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形狀測量設(shè)備的制作方法
【專利摘要】一種形狀測量設(shè)備，包括：照射部，用于利用線狀的線激光來照射工件，所述照射部包括：光源，用于生成激光；第一光學(xué)構(gòu)件，用于使來自所述光源的激光線狀地散開，并且生成所述線激光；以及第二光學(xué)構(gòu)件，其設(shè)置在所述光源和所述第一光學(xué)構(gòu)件之間，用于調(diào)整所述工件上的線激光的照射面積；第一傳感器，用于接收所述工件所反射的線激光，并且拍攝所述工件的圖像；透鏡，用于在所述第一傳感器的攝像面上形成所述工件所反射的線激光的圖像；以及控制部，用于通過所述第二光學(xué)構(gòu)件來對所述工件上的線激光的照射面積的調(diào)整進行控制。
【專利說明】形狀測量設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于通過利用光照射待測物、并且對待測物進行攝像來測量該待測物的形狀的形狀測量設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)上，已知這樣一種形狀測量設(shè)備:該形狀測量設(shè)備用于通過利用探測器掃描工件的表面、并且獲取工件各部分的位置坐標(biāo)等來測量工件的表面形狀。
[0003]如日本特表2009-534969所述，已知的這類形狀測量設(shè)備是用于在無需使探測器與工件表面接觸的情況下來進行測量的非接觸式設(shè)備。
[0004]在日本特表2009-534969所述的非接觸式表面形狀測量設(shè)備中，通過掃描探測器利用線狀的線激光來照射工件表面、并且相對于線激光的照射方向成預(yù)定角度對該表面進行攝像，來測量工件的表面形狀。根據(jù)這類非接觸式表面形狀測量設(shè)備，無需擔(dān)心工件表面的損壞，而且也無需要考慮由于探測器的磨損所導(dǎo)致的對于測量精度的影響。
[0005]另外，日本特開2012-225700所述的設(shè)備使用沙姆定律(ScheimpflugPrinciple)來對工件進行攝像。通過使用該原理，攝像元件上的利用線激光照射的面積根據(jù)光源和工件之間的距離而改變，另一方面可以在寬范圍實現(xiàn)聚焦。因此，形狀測量設(shè)備的測量精度降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的是提供一種能夠進行高精度測量的形狀測量設(shè)備。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的形狀測量設(shè)備具有照射部、第一傳感器和透鏡。所述照射部用于利用線狀的線激光來照射工件。所述第一傳感器用于接收所述工件所反射的線激光，并且拍攝所述工件的圖像。所述透鏡用于在所述第一傳感器的攝像面上形成所述工件所反射的線激光的圖像。從所述攝像面延長的第一面、從所述透鏡的主平面延長的第二面、以及從線激光的照射面延長的第三面相交在一個點處。所述照射部具有光源、第一光學(xué)構(gòu)件和第二光學(xué)構(gòu)件。所述光源用于生成激光。所述第一光學(xué)構(gòu)件用于使來自所述光源的激光線狀地散開，并且生成線激光。所述第二光學(xué)構(gòu)件設(shè)置在所述光源和所述第一光學(xué)構(gòu)件之間，并且被構(gòu)成為能夠調(diào)整所述工件上的線激光的照射面積。所述形狀測量設(shè)備還包括控制部，所述控制部用于控制通過所述第二光學(xué)構(gòu)件對所述工件上的線激光的照射面積的調(diào)整。
[0008]根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種能夠進行高精度測量的形狀測量設(shè)備。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]通過以下給出的詳細說明和附圖，將更充分理解本發(fā)明，其中，附圖僅是示例性的，因此不限制本發(fā)明:
[0010]圖1是構(gòu)成根據(jù)第一實施例的形狀測量設(shè)備的系統(tǒng)的整體框圖。
[0011]圖2是示出根據(jù)第一實施例的光學(xué)探測器17的結(jié)構(gòu)的圖。[0012]圖3A和3B是示出使用光學(xué)探測器17所應(yīng)用的線激光的示意圖。
[0013]圖4是示出根據(jù)第一實施例的激光生成部172的結(jié)構(gòu)和光學(xué)探測器17的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0014]圖5是根據(jù)第一實施例的CMOS傳感器1732的模式圖。
[0015]圖6是表示光學(xué)探測器17的控制系統(tǒng)的框圖。
[0016]圖7是示出根據(jù)第一實施例的形狀測量設(shè)備的操作的流程圖。
[0017]圖8是示出根據(jù)第一實施例的利用可調(diào)透鏡1722的控制的示意圖。
[0018]圖9是示出根據(jù)第二實施例的激光生成部172的結(jié)構(gòu)和光學(xué)探測器17的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0019]圖10是示出根據(jù)第二實施例的形狀測量設(shè)備的操作的流程圖。
[0020]圖11是示出根據(jù)第二實施例的利用電動光圈1725的控制的示意圖。
[0021]圖12是示出根據(jù)第三實施例的激光生成部172的結(jié)構(gòu)和光學(xué)探測器17的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0022]圖13是示出根據(jù)第三實施例的形狀測量設(shè)備的操作的流程圖。
[0023]圖14是示出根據(jù)第三實施例的利用可變狹縫1726的控制的示意圖。
[0024]圖15是示出根據(jù)第四實施例的激光生成部172的結(jié)構(gòu)和光學(xué)探測器17的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0025]圖16是示出根據(jù)第四實施例的形狀測量設(shè)備的操作的流程圖。
[0026]圖17是示出根據(jù)另一實施例的激光生成部172的示意圖。
【具體實施方式】
[0027]第一實施例
[0028]參考附圖詳細說明根據(jù)本發(fā)明第一實施例的形狀測量設(shè)備。圖1是構(gòu)成根據(jù)第一實施例的形狀測量設(shè)備的系統(tǒng)的整體框圖。如圖1所示，通過安裝根據(jù)本實施例的光學(xué)探測器17作為坐標(biāo)測量機I的測量探測器，來構(gòu)成該形狀測量設(shè)備。該形狀測量設(shè)備包括運動控制器2、操作板3和主機系統(tǒng)4。運動控制器2驅(qū)動和控制坐標(biāo)測量機1，并且還從該坐標(biāo)測量機I獲取必要的測量坐標(biāo)值。操作板3通過該運動控制器2手動操作該坐標(biāo)測量機
I。主機系統(tǒng)4編輯和執(zhí)行用于指示運動控制器2中的測量過程的部分程序。另外，主機系統(tǒng)4具有用于進行用以使幾何形狀與通過運動控制器2所獲取的測量坐標(biāo)值進行擬合的計算、或者記錄或發(fā)送該部分程序的功能。
[0029]按照如下構(gòu)成坐標(biāo)測量機I。也就是說，將面板11置于防振臺10上，從而使得面板11的上表面與作為基面的水平面一致，并且將X軸導(dǎo)軌13支撐在從該面板11的兩側(cè)端豎立的臂支撐體12a、12b的上端。通過Y軸驅(qū)動機構(gòu)14在Y軸方向上驅(qū)動臂支撐體12a的下端，并且將臂支撐體12b的下端以可通過空氣軸承在Y軸方向上能夠移動的方式支撐在面板11上。X軸導(dǎo)軌13驅(qū)動在X軸方向上垂直延伸的Z軸導(dǎo)軌15。Z軸導(dǎo)軌15設(shè)置有沿Z軸導(dǎo)軌15進行驅(qū)動的Z軸臂16，并且將非接觸式光學(xué)探測器17安裝至Z軸臂16的下端。另外，光學(xué)探測器17可以在水平面或垂直面上轉(zhuǎn)動。
[0030]圖2示出根據(jù)本實施例的光學(xué)探測器17的結(jié)構(gòu)。如圖2所示，光學(xué)探測器17具有機架171、配置在機架171內(nèi)的激光生成部172、用于對工件進行拍攝的攝像裝置173、以及用于調(diào)整激光生成部172的控制電路174。另外，下面說明激光生成部172的詳細結(jié)構(gòu)和對該結(jié)構(gòu)的控制。
[0031]激光生成部172利用在與激光生成部172的光軸(掃描方向的中央部的光軸)和攝像裝置173的光軸所形成的平面垂直的方向上延伸的線狀的線激光照射工件5，并且直線狀地照射工件5的表面。
[0032]攝像裝置173具有帶通濾波器1731a、透鏡1731b和用于通過帶通濾波器和透鏡來拍攝工件5的圖像的CMOS傳感器1732。將攝像裝置173配置在用于從與利用來自光源的光照射工件5的方向成預(yù)定角度的方向上接收光的方向上。也就是說，通過攝像裝置173從預(yù)定角度接收應(yīng)用于工件5的表面并且沿工件5的表面形狀所反射的線激光。
[0033]圖3A和3B是使用光學(xué)探測器17所應(yīng)用的線激光的示意圖。如圖3A所示，當(dāng)通過激光生成部172利用線狀的線激光L照射工件5時，線激光的反射光L’沿工件5的表面變形，并且利用反射光L’來區(qū)分在特定平面中切割工件5時的輪廓。如圖3B所示，攝像裝置173以與激光生成部172的激光的照射方向成預(yù)定角度來拍攝工件5的圖像，并且拍攝反射光L’的圖像。
[0034]圖4是示出激光生成部172的結(jié)構(gòu)和光學(xué)探測器17的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的示意圖。另外，在圖4中省略帶通濾波器1731a。如圖4所示，激光生成部172包括光源1721、可調(diào)透鏡1722和擴束器1723。從光源1721發(fā)出的激光穿過可調(diào)透鏡1722，并且通過擴束器1723被散射以生成線激光。也就是說，在光源1721和擴束器1723之間形成可調(diào)透鏡1722。進行構(gòu)造，以使得控制電路174可以基于通過CMOS傳感器1732所拍攝的圖像來調(diào)整可調(diào)透鏡1722的曲率。因而，調(diào)整了線激光的焦距。另外，擴束器1723例如是棒狀透鏡或柱狀透鏡。
[0035]另外，根據(jù)本實施例的光學(xué)探測器17使用防反射原理，并且如圖4所示，分別從CMOS傳感器1732的攝像面S1、包括透鏡1731b的主點的主平面S2和照射工件5的線激光的照射面S3延長的面SI?S3相交于一個點P。通過這一配置，在CMOS傳感器1732的整個攝像面上實現(xiàn)聚焦。
[0036]然而，由于如上所述本實施例使用防反射原理，因而光學(xué)倍率根據(jù)線激光在工件5上的照射位置而改變。例如，在圖4中，在激光生成部172附近的照射位置a，光學(xué)倍率高，并且在遠離激光生成部172的照射位置C，光學(xué)倍率低。在照射位置a和c之間的照射位置b，獲得照射位置a和c的光學(xué)倍率之間的光學(xué)倍率。因此，線激光在CMOS傳感器1732上的照射面積根據(jù)照射位置而改變，并且這使得測量精度劣化。在本實施例中，下述可調(diào)透鏡1722的控制解決了該問題。
[0037]圖5是示出根據(jù)第一實施例的CMOS傳感器1732的模式圖。CMOS傳感器1732具有如圖5所示的2D陣列的像素傳感器。例如，在本實施例中，CMOS傳感器1732在線狀的線激光的延伸方向上具有1024個光接收元件E，并且在與該延伸方向垂直的方向上具有1280個光接收元件E。另外，CMOS傳感器1732具有卷簾式快門功能。卷簾式快門功能是指這樣一種方法，在該方法中，僅使得配置在一個以上的行(或列)上的光接收元件E同時接收光，并且在列方向(或行方向)順次接收該行單位(或者列單位)的光。例如，在圖5中，配置在第一列上的光接收元件E (以粗框所突出的光接收元件)同時接收光。當(dāng)該光接收操作結(jié)束時，按照第二列、第三列等等順次進行光接收操作。
[0038]圖6是示出根據(jù)本實施例的光學(xué)探測器17的控制系統(tǒng)的框圖。如圖6所示，控制電路174具有CPU1741、與CPU1741連接的程序存儲部1742、工作存儲器1743和多值圖像存儲器1744。將CMOS傳感器1732所獲取的圖像信息經(jīng)由多值圖像存儲器1744輸入給CPU1741。CPU1741基于CMOS傳感器1732中所獲取的圖像來控制可調(diào)透鏡1722。
[0039]接著參考圖7說明根據(jù)第一實施例的形狀測量設(shè)備的操作。圖7是示出根據(jù)第一實施例的形狀測量設(shè)備的操作的流程圖。如圖7所示，控制電路174利用線激光照射工件5 (SlOl)。然后，控制電路174在CMOS傳感器1732的各列中檢測照射位置(S102)。根據(jù)該照射位置，檢測光源1721和工件5上的照射位置之間的距離。然后，控制電路174基于CMOS傳感器1732上的照射位置的平均值來控制可調(diào)透鏡1722的曲率，并且調(diào)整焦點位置(S103)。
[0040]如圖8所示進行步驟S103的調(diào)整。另外，在圖8中，與照射位置c相比，照射位置b更接近激光生成部172，并且與照射位置b相比，照射位置a更接近激光生成部172。
[0041]如圖8所示，隨著工件5上的線激光的照射位置越接近激光生成部172(光源1721)，將可調(diào)透鏡1722的曲率調(diào)整得更大，并且將焦距調(diào)整得更短。具體地，與對照射位置c進行照射的情況下的可調(diào)透鏡1722的曲率相比，將對照射位置b進行照射的情況下的可調(diào)透鏡1722的曲率調(diào)整得更大。類似地，與對照射位置b進行照射的情況下的可調(diào)透鏡1722的曲率相比，將對照射位置a進行照射的情況下的可調(diào)透鏡1722的曲率調(diào)整得更大。因此，與對照射位置c進行照射的情況下的焦距Lc相比，將對照射位置b進行照射的情況下的焦距Lb調(diào)整得更短。類似地，與對照射位置b進行照射的情況下的焦距Lb相比，將對照射位置a進行照射的情況下的焦距La調(diào)整得更短。
[0042]通過上述可調(diào)透鏡1722的控制，第一實施例基于光源1721和工件5上的照射位置之間的距離，調(diào)整工件5上的線激光的照射面積?；蛘撸梢曰诶鏑MOS傳感器1732上的線激光進行攝像的坐標(biāo)位置(像素位置)、光強度、或者攝像用的線激光的線寬，來調(diào)整照射面積。因此，通過根據(jù)激光生成部172的光學(xué)系統(tǒng)的能力最大程度地精細縮窄工件5上的任意照射位置所應(yīng)用的線激光的線寬，第一實施例可以降低CMOS傳感器1732上進行攝像的線激光的照射面積的變化以提高測量精度。例如，第一實施例可以根據(jù)工件5的表面的不平整來提高測量精度。
[0043]第二實施例
[0044]接著說明根據(jù)第二實施例的形狀測量設(shè)備。在根據(jù)第二實施例的形狀測量設(shè)備中，代替第一實施例的可調(diào)透鏡1722，如圖9所示，形成準(zhǔn)直透鏡1724，并且在準(zhǔn)直透鏡1724和擴束器1723之間形成電動光圈1725。進行構(gòu)造，以使得控制電路174可以基于CMOS傳感器1732所拍攝的圖像來調(diào)整電動光圈1725的開口直徑。
[0045]接著參考圖10說明根據(jù)第二實施例的形狀測量設(shè)備的操作。圖10是示出根據(jù)第二實施例的形狀測量設(shè)備的操作的流程圖。如圖10所示，執(zhí)行與第一實施例相同的步驟SlOl和S102。然后，控制電路174基于CMOS傳感器1732上的照射位置的平均值，來控制電動光圈1725的開口直徑(S103a)。
[0046]如圖11所示進行步驟S103a的調(diào)整。另外，在圖11中，與照射位置c相比，照射位置b更接近激光生成部172，并且與照射位置b相比，照射位置a更接近激光生成部172。
[0047]如圖11所示，隨著線激光在工件5上的照射位置越接近激光生成部172 (光源1721)，將電動光圈1725的開口直徑調(diào)整得越小。具體地，與對照射位置c進行照射的情況下的電動光圈1725的開口直徑Re相比，將對照射位置b進行照射的情況下的電動光圈1725的開口直徑Rb調(diào)整得更小。類似地，與對照射位置b進行照射的情況下的電動光圈1725的開口直徑Rb相比，將對照射位置a進行照射的情況下的電動光圈1725的開口直徑Ra調(diào)整得更小。
[0048]通過上述電動光圈1725的控制，第二實施例基于光源1721和工件5上的照射位置之間的距離，來調(diào)整工件5上的線激光的照射面積?；蛘撸梢曰诶鏑MOS傳感器1732上的線激光進行攝像的坐標(biāo)位置(像素位置)、光強度、或者攝像用的線激光的線寬，來調(diào)整照射面積。因此，通過根據(jù)激光生成部172的光學(xué)系統(tǒng)的能力最大程度地精細縮窄工件5上的任意照射位置所應(yīng)用的線激光的線寬，第二實施例可以降低CMOS傳感器1732上進行攝像的線激光的照射面積的變化以提高測量精度。
[0049]第三實施例
[0050]接著說明根據(jù)第三實施例的形狀測量設(shè)備。在根據(jù)第三實施例的形狀測量設(shè)備中，代替第二實施例的電動光圈1725，如圖12所示形成可變狹縫1726。進行構(gòu)造，以使得控制電路174可以基于CMOS傳感器1732所拍攝的圖像來調(diào)整可變狹縫1726的間隙。
[0051]接著參考圖13說明根據(jù)第三實施例的形狀測量設(shè)備的操作。圖13是示出根據(jù)第三實施例的形狀測量設(shè)備的操作的流程圖。如圖13所示，執(zhí)行與第一實施例相同的步驟SlOl和S102。然后，控制電路174基于CMOS傳感器1732上的照射位置的平均值來控制可變狹縫1726的間隙(S103b)。
[0052]如圖14所示進行步驟S103b的調(diào)整。另外，在圖14中，與照射位置c相比，照射位置b更接近激光生成部172，并且與照射位置b相比，照射位置a更接近激光生成部172。
[0053]如圖14所示，隨著線激光在工件5上的照射位置越接近激光生成部172 (光源1721)，將可變狹縫1726的間隙調(diào)整得越小。具體地，與對照射位置c進行照射的情況下的可變狹縫1726的間隙Wc相比，將對照射位置b進行照射的情況下的可變狹縫1726的間隙Wb調(diào)整得更小。類似地，與對照射位置b進行照射的情況下的可變狹縫1726的間隙Wb相t匕，將對照射位置a進行照射的情況下的可變狹縫1726的間隙Wa調(diào)整得更小。
[0054]通過上述可變狹縫1726的控制，第三實施例基于光源1721和工件5上的照射位置之間的距離，來調(diào)整工件5上的線激光的照射面積。或者，可以基于例如CMOS傳感器1732上的線激光進行攝像的坐標(biāo)位置(像素位置)、光強度、或者攝像用的線激光的線寬，來調(diào)整照射面積。因此，通過根據(jù)激光生成部172的光學(xué)系統(tǒng)的能力最大程度地精細縮窄工件5上的任意照射位置所應(yīng)用的線激光的線寬，第三實施例可以降低CMOS傳感器1732上進行攝像的線激光的照射面積的變化以提高測量精度。
[0055]第四實施例
[0056]接著說明根據(jù)第四實施例的形狀測量設(shè)備。如圖15所示，除第一實施例的結(jié)構(gòu)以夕卜，根據(jù)第四實施例的形狀測量設(shè)備還具有聚光透鏡175和光位置檢測部176。該光位置檢測部176可以由諸如PSD或線傳感器等的一維光學(xué)傳感器構(gòu)成。光位置檢測部176通過聚光透鏡175接收來自工件5的反射光。光位置檢測部176 —維地檢測光在與線激光的延伸方向垂直的方向上的位置。進行構(gòu)造，以使得控制電路174可以基于光位置檢測部176所檢測到的光來調(diào)整可調(diào)透鏡1722的曲率。因而，調(diào)整線激光的焦距。
[0057]接著參考圖16說明根據(jù)第四實施例的形狀測量設(shè)備的操作。圖16是示出根據(jù)第四實施例的形狀測量設(shè)備的操作的流程圖。如圖16所示，執(zhí)行與第一實施例相同的步驟SlOl0然后，控制電路174檢測光位置檢測部176上的照射位置(S102c)。根據(jù)該照射位置，檢測光源1721和工件5上的照射位置之間的距離。隨后，控制電路174基于光位置檢測部176上的照射位置來控制可調(diào)透鏡1722的曲率，并且調(diào)整焦距(S103c)。
[0058]通過上述控制，第四實施例具有與第一實施例相同的效果。也就是說，通過根據(jù)激光生成部172的光學(xué)系統(tǒng)的能力最大程度地精細縮窄工件5上的任意照射位置所應(yīng)用的線激光的線寬，第四實施例可以降低CMOS傳感器1732上進行攝像的線激光的照射面積的變化以提高測量精度。另外，與CMOS傳感器1732分開，第四實施例設(shè)置有光位置檢測部176，由此調(diào)整焦距。因此，第四實施例可以降低針對CMOS傳感器1732的負荷以提高處理速度。
[0059]其它實施例
[0060]以上說明了根據(jù)本發(fā)明的形狀測量設(shè)備的一個實施例，但是本發(fā)明不局限于上述實施例，并且可以在不脫離本發(fā)明的主旨的情況下進行各種改變、添加和替換等。
[0061]例如，如圖17所示，代替擴束器1723，可以將激光生成部172配置成具有鏡1727和檢電鏡1728。鏡1727將來自光源1721的照射光反射至檢電鏡1728。檢電鏡1728通過檢流計1729在預(yù)定角度范圍內(nèi)轉(zhuǎn)動。
[0062]另外，第一實施例?第四實施例可以基于CMOS傳感器1732上的線激光的照射面積，來調(diào)整工件5上的線激光的照射面積。另外，可以將根據(jù)第四實施例的光位置檢測部176的配置結(jié)構(gòu)應(yīng)用于第二實施例和第三實施例。
【權(quán)利要求】
1.一種形狀測量設(shè)備，包括: 照射部，用于利用線狀的線激光來照射工件，所述照射部包括: 光源，用于生成激光； 第一光學(xué)構(gòu)件，用于使來自所述光源的激光線狀地散開，并且生成線激光；以及第二光學(xué)構(gòu)件，其設(shè)置在所述光源和所述第一光學(xué)構(gòu)件之間，并且用于調(diào)整所述工件上的線激光的照射面積； 第一傳感器，用于接收所述工件所反射的線激光，并且拍攝所述工件的圖像； 透鏡，用于在所述第一傳感器的攝像面上形成所述工件所反射的線激光的圖像；以及控制部，用于控制通過所述第二光學(xué)構(gòu)件對所述工件上的線激光的照射面積的調(diào)整，以使得從所述攝像面延長的第一面、從所述透鏡的主平面延長的第二面、以及從線激光的照射面延長的第三面相交在一個點處。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形狀測量設(shè)備，其中， 所述第二光學(xué)構(gòu)件是用于調(diào)整焦距的透鏡，以及 隨著所述工件上的線激光的照射位置越接近所述光源，所述控制部將所述焦距調(diào)整得越短。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形狀測量設(shè)備，其中， 所述第二光學(xué)構(gòu)件是用于調(diào)整開口直徑的光圈，以及 隨著所述工件上的線激光的照射位置越接近所述光源，所述控制部將所述開口直徑調(diào)整得越小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形狀測量設(shè)備，其中， 所述第二光學(xué)構(gòu)件是用于調(diào)整間隙的狹縫，以及 隨著所述工件上的線激光的照射位置越接近所述光源，所述控制部將所述間隙調(diào)整得越小。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的形狀測量設(shè)備，其中， 所述第一傳感器包括沿著第一方向和第二方向的二維陣列的像素傳感器， 所述第一方向是線激光的延伸方向，并且所述第二方向是與所述第一方向垂直的方向，以及 所述控制部基于在所述第一傳感器的攝像面上進行了攝像的線激光來調(diào)整所述第二光學(xué)構(gòu)件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的形狀測量設(shè)備，其中，還包括: 第二傳感器，用于接收所述工件所反射的線激光，并且拍攝所述工件的圖像， 其中，所述第二傳感器一維地對光在第一方向上的位置進行檢測， 所述第一方向是與線激光的延伸方向垂直的方向，以及 所述控制部基于在所述第二傳感器的攝像面上進行了攝像的線激光來調(diào)整所述第二光學(xué)構(gòu)件。
【文檔編號】G01B11/24GK104034276SQ201410084250
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月8日
【發(fā)明者】山縣正意, 根本賢太郎, 森內(nèi)榮介, 巖本正 申請人:株式會社三豐