材料為六苯腈二羰基三哌唳五氯鋦的納米復(fù)合電極材料， 負(fù)離子電位分析裝置(5)含有負(fù)離子電位電極，該電位電極材料為三吡啶六吲哚五乙酮三磷鈰的納米復(fù) 合電位電極材料。
【文檔編號(hào)】G01N27/60GK104020215SQ201410250118
【公開日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2014年6月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月8日
【發(fā)明者】?jī)?chǔ)冬紅, 彭飛, 郭睦庚, 其他發(fā)明人請(qǐng)求不公開姓名 申請(qǐng)人:成都中遠(yuǎn)千葉科技有限公司
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