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探針卡用導板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及探針卡用導板。提供了一種通過增大貫通孔的緣部處的機械強度，能夠應對貫通孔的微型化和節(jié)距減小的探針卡用導板。探針卡用導板（100）包括具有表面（110a、110b）和貫通孔（111）的硅基板（110）、貫通孔的緣部（113a、113b）以及形成在緣部上的曲面部（122a、122b）。貫通孔被構造為引導探針（200）并且包括內(nèi)壁面（112）。緣部由硅基板的表面和貫通孔的內(nèi)壁面構成。曲面部由二氧化硅膜形成。
【專利說明】探針卡用導板

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及用于引導探針的探針卡的導板。

【背景技術】
[0002] 當探針卡用于檢查半導體晶片上的半導體器件的工作時，必須將探針精確地引導 到半導體器件的電極。利用探針卡用導板來引導探針的尖端。日本特開第2003-215163A 號公報公開了一種探針卡用導板，該導板是熱膨脹系數(shù)與半導體晶片的熱膨脹系數(shù)相似的 陶瓷板。陶瓷板設置有用于引導探針的多個貫通孔。貫通孔引導探針使得精確地定位探針 的尖端，以與半導體器件的電極接觸。利用機械加工或激光加工來形成貫通孔。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 技術問題
[0004] 近年來，半導體器件的小型化導致的結果是必須減小半導體器件的電極尺寸并且 必須以更密的節(jié)距排布半導體器件的電極，這帶來對更薄的用于探針卡的探針的需求。為 了滿足該需求，還尋求具有以更密的節(jié)距的更小貫通孔的探針卡用導板。例如，需要這樣一 種探針卡用導板：該導板在大約50mmX 50mm的區(qū)域中具有成千上萬個90 μ mX 90 μ m矩形 貫通孔。
[0005] 然而，如上述傳統(tǒng)探針卡用導板，難以利用機械加工或激光加工在探針卡用導板 中以密的節(jié)距形成這種微小的貫通孔。
[0006] 在這種情況下，本發(fā)明的發(fā)明人考慮用易于加工的硅基板來代替陶瓷板。然而，與 陶瓷板相比，硅基板易碎，使得貫通孔的緣部可能由于探針接觸而被損壞。而且，硅基板不 是電絕緣的，這造成在與貫通孔內(nèi)壁接觸的探針之間不便的電連接。因此，發(fā)明人未能采用 硅基板作為導板。
[0007] 為了解決該問題，發(fā)明人分析了在硅基板的微小貫通孔的緣部處的損壞狀態(tài)，并 且已經(jīng)發(fā)現(xiàn)可以通過對邊緣進行局部加強來防止損壞。他們還通過在貫通孔內(nèi)壁的整個區(qū) 域上形成絕緣膜克服了上述電氣問題，并且完美地研制了利用硅基板的導板。已知在制造 半導體器件時利用氧化膜或氮化膜來保護硅層(參見日本特許第5073482B1號公報)。薄的 氧化膜作為保護膜以應對化學環(huán)境是有效的，但是不足以抵抗機械力的損壞。因此，該技術 尚未應用于導板。
[0008] 鑒于上述情況，做出了本發(fā)明。本發(fā)明的第一目的是提供通過增大貫通孔的緣部 處的機械強度能夠應對貫通孔的尺寸和節(jié)距減小的探針卡用導板。第二個目的是提供能夠 在探針之間提供電絕緣的探針卡用導板。
[0009] 解決問題的方案
[0010] 為了解決上述問題，本發(fā)明的探針卡用導板包括具有表面和貫通孔的硅基板、所 述貫通孔的緣部以及曲面部。該貫通孔被構造為引導探針并且包括內(nèi)壁面。該貫通孔的緣 部由所述硅基板的所述表面和所述貫通孔的所述內(nèi)壁面構成。所述曲面部形成在所述緣部 上并且由二氧化硅膜形成。
[0011] 在根據(jù)本發(fā)明的該方面的探針卡用導板中，通過光刻和蝕刻可以將多個微小貫通 孔以密的節(jié)距一次形成在硅基板中。而且，貫通孔的緣部上的二氧化硅膜的曲面部可以增 強貫通孔的緣部的機械強度。而且，當探針被引導到貫通孔中時，貫通孔的緣部上的曲面部 可以降低探針劃傷緣部的可能性。因此，本發(fā)明的該方面可以抑制探針可能被貫通孔的緣 部劃傷的問題和/或探針可能損壞貫通孔的緣部的問題。而且，僅通過對緣部進行熱氧化 由此增大緣部的體積，可以容易地在硅基板的貫通孔的緣部上形成曲面部。
[0012] 所述貫通孔可以包括大致矩形的貫通孔主體和四個溝槽。所述貫通孔主體可以包 括四個壁和四個角部。所述四個壁的相鄰壁可以在所述角部處相接。所述四個溝槽可以分 別形成在所述角部中。所述貫通孔的所述內(nèi)壁面可以包括所述貫通孔主體的所述壁，并且 所述壁可以被構造為引導具有矩形截面的探針。
[0013] 在根據(jù)本發(fā)明的該方面的探針卡用導板中，當通常為矩形的貫通孔主體的壁引導 具有矩形截面的探針時，溝槽的存在可以防止探針的角部與貫通孔的內(nèi)壁面碰撞。因此，本 發(fā)明的該方面可以抑制因探針的角部與貫通孔的內(nèi)壁面碰撞引起的、磨耗探針的角部和/ 或貫通孔的內(nèi)壁面的可能性。
[0014] 所述緣部上的所述二氧化硅膜可以具有5μπι以上的厚度。在根據(jù)本發(fā)明的該方 面的探針卡用導板中，可以有效抑制探針可能被曲面部劃傷和/或探針可能損壞曲面部和 /或磨損內(nèi)壁和/或曲面部的問題。
[0015] 內(nèi)壁部可以形成在所述貫通孔的所述內(nèi)壁面上。所述內(nèi)壁部可以由二氧化硅膜形 成。
[0016] 根據(jù)本發(fā)明的該方面的探針卡用導板可以被制造為使得形成有貫通孔的導板僅 放置在氧氣氛中的高溫環(huán)境中，對貫通孔的緣部和內(nèi)壁面進行熱氧化，以形成二氧化硅膜。 二氧化硅膜的曲面部和內(nèi)壁部提供完美的電絕緣，使得接觸曲面部和/或內(nèi)壁部的探針將 不會經(jīng)由導板電連接到其他探針。由此，本發(fā)明的該方面便于制造具有充當機械和電氣保 護層的二氧化硅膜的探針卡用導板。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017] 圖1Α是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的探針卡用導板的示意性平面圖；
[0018] 圖1Β是圖1Α中導板的α區(qū)域的放大立體圖；
[0019] 圖2Α是沿圖1Α中的2Α-2Α截取的導板的截面圖；
[0020] 圖2Β是沿圖1Α中的2Β-2Β截取的導板的放大截面圖；
[0021] 圖2C是沿圖1Α中的2C-2C截取的導板的放大截面圖；
[0022] 圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的探針卡的示意性截面圖；
[0023] 圖4Α是示出探針卡用導板與探針卡的探針的位置關系的說明圖；以及
[0024] 圖4Β是示出根據(jù)比較例的探針卡用導板與探針的位置關系的說明圖。
[0025] 附圖標記列表
[0026] 1〇〇:探針卡用導板
[0027] 110:硅基板
[0028] 110a :主面(硅基板的表面）
[0029] 110b :背面(娃基板的表面）
[0030] 111 :貫通孔
[0031] 111a:貫通孔主體
[0032] 111b :溝槽
[0033] 112:內(nèi)壁面
[0034] 113a:緣部
[0035] 113b:緣部
[0036] 120 :二氧化硅膜
[0037] 121:內(nèi)壁部
[0038] 122a:曲面部
[0039] 122b:曲面部
[0040] 123 :主面部
[0041] 124 :背面部
[0042] 125 :外周部
[0043] 200 :探針
[0044] 210 :第一端部
[0045] 220 :第二端部
[0046] 230 :彈性變形部
[0047] 300 :間隔體
[0048] 400 :布線基板
[0049] 500:中間基板
[0050] 600 :彈簧探針
[0051] 700 :主基板
[0052] 800 :加強板

【具體實施方式】
[0053] 下文中，將參照圖1A至圖2C來描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的探針卡用導板100。 如圖1A和圖2A中所示的探針卡用導板100包括硅基板110和二氧化硅膜120。將詳細描 述探針卡用導板100的這些構成部件。
[0054] 硅基板110是單晶硅板、多晶硅板或非晶硅板。如圖1A至圖2C所示，硅基板110 包括主面ll〇a (圖2A中的上面，權利要求中硅基板的"表面")、背面110b (圖2A中的下面， 權利要求中硅基板的"表面")、外周面、多個貫通孔111、貫通孔111的內(nèi)壁面112以及貫通 孔111的緣部113a和113b。
[0055] 貫通孔111沿硅基板110的厚度方向貫穿硅基板110,并且它們位于與半導體晶 片或半導體器件的多個電極的位置對應的位置處。貫通孔111各包括貫通孔主體111a和 四個溝槽111b。貫通孔主體111a是沿厚度方向貫穿硅基板110的大致矩形孔。溝槽111b 是沿貫通孔主體111a的四個角部分別延伸的弧形孔(貫通孔主體111a的四個壁在角部處 相接)。溝槽111b與貫通孔主體111a連通并且貫穿硅基板110的厚度延伸。
[0056] 內(nèi)壁面112各包括貫通孔主體111a的四個壁和四個溝槽111b的壁。如圖1B至 圖2B所示，緣部113a是由硅基板110的主面110a和貫通孔111的內(nèi)壁面112形成的環(huán)狀 的角部。如圖2A和圖2C所示，緣部113b是由硅基板110的背面110b和貫通孔111的內(nèi) 壁面112形成的環(huán)狀的角部。
[0057] 如圖1A至圖2C所示，二氧化硅膜120是通過對主面110a、背面110b、外周面以及 貫通孔111的內(nèi)壁面112和緣部113a和113b進行熱氧化形成在硅基板110的主面110a、 背面110b、外周面以及貫通孔111的內(nèi)壁面112和緣部113a和113b上的絕緣層。二氧化 硅膜120的厚度尺寸D優(yōu)選地在大約3 μ m與大約10 μ m之間，并且更優(yōu)選地是大約5 μ m 以上。這是因為厚度尺寸D為大約5 μ m以上的二氧化硅膜120耐得住探針200數(shù)十萬至 兩百萬次的滑動移動(后面描述)。不期望提供厚度尺寸D為10 μ m以上的二氧化硅膜120 (因為該構造需要更長加工時間來形成二氧化硅膜120)。然而，本發(fā)明考慮到二氧化硅膜 120的厚度是10 μ m以上的可能性。
[0058] 二氧化硅膜120包括內(nèi)壁部121、曲面部122a和122b、主面部123、背面部124和 外周部125。內(nèi)壁部121設置在貫通孔111的各個內(nèi)壁面112上面和上方。曲面部122a 設置在貫通孔111的緣部113a上面和上方，曲面部122b設置在貫通孔111的緣部113b上 面和上方。曲面部122a和122b與內(nèi)壁部121連續(xù)。曲面部122a和122b的存在使貫通孔 111的緣部113a和113b變圓成為弧形。主面部123設置在硅基板110的主面110a上面和 上方。主面部123與曲面部122a連續(xù)。背面部124設置在硅基板110的背面110b上面和 上方。背面部124與曲面部122b連續(xù)。外周部125設置在硅基板110的外周面上面和上 方。外周部125與主面部123和背面部124連續(xù)。應當注意的是，可以在硅基板110的貫 通孔111之間的區(qū)域上全部設置二氧化硅膜。例如，在以15μ m的節(jié)距設置硅基板110的 貫通孔111的情況下，如果二氧化硅膜120的厚度尺寸D是7. 5 μ m以上，則二氧化硅膜將 形成在硅基板110的貫通孔111之間的整個區(qū)域中。
[0059] 可以按照以下方式制造如上構造的探針卡用導板100。首先，制備娃基板。接著， 在硅基板的主面或背面上涂敷抗蝕劑。然后，通過掩模對抗蝕劑進行曝光和顯影，使得在抗 蝕劑中與貫通孔111對應的位置處形成多個開口。然后，在RIE裝置中，使基板經(jīng)受利用波 希工藝（Bosch process)的干蝕刻，以在娃基板中形成貫通孔111。由此，娃基板變?yōu)橥藁?板110。然后，從硅基板110去除抗蝕劑。
[0060] 接著，借助濕氧化法將硅基板110在1000° C加熱40個小時（2400分鐘)，以對 硅基板110的外面(主面ll〇a、背面110b和外周面)、貫通孔111的內(nèi)壁面112以及貫通孔 111的緣部113a和113b進行熱氧化。這造成硅基板110的主面110a、背面110b和外周面 以及貫通孔111的內(nèi)壁面112和緣部113a和113b的體積增大。因此，二氧化硅膜120(主 面部123、背面部124、外周部125、內(nèi)壁部121和曲面部122a和122b)形成在硅基板110的 主面110a、背面110b、外周面以及貫通孔111的內(nèi)壁112和緣部113a和113b上面和上方。 應當注意的是，另選地，可以采用干氧化法在硅基板110上形成二氧化硅膜120。
[0061] 現(xiàn)在參照圖3和圖4A來描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的探針卡。圖3所示的探針 卡包括兩個如上所述的探針卡用導板100、多個探針200、間隔體300、布線基板400、中間基 板500、多個彈簧探針600、主基板700和加強板800。下面將詳細描述探針卡的這些構成部 件。為了方便說明并且區(qū)分兩個導板1〇〇,位于探針200的尖側(cè)上的導板100將稱作探針尖 側(cè)導板100,位于探針200的基側(cè)上的探針卡用導板100將稱作探針基側(cè)導板100。
[0062] 主基板700是印制電路板。主基板700包括第一面和在第一面的背側(cè)的第二面。 多個電極710設置在主基板700的第一面上，多個外部電極720設置在主基板700的第二 面的相對的端部附近。電極710經(jīng)由可以設置在主基板700的第一面上、第二面上和/或 內(nèi)部的多條導線(未示出）連接到外部電極720。
[0063] 加強板800是比主基板700更硬的板狀部件(例如，不銹鋼或類似材料的板)。加 強板800被螺接到主基板700的第二面。加強板800用于抑制主基板700的翹曲。
[0064] 中間基板500固定到主基板700的第一面，并且設置在主基板700與布線基板400 之間。多個貫通孔510沿中間基板500厚度方向在與主基板700的電極710的位置對應的 位置處穿過中間基板500。
[0065] 布線基板400是空間變換器（ST)基板。布線基板400由固定螺絲(未示出）被固 定到主基板700和加強板800,以在中間基板500的圖3所示的下側(cè)且與主基板700平行地 延伸。布線基板400包括第一面和在第一面的背側(cè)的第二面。多個電極410設置在布線基 板400的第一面上、與探針尖側(cè)導板100和探針基側(cè)導板100的貫通孔111的位置對應的 位置處。而且，多個電極420設置在布線基板400的第二面上分開的位置處。更具體地，電 極420與主基板700的電極710在同一垂直線上。電極420經(jīng)由可以設置在布線基板400 的第一面上、第二面上和/或內(nèi)部的導線(未示出）連接到電極410。
[0066] 彈簧探針600容納在中間基板500的各個貫通孔510中，以介于主基板700的電 極710與布線基板400的電極420之間。由此，彈簧探針600電連接在電極710與電極420 之間。
[0067] 探針尖側(cè)基側(cè)導板100和探針基側(cè)導板100彼此的區(qū)別在于探針基側(cè)導板100的 外形尺寸比探針尖側(cè)導板100的外形尺寸小。用螺栓和螺母將探針尖側(cè)導板100與布線基 板400平行且與布線基板400分開地固定到布線基板400。間隔體300介于探針尖側(cè)導板 100的端部與布線基板400之間。用螺栓和螺母將探針基側(cè)導板100與布線基板400平行 且與布線基板400分開地固定到布線基板400。探針基側(cè)導板100位于布線基板400與探 針尖側(cè)導板100之間。探針尖側(cè)導板100的貫通孔111設置在穿過探針基側(cè)導板100的貫 通孔111的垂直線上。
[0068] 如圖4A所示，探針200各是具有與其長度垂直的矩形截面的針。如圖3所示，各 個探針200包括第一端部210和第二端部220以及彈性變形部230。第一端部210是探針 200的長度方向的端部并且穿過探針基側(cè)導板100的貫通孔111中的一個。第一端部210 可以在貫通孔111的內(nèi)壁部121和/或曲面部122a和122b上滑動。內(nèi)壁部121和曲面部 122a和122b在第一端部210與探針基側(cè)導板100的硅基板110之間提供電絕緣。第一端部 210與布線基板400的電極410中的一個對應電極接觸并且被焊接到所述一個對應電極。 第二端部220是探針200的長度方向的另一端部（S卩，第一端部210對側(cè)的端部)，并且穿過 探針尖側(cè)導板100的貫通孔111中的一個。第二端部220可在貫通孔111的內(nèi)壁部121和 曲面部122a和122b上滑動。內(nèi)壁部121和曲面部122a和122b在第二端部220與探針尖 側(cè)導板100的硅基板110之間提供電絕緣。第二端部220可與半導體晶片或半導體器件的 電極接觸。簡言之，探針基側(cè)導板100和探針尖側(cè)導板100的貫通孔111以接觸半導體晶 片或半導體器件的相關電極的方式引導探針200。各個探針200的彈性變形部230設置在 第一端部210和第二端部220之間并且彎曲成大致C形。
[0069] 如上所述的探針卡被附接到測試儀的探測器，以測量半導體晶片或半導體器件的 各種電氣特性。具體地，探測器將探針卡與半導體晶片或半導體器件設置為面對面關系，然 后使探針卡與半導體晶片或半導體器件彼此相對靠近。使探針卡的探針200的第二端部 220與半導體晶片或半導體器件的電極接觸并且擠壓半導體晶片或半導體器件的電極(即， 對第二端部220施加載荷)。然后，載荷使探針200的彈性變形部230彈性變形并彎曲，使探 針200整體彎曲。由此，探針200的第一端部210和第二端部220變得傾斜并且在探針基 側(cè)導板100和探針尖側(cè)導板100的二氧化硅膜120的相關的內(nèi)壁部121和/或曲面部122a 和122b上滑動(參見圖4)。在探針200的第二端部220與半導體晶片或半導體器件的電極 接觸期間，測試儀測量半導體晶片或半導體器件的各種電氣特性。
[0070] 如上所述的探針卡具有至少以下技術特征。首先，多個微小的貫通孔111可以通 過光刻和蝕刻以密的節(jié)距一次形成在探針卡用導板100的硅基板110中。所使用的蝕刻法 是利用波希工藝的干蝕刻，這使得可以高精度且高孔徑比地形成貫通孔111。
[0071] 第二，二氧化硅膜120設置在貫通孔111的內(nèi)壁面和貫通孔111的緣部113a和 113b上，這增強了內(nèi)壁面112和緣部113a和113b的機械強度。二氧化硅膜120的曲面部 122a和122b設置在貫通孔111的緣部113a和113b上，這降低了探針200滑動時可能劃傷 緣部113a的可能性。因此，即使在插入通過貫通孔111的探針200在貫通孔111的二氧化 硅膜120的內(nèi)壁面121和/或曲面部122a和122b上滑動以接觸半導體器件或半導體晶片 的電極時，具有二氧化硅膜120的貫通孔111的上述構造可以抑制以下問題：探針200可能 被曲面部122a和122b劃傷，探針200可能損壞曲面部122a和122b，以及內(nèi)壁部121和/ 或曲面部122a和122b可能由于磨耗而消失。具體地，通過將內(nèi)壁部121和曲面部122a和 122b的厚度尺寸D設置為大約5 μ m，可以有效抑制這些問題。
[0072] 圖4B例示比較例的探針卡，其中，通過光刻或蝕刻在硅基板中制作矩形貫通孔 10。使各個貫通孔10的角部（四個壁相接的部分）彎曲（為圓角）。當具有矩形截面的探針 20在貫通孔10中滑動時，探針20的角部在貫通孔10的彎曲的角部上滑動，貫通孔10的彎 曲的角部容易碎裂或者由于磨耗而消失。這與探針卡用導板100形成對比，其中，如圖4A 所示，各個貫通孔111具有沿著貫通孔主體111a的角部（四個壁相接的部分)的溝槽111b。 因此，當具有矩形截面的各個探針200 (第一端部210和第二端部220)以與貫通孔111的 貫通孔主體111a的壁處于面對面關系而被引導(滑動）時，溝槽111b的存在可以防止探針 200的角部與貫通孔111的內(nèi)壁部121碰撞。該構造還可以抑制貫通孔111的內(nèi)壁部121 的碎裂或由于磨耗而或消失。
[0073] 進一步有益地，通過對硅基板110進行熱氧化，容易制作二氧化硅膜120。具體地， 僅通過對貫通孔111的緣部113a和113b進行熱氧化，緣部113a和113b的體積增大，以形 成二氧化硅膜120的曲面部122a和122b，S卩，容易制作曲面部122a和122b。
[0074] 如本領域技術人員知道的，當探針200的第二端部220接觸半導體器件或半導體 晶片的電極時，高頻電流流過探針200,這產(chǎn)生焦耳熱。然而，探針200的第一端部210和第 二端部220在產(chǎn)生焦耳熱期間接觸硅基板110,這允許通過硅基板110對焦耳熱進行散熱。 因此，可以降低微小探針200因焦耳熱引起的熔體破壞和脆性破壞的可能性。
[0075] 應當注意的是，上述探針卡用導板和探針卡不限于上述實施方式，而是可以在權 利要求的范圍內(nèi)以任意方式來變型。下面將詳細描述具體變型例。
[0076] 在上述實施方式中，硅基板110的貫通孔111各包括貫通孔主體111a和溝槽 111b。然而，本發(fā)明的貫通孔可以是沿硅基板厚度方向貫穿硅基板并且容納（引導）探針通 過的任意貫通孔。例如，硅基板的貫通孔可以是多邊形或圓形的。如上述實施方式中，可以 利用波希工藝對硅基板進行干蝕刻來制作貫通孔，但是也可以利用其他任意蝕刻法在硅基 板中制作貫通孔。
[0077] 上述實施方式的二氧化硅膜120包括內(nèi)壁部121、曲面部122a和122b、主面部 123、背面部124和外周部125。然而，本發(fā)明的二氧化硅膜可以是包括在由硅基板的表面和 貫通孔的內(nèi)壁面構成的緣部上的一個或多個曲面部的任意構造。例如，二氧化硅膜可以包 括硅基板的貫通孔的內(nèi)壁面上的內(nèi)壁面部，和由硅基板的表面和貫通孔的內(nèi)壁面構成的緣 部上的曲面部。二氧化硅膜120可以具有內(nèi)壁部121和曲面部122a。二氧化硅膜120可以 具有內(nèi)壁部121和曲面部122b。二氧化硅膜120可以具有內(nèi)壁部121、曲面部122a和主面 部123。二氧化硅膜120可以具有內(nèi)壁部121、曲面部122b和背面部124。二氧化硅膜120 可以具有內(nèi)壁部121、曲面部122a和122b、主面部123和背面部124。通過在熱氧化時掩蓋 基板或通過其他手段，硅基板可以具有無二氧化硅膜的區(qū)域。
[0078] 上述實施方式的探針200各包括第一端部210和第二端部220以及彈性變形部 230。本發(fā)明的一個或多個探針可以具有適于穿過上述實施方式或變型例的探針卡用導板 的貫通孔的任意構造。例如，探針可以是一個或多個直針或懸臂式針。也在這種情況下，探 針的長度方向的第一和第二端部中的至少一個可以被插入到上述實施方式或變型例的探 針卡用導板的貫通孔中。
[0079] 上述實施方式的探針200可在探針卡用導板100的貫通孔111的內(nèi)壁部121和/ 或曲面部122a和122b上滑動。然而，本發(fā)明的探針可以初始地與探針卡用導板的貫通孔 的內(nèi)壁部接觸。
[0080] 探針200可以形成為沒有彈性變形部230。上述實施方式的探針200的彈性變形 部230是大致C形。然而，本發(fā)明的探針的彈性變形部可以是當載荷施加于探針的第二端 部時允許彈性變形，以使探針接觸上述實施方式或變型例的探針卡用導板的貫通孔的內(nèi)壁 部和/或曲面部的任意形狀。例如，彈性變形部可以大致是回飛棒形狀或傾斜形狀。
[0081] 探針卡可以不設置中間基板500、彈簧探針600、主基板700和/或加強板800。而 且，布線基板可以連接到或不連接到另一個基板(諸如主基板)。布線基板本身可以用作主 基板。布線基板可以用彈簧探針600或用任意類型的探針、FPC、線纜或任意其他已知的連 接方式電連接到另一個基板。
[〇〇82] 應當理解，上面僅以示例的方式描述了實施方式和變型例。探針卡用導板和探針 卡的構成部件的材料、形狀、維數(shù)、數(shù)量、排布和其他構造如果可以執(zhí)行類似功能，則可以以 任意方式變形。本發(fā)明的探針卡應當包括至少一個導板。
【權利要求】
1. 一種探針卡用導板，該探針卡用導板包括： 具有表面和貫通孔的硅基板，所述貫通孔被構造為引導探針并且包括內(nèi)壁面； 所述貫通孔的緣部，所述緣部由所述硅基板的所述表面和所述貫通孔的所述內(nèi)壁面構 成；以及 曲面部，該曲面部形成在所述緣部上，所述曲面部由二氧化硅膜形成。
2. 根據(jù)權利要求1所述的探針卡用導板，其中，所述貫通孔包括： 矩形的貫通孔主體，所述貫通孔主體包括： 四個壁，和 四個角部，所述四個壁中的相鄰壁在該角部處相接，以及 四個溝槽，該四個溝槽分別形成在所述角部中，并且 其中，所述貫通孔的所述內(nèi)壁面包括所述貫通孔主體的所述壁，所述壁被構造為引導 具有矩形截面的探針。
3. 根據(jù)權利要求1或權利要求2所述的探針卡用導板，其中，所述緣部上的所述二氧化 硅膜具有5μπι以上的厚度。
4. 根據(jù)權利要求1至權利要求3中任意一項所述的探針卡用導板，該探針卡用導板還 包括： 內(nèi)壁部，該內(nèi)壁部形成在所述貫通孔的所述內(nèi)壁面上，所述內(nèi)壁部由二氧化硅膜形成。
【文檔編號】G01R1/067GK104062476SQ201410099102
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2014年3月17日 優(yōu)先權日:2013年3月18日
【發(fā)明者】木村哲平, 白石晶紀, 藤原洸輔 申請人:日本電子材料株式會社, 新光電氣工業(yè)株式會社