波長可變干涉濾波器及制造方法、光學模塊以及電子設備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種波長可變干涉濾波器及制造方法、光學模塊及電子設備。波長可變干涉濾波器（5）具備：變更固定反射膜（54）及可動反射膜（55）之間的間隙尺寸的靜電致動器（56）；與靜電致動器（56）連接的固定引出電極（563）及可動引出電極（564B）；及具備頂面部（531）和側壁部（532）的第三基板（53），接合側壁部（532）的端面及第一基板（51），由頂面部（531）、側壁部（532）以及第一基板（51）圍成的空間（D1）被氣密密封，在空間（D1）中，配置有第二基板（52）及靜電致動器（56），固定引出電極（563）及可動引出電極（564B）設置于第一基板（51），跨空間（D1）的內(nèi)外而延伸。
【專利說明】波長可變干涉濾波器及制造方法、光學模塊以及電子設備
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及波長可變干涉濾波器、波長可變干涉濾波器的制造方法、光學模塊以及電子設備。
【背景技術】
[0002]在現(xiàn)有技術中，已知有如下所述的波長可變干涉濾波器:在一對基板的彼此相對的面上，分別相對地配置反射膜，通過使該反射膜間的間隙尺寸發(fā)生變化，從入射光中選擇規(guī)定波長的光，并使其透過。
[0003]在這樣的波長可變干涉濾波器中，在使用例如Ag、Ag合金等作為反射膜的情況下，存在反射膜由于大氣或大氣中的水分子等異物的附著而產(chǎn)生劣化的可能性。
[0004]針對于此，存在對設置有反射膜、電極的空間進行氣密密封，并使該氣密密封后的空間成為真空的波長可變干涉濾波器(例如，參照專利文獻I)。
[0005]在該專利文獻I的濾波器檢測器中，對形成有反射膜的一對基板中的一個，以夾著另一個基板的方式接合有其它的基板，由此，設置有反射膜、構成致動器的電極的空間在真空狀態(tài)下被氣密密封。
[0006]在先技術文獻
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻1:日本專利特表平10-511772號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
[0009]發(fā)明要解決的課題
[0010]但是，在上述專利文獻I中，使用了硅基板作為基板，因此，可以經(jīng)由該硅基板對電極施加電壓。但是，對于硅基板，無法使例如可見光范圍等的光透過。在使可見光范圍等的光透過的波長可變干涉濾波器中，使用玻璃等非導電性部件作為基板，因此，在上述專利文獻I這樣的構成中，存在無法對氣密密封空間內(nèi)的電極施加電壓的課題。
[0011]本發(fā)明的目的在于提供可以對氣密密封空間內(nèi)的電極施加電壓的波長可變干涉濾波器、波長可變干涉濾波器的制造方法、光學模塊以及電子設備。
[0012]解決課題的手段
[0013]本發(fā)明的波長可變干涉濾波器其特征在于，具備:第一基板；與所述第一基板相對配置的第二基板；第一反射膜，設置在所述第一基板上，反射入射光的一部分而使一部分透過；第二反射膜，在所述第二基板上與所述第一反射膜相對設置，反射入射光的一部分而使一部分透過；間隙變更部，用于變更所述第一反射膜以及所述第二反射膜之間的間隙尺寸；布線部，與所述間隙變更部連接；以及第三基板，具備頂面部以及側壁部，所述側壁部從所述頂面部位于所述第一基板側，在從所述頂面部的厚度方向觀察的俯視觀察中，所述側壁部的形狀為框狀，其中，所述第三基板的側壁部的與所述第一基板相對的端面以及所述第一基板接合，由所述第三基板的頂面部、所述側壁部以及所述第一基板圍成的空間被氣密密封，在所述空間內(nèi)配置有所述第二基板以及所述間隙變更部，所述布線部設置于所述第一基板，跨所述空間的內(nèi)外而延伸。
[0014]根據(jù)本發(fā)明，布線部設置于第一基板，跨由頂面部、側壁部以及第一基板圍成的被氣密密封的空間的內(nèi)外而延伸。由此，可以從引出至氣密密封的空間之外的布線部對間隙變更部施加電壓。此外，與將波長可變干涉濾波器收納(封裝)在內(nèi)部被維持氣密的殼體中的構成相比，以芯片單體即可氣密密封所述空間，因此，可以使波長可變干涉濾波器小型化。
[0015]在本發(fā)明的波長可變干涉濾波器中，優(yōu)選所述間隙變更部具備設置于所述第一基板的第一電極、以及設置于所述第二基板且與所述第一電極相對配置的第二電極，在所述第二基板上設置有與所述第二電極連接的連接電極，并且，所述布線部具備與所述第一電極連接的第一引出電極、以及與所述連接電極連接的第二引出電極。
[0016]根據(jù)本發(fā)明，可以由設置于第一基板的布線部來進行設置于第二基板的第二電極所連接的布線的引出。因此，可以將引出用布線集成在第一基板上，能夠降低制造成本。
[0017]在本發(fā)明的波長可變干涉濾波器中，優(yōu)選具備:接合部件，所述接合部件設置于所述第三基板的所述側壁部的端面以及所述第一基板之間，用于接合所述端面以及所述第一基板，其中，所述布線部通過設置有所述接合部件的區(qū)域，跨所述空間的內(nèi)外而延伸。
[0018]根據(jù)本發(fā)明，無需對第一基板實施用于引出布線的特別加工，因此，能夠降低制造成本。
[0019]在本發(fā)明的波長可變干涉濾波器中，優(yōu)選在所述第一基板中的與所述側壁部的所述端面相對的位置上設置有槽，且所述布線部在所述槽內(nèi)延伸。
[0020]根據(jù)本發(fā)明，在側壁部的端面和第一基板的接合部位，與未形成有槽的情況相比，布線部的表面與第一基板的表面的高低差變小?；蛘?，成為布線部的表面低于第一基板的表面的狀態(tài)。由此，可以抑制第三基板傾斜，可以無間隙地接合側壁部的端面和第一基板，能夠進一步提高所述空間的氣密性。
[0021 ] 在本發(fā)明的波長可變干涉濾波器中，優(yōu)選所述接合部件是低熔點玻璃。
[0022]由于低熔點玻璃對間隙的埋入性高，因此，根據(jù)本發(fā)明，在布線部通過的部位也可以無間隙地接合側壁部的端面和第一基板，能夠進一步提高所述空間的氣密性。
[0023]在本發(fā)明的波長可變干涉濾波器中，優(yōu)選所述布線部貫通所述第一基板，跨所述空間的內(nèi)外而延伸。
[0024]根據(jù)本發(fā)明，無需為了從所述空間的內(nèi)部向外引出布線而例如在第一基板上設置從第三基板露出的區(qū)域，可以減小第一基板的尺寸，能夠使波長可變干涉濾波器進一步小型化。
[0025]在本發(fā)明的波長可變干涉濾波器中，優(yōu)選所述側壁部的所述端面以及所述第一基板通過設置在各自上的金屬膜之間的金屬接合而接合。
[0026]根據(jù)本發(fā)明，可以更加牢固地接合側壁部的端面和第一基板，能夠進一步提高所述空間的氣密性。此外，由于未使用粘結劑那樣的會產(chǎn)生氣體的材料，因此，可以維持所述空間的真空狀態(tài)，此外，在惰性氣體等規(guī)定氣體充滿所述空間的情況下，可以抑制其它氣體混入所述空間。
[0027]在本發(fā)明的波長可變干涉濾波器中，優(yōu)選所述側壁部的所述端面以及所述第一基板采用低熔點玻璃而接合。
[0028]由于低熔點玻璃對間隙的埋入性高，因此，根據(jù)本發(fā)明，例如在接合界面的平坦性不好的情況下，也可以無間隙地接合側壁部的端面和第一基板，能夠進一步提高所述空間的氣密性。
[0029]在本發(fā)明的波長可變干涉濾波器中，優(yōu)選在所述第一基板和所述第三基板中的至少一方上設置有貫通孔，且所述波長可變干涉濾波器具備用于密封所述貫通孔的密封部件。
[0030]根據(jù)本發(fā)明，在制造階段，通過貫通孔對所述空間內(nèi)的氣體進行抽真空，之后，通過密封部件來密封貫通孔，從而可以對所述空間維持真空狀態(tài)并進行氣密密封。由此，可以在大氣中而不是在真空室中進行第一基板和第三基板的接合工序，能夠使制造工序簡化。此外，例如在接合側壁部和第一基板時使用了粘結劑的情況下，即使該粘結劑所產(chǎn)生的氣體混入了所述空間，也可以去除該氣體。
[0031 ] 在本發(fā)明的波長可變干涉濾波器中，優(yōu)選所述頂面部以及所述側壁部單獨構成。
[0032]根據(jù)本發(fā)明，可以分別形成頂面部和側壁部。在這種情況下，與例如對一張基板進行蝕刻來形成頂面部以及側壁部的情況相比，可以縮短制造時間。此外，可以進一步提高頂面部的表面的平坦性，因此，能夠使射入到頂面部的光適當?shù)赝高^。
[0033]在本發(fā)明的波長可變干涉濾波器中，優(yōu)選所述頂面部以及所述側壁部的材料和所述第一基板相同。
[0034]這里，例如由于制造過程中產(chǎn)生的熱、產(chǎn)品使用時的環(huán)境溫度變化，會導致頂面部、側壁部以及第一基板發(fā)生熱膨脹。此時，如果頂面部、側壁部以及第一基板的熱膨脹的程度不同，則會產(chǎn)生應力而頂面部以及第一基板發(fā)生變形。并且，如果形成有第一反射膜的第一基板發(fā)生變形，則會使波長可變干涉濾波器的分光性能下降。
[0035]針對于此，根據(jù)本發(fā)明，可以在頂面部、側壁部以及第一基板之間使熱膨脹系數(shù)相同，因此，可以抑制頂面部以及第一基板的變形。因此，可以使射入到頂面部或第一基板的光適當?shù)胤止獠⑼高^。
[0036]在本發(fā)明的波長可變干涉濾波器中，優(yōu)選所述頂面部的材料是硼硅玻璃，所述側壁部的材料是硅。
[0037]根據(jù)本發(fā)明，可以使頂面部和側壁部陽極接合，能夠更加牢固地接合頂面部和側壁部。而且，通過將硼硅玻璃用于第一基板，可以使側壁部和第一基板陽極接合，能夠更加牢固地接合側壁部和第一基板。
[0038]在本發(fā)明的波長可變干涉濾波器中，優(yōu)選所述頂面部的材料是玻璃，所述側壁部的材料是金屬。
[0039]根據(jù)本發(fā)明，無需在側壁部的端面另外形成金屬膜即可使側壁部和第一基板金屬接合，因此，可以使制造工序簡化。
[0040]本發(fā)明的波長可變干涉濾波器的制造方法其特征在于，具有:第一基板形成工序，在第一基板上形成反射入射光的一部分而使一部分透過的第一反射膜、第一電極、以及布線部；第二基板形成工序，在第二基板上形成反射入射光的一部分而使一部分透過的第二反射膜、以及第二電極；第三基板形成工序，形成第三基板，所述第三基板具備頂面部以及從所述頂面部的厚度方向觀察的俯視觀察的形狀為框狀的側壁部；間隙形成工序，配置所述第一基板以及所述第二基板，以使所述第一反射膜以及所述第二反射膜相對，所述第一電極以及所述第二電極相對；以及接合工序，接合所述第一基板和所述第三基板，其中，在所述接合工序中，配置所述第一基板以及所述第三基板，以使所述第二基板位于由所述頂面部、所述側壁部以及所述第一基板圍成的空間中且所述布線部位于跨所述空間的內(nèi)外，并且，接合所述側壁部的與所述第一基板相對的端面以及所述第一基板，對所述空間進行氣密密封。
[0041]根據(jù)本發(fā)明，設置于第一基板的布線部通過接合工序，跨由頂面部、側壁部以及第一基板圍成的被氣密密封的空間的內(nèi)外而延伸。由此，可以從引出至氣密密封的空間之外的布線部對第一電極以及第二電極施加電壓。此外，與將波長可變干涉濾波器收納在內(nèi)部被維持氣密的殼體中的構成相比，以芯片單體即可氣密密封所述空間，因此，可以使波長可變干涉濾波器小型化。
[0042]在本發(fā)明的波長可變干涉濾波器的制造方法中，優(yōu)選在所述接合工序中，在所述第三基板的側壁部的所述端面以及所述第一基板上形成金屬膜，通過接合所形成的金屬膜彼此來接合所述端面以及所述第一基板。
[0043]根據(jù)本發(fā)明，可以更加牢固地接合側壁部的端面和第一基板，能夠進一步提高所述空間的氣密性。此外，由于未使用粘結劑那樣的會產(chǎn)生氣體的材料，因此，可以維持所述空間的真空狀態(tài)，此外，在惰性氣體等規(guī)定氣體充滿所述空間的情況下，可以抑制其它氣體混入所述空間。
[0044]在本發(fā)明的波長可變干涉濾波器的制造方法中，優(yōu)選在所述接合工序中，使用低熔點玻璃來接合所述第三基板的側壁部的所述端面以及所述第一基板。
[0045]由于低熔點玻璃對間隙的埋入性高，因此，根據(jù)本發(fā)明，例如在接合界面的平坦性不好的情況下，也可以無間隙地接合側壁部的端面和第一基板，能夠進一步提高所述空間的氣密性。
[0046]在本發(fā)明的波長可變干涉濾波器的制造方法中，優(yōu)選在所述第三基板形成工序中，在所述第三基板上形成貫通孔，并且，在所述接合工序中，在接合了所述側壁部的所述端面以及所述第一基板之后，通過所述貫通孔對所述空間內(nèi)的氣體抽真空，之后，通過密封所述貫通孔來氣密密封所述空間。
[0047]根據(jù)本發(fā)明，可以不是在真空室內(nèi)而是在大氣中進行第一基板和第三基板的接合工序，能夠使制造工序簡化。此外，例如在接合側壁部和第一基板時使用了粘結劑的情況下，即使該粘結劑所產(chǎn)生的氣體混入了所述空間，也可以去除該氣體。
[0048]本發(fā)明的光學模塊其特征在于，具備:第一基板；與所述第一基板相對配置的第二基板；第一反射膜，設置在所述第一基板上，反射入射光的一部分而使一部分透過；第二反射膜，在所述第二基板上與所述第一反射膜相對設置，反射入射光的一部分而使一部分透過；間隙變更部，用于變更所述第一反射膜以及所述第二反射膜之間的間隙尺寸；布線部，與所述間隙變更部連接；第三基板，具備頂面部以及側壁部，所述側壁部從所述頂面部位于所述第一基板側，在從所述頂面部的厚度方向觀察的俯視觀察中，所述側壁部的形狀為框狀；以及檢測部，用于檢測射入到所述第一反射膜和所述第二反射膜之間的光相干涉而被選擇的波長的光，其中，接合所述第三基板的側壁部的和所述第一基板相對的端面以及所述第一基板，由所述第三基板的頂面部、所述側壁部以及所述第一基板圍成的空間被氣密密封，在所述空間中，配置有所述第二基板以及所述間隙變更部，所述布線部設置于所述第一基板，跨所述空間的內(nèi)外而延伸。
[0049]根據(jù)本發(fā)明，可以和上述發(fā)明一樣，以芯片單體即可進行所述空間的氣密密封，因此，能夠實現(xiàn)光學模塊的小型化。
[0050]本發(fā)明的電子設備其特征在于，具備:波長可變干涉濾波器以及用于控制所述波長可變干涉濾波器的控制部，所述波長可變干涉濾波器具備:第一基板；與所述第一基板相對配置的第二基板；第一反射膜，設置在所述第一基板上，反射入射光的一部分而使一部分透過；第二反射膜，在所述第二基板上與所述第一反射膜相對設置，反射入射光的一部分而使一部分透過；間隙變更部，用于變更所述第一反射膜以及所述第二反射膜之間的間隙尺寸；布線部，與所述間隙變更部連接；以及第三基板，具備頂面部以及側壁部，所述側壁部從所述頂面部位于所述第一基板側，在從所述頂面部的厚度方向觀察的俯視觀察中，所述側壁部的形狀為框狀，其中，接合所述第三基板的側壁部的和所述第一基板相對的端面以及所述第一基板，由所述第三基板的所述頂面部、所述側壁部以及所述第一基板圍成的空間被氣密密封，在所述空間中，配置有所述第二基板以及所述間隙變更部，所述布線部設置于所述第一基板，跨所述空間的內(nèi)外而延伸。
[0051]根據(jù)本發(fā)明，可以和上述發(fā)明一樣，以芯片單體即可進行所述空間的氣密密封，因此，能夠實現(xiàn)波長可變干涉濾波器的小型化。其結果是，可以使安裝有波長可變干涉濾波器的電子設備小型化。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0052]圖1是示出本發(fā)明所涉及的第一實施方式的分光測定裝置的概略構成的框圖。
[0053]圖2是示出本實施方式的波長可變干涉濾波器的概略構成的俯視圖。
[0054]圖3是沿圖2中的II1-1II線截面后的波長可變干涉濾波器的截面圖。
[0055]圖4是本實施方式中從第二基板側觀察第一基板的俯視圖。
[0056]圖5是示出圖4中的電極引出槽的截面的放大圖。
[0057]圖6是本實施方式中從第一基板側觀察第二基板的俯視圖。
[0058]圖7是示出本實施方式的波長可變干涉濾波器的制造工序的流程圖。
[0059]圖8是示出圖7的第一基板形成工序中的第一玻璃基板的狀態(tài)的圖。
[0060]圖9是示出圖7的第二基板形成工序中的第二玻璃基板的狀態(tài)的圖。
[0061]圖10是示出圖7的基板接合工序的圖。
[0062]圖11是本發(fā)明所涉及的第二實施方式的波長可變干涉濾波器的截面圖。
[0063]圖12是本發(fā)明所涉及的第三實施方式的波長可變干涉濾波器的截面圖。
[0064]圖13是示出本實施方式的基板接合工序的圖。
[0065]圖14是本發(fā)明所涉及的第四實施方式的波長可變干涉濾波器的截面圖。
[0066]圖15是其它實施方式的波長可變干涉濾波器的截面圖。
[0067]圖16是示出作為本發(fā)明的電子設備的測色裝置的一個例子的框圖。
[0068]圖17是示出作為本發(fā)明的電子設備的氣體檢測裝置的一個例子的概略圖。
[0069]圖18是示出圖17的氣體檢測裝置的控制系統(tǒng)的構成的框圖。
[0070]圖19是示出作為本發(fā)明的電子設備的食物分析裝置的概略構成的圖。[0071]圖20是示出作為本發(fā)明的電子設備的分光照相機的概略構成的示意圖。
【具體實施方式】
[0072](第一實施方式)
[0073]下面，根據(jù)附圖對本發(fā)明所涉及的第一實施方式進行說明。
[0074](分光測定裝置的構成)
[0075]圖1是示出本發(fā)明所涉及的第一實施方式的分光測定裝置的概略構成的框圖。
[0076]分光測定裝置I是本發(fā)明的電子設備的一個例子，是根據(jù)由測定對象X所反射的測定對象光對測定對象光的光譜進行測定的裝置。此外，在本實施方式中，示出了測定由測定對象X所反射的測定對象光的例子，但是，例如在使用液晶面板等發(fā)光體作為測定對象X的情況下，也可以將從該發(fā)光體發(fā)出的光作為測定對象光。
[0077]如圖1所示，該分光測定裝置I具備光學模塊10和控制部20。
[0078](光學模塊的構成)
[0079]下面，接著對光學模塊10的構成進行說明。
[0080]如圖1所示，光學模塊10構成為具備波長可變干涉濾波器5、檢測器(detector)
11、1-V轉換器12、放大器13、A/D轉換器14、和電壓控制部15。
[0081]檢測器11接收透過了光學模塊10的波長可變干涉濾波器5的光，并輸出與所接收的光的光強度對應的檢測信號(電流)。
[0082]1-V轉換器12將從檢測器11輸入的檢測信號轉換為電壓值,并向放大器13輸出。
[0083]放大器13對從1-V轉換器12輸入的檢測信號所對應的電壓(檢測電壓)進行放大。
[0084]A/D轉換器14將從放大器13輸入的檢測電壓(模擬信號)轉換為數(shù)字信號,并向控制部20輸出。
[0085](波長可變干涉濾波器的構成)
[0086]圖2是示出波長可變干涉濾波器5的概略構成的俯視圖。圖3是沿圖2的II1-1II線的波長可變干涉濾波器5的截面圖。
[0087]本實施方式的波長可變干涉濾波器5是所謂的法布里-佩洛標準具。如圖2所示，該波長可變干涉濾波器5具備第一基板51 (固定基板)、第二基板52 (可動基板)、和第三基板53。第三基板53具備:與第一基板51以及第二基板52相對的頂面部531 ；以及側壁部532，該側壁部532相對于頂面部531位于第一基板51側，從頂面部531的厚度方向觀察的俯視觀察中，側壁部532的形狀為框狀。
[0088]這些第一基板51、第二基板52以及第三基板52分別由各種玻璃(石英以及硼硅玻璃等)形成。并且，通過由例如將硅氧烷作為主要成分的等離子體聚合膜等構成的接合膜57來接合第一基板51的接合部513以及第二基板52的接合部523，從而一體地構成第一基板51以及第二基板52。此外，通過由低熔點玻璃構成的接合部件58來接合第一基板51的接合部514以及第三基板53的側壁部532的端面532A，從而一體地構成第一基板51以及第三基板53。
[0089]在第一基板51上設置有固定反射膜54 (第一反射膜)，在第二基板52上，設置有可動反射膜55(第二反射膜)，這些固定反射膜54以及可動反射膜55隔著反射膜間間隙Gl而相對配置。并且，在波長可變干涉濾波器5中設置有用于調(diào)整該反射膜間間隙Gl的大小(間隙尺寸)的靜電致動器56 (間隙變更部)。該靜電致動器56由設置于第一基板51的固定電極561 (第一電極)和設置于第二基板52的可動電極562 (第二電極)構成。這里,這些固定電極561、可動電極562可以是分別直接設置在第一基板51以及第二基板52的基板表面的構成，也可以是隔著其它的膜部件而設置的構成。
[0090]此外，以下有將從厚度方向觀察第一基板51、第二基板52以及第三基板53的俯視觀察稱為濾波器俯視觀察的情況。
[0091](第一基板的構成)
[0092]圖4是從第二基板52側觀察第一基板51的俯視圖。
[0093]第一基板51形成為與第二基板52相比厚度尺寸更大，不會由于靜電致動器56的靜電引力、第一基板51上形成的膜部件(例如固定反射膜54等)的內(nèi)部應力而導致第一基板51發(fā)生撓曲。
[0094]該第一基板51是具有頂點C1、C2、C3、C4的矩形板狀部件。如圖3以及圖4所示，第一基板51具備例如通過蝕刻形成的電極配置槽511、反射膜設置部512、接合部514以及墊設置部515。并且，在第一基板51的與第二基板52相對的面中，未形成有電極配置槽
511、反射膜設置部512、接合部514以及墊設置部515的面構成接合部513。
[0095]反射膜設置部512具有與第二基板52相對的反射膜設置面512A。在濾波器俯視觀察中，該反射膜設置面512A為以第一基板51的大致中心、即濾波器中心點O為中心的圓形狀的平面，是與第二基板52的與第一基板51相對的面(可動面521A)平行的面。此外，在本實施方式中，例示了圓形狀的反射膜設置面512A，但是，并不限定于此，也可以是例如八角形狀或六角形狀等的多角形狀，還可以是橢圓形狀。
[0096]在濾波器俯視觀察中，電極配置槽511設置于反射膜設置部512之外，形成為以濾波器中心點O為中心的環(huán)狀。此外，電極配置槽511中的與第二基板52相對的面與反射膜設置面512A相比，其距離第二基板52的距離更長。該電極配置槽511具備與第二基板52以及反射膜設置面512A平行的電極設置面511A。
[0097]在濾波器俯視觀察中，接合部513包圍電極配置槽511而設置，其外周緣形成具有頂點C5、C6、C7、C8的矩形。該接合部513通過接合膜57與第二基板52的接合部523接合。此外，在接合部513上設置有從電極配置槽511向第一基板51的頂點C3、C4延伸的電極引出槽513A (參照圖4)。
[0098]在濾波器俯視觀察中，接合部514包圍接合部513而設置，并形成為框狀。該接合部514通過接合部件58與第三基板53的側壁部532的端面532A接合。這里，接合部514與電極設置面511A以及電極引出槽513A的底面位于相同平面上。
[0099]此外，在接合部514上設置有與電極引出槽513A連續(xù)并向第一基板51的頂點C3、C4延伸的電極引出槽514B (參照圖4)。這里，電極引出槽514B構成本發(fā)明的槽。
[0100]在濾波器俯視觀察中，墊設置部515與接合部514相鄰，形成為頂點中包括第一基板51的頂點C3、C4的矩形。墊設置部515從第三基板53露出。墊設置部515與電極引出槽514B的底面位于相同平面上。
[0101]在電極設置面51IA上設置有構成靜電致動器56的固定電極561。在濾波器俯視觀察中，作為該固定電極561，優(yōu)選形成為以濾波器中心點O為中心的大致環(huán)狀，更優(yōu)選形成為圓環(huán)狀。此外，這里所述的環(huán)狀也包括一部分被切除、例如形成為C字形狀等的構成。
[0102]此外，在第一基板51上設置有從固定電極561的外周緣沿朝向頂點C4的電極引出槽513A、514B延伸至頂點C4的固定引出電極563(第一引出電極)。該固定引出電極563的延伸前端部(位于頂點C4的部分)構成與電壓控制部15連接的固定電極墊563P。這里，固定引出電極563構成本發(fā)明的布線部。
[0103]作為該固定電極561，只要是具有導電性，可以由任何材料構成。具體而言，固定電極561由相對于金屬膜、合金膜具有良好的附著性的金屬氧化物構成，例如由ITO (IndiumTin Oxide:氧化銦錫)膜、Cr層以及Au層的層壓體等構成。
[0104]此外，也可以是在固定電極561上層壓用于確保固定電極561以及可動電極562之間的絕緣性的絕緣膜的構成。
[0105]此外，在本實施方式中，示出了在電極設置面511A上設置一個固定電極561的構成，但是，也可以是例如設置以濾波器中心點O為中心成同心圓的兩個電極的構成(雙電極構成)等。
[0106]而且，在濾波器俯視觀察中，在電極設置面511A上，除了固定電極561之外，還設置有可動引出電極564B (第二引出電極)?？蓜右鲭姌O564B的一端沿電極配置槽511的外側的側面延伸至接合部513，另一端沿朝向頂點C3的電極引出槽513A、514B延伸至頂點C3。該可動引出電極564B的延伸前端部(位于頂點C3的部分)構成與電壓控制部15連接的可動電極墊564P。此外，位于接合部513的可動引出電極564B構成與設置在第二基板52的可動引出電極564A (連接電極)連接的連接部564X。這里，可動引出電極564B構成本發(fā)明的布線部。
[0107]這里，圖5是示出圖4中的電極引出槽514B的截面的放大圖。圖5示出了與電極引出槽514B的延伸方向正交的截面。
[0108]此外，圖5示出了配置有固定引出電極563的電極引出槽514B，但是，配置有可動引出電極564B的電極弓丨出槽514B也具有相同的構成。
[0109]電極引出槽514B具備與接合部514平行的底面514C、和從底面514C連接到接合部514的曲面514D。曲面514D是在第一基板51的蝕刻加工時通過側面蝕刻形成的面，以向離開固定引出電極563的方向膨出的方式而彎曲。固定引出電極563被配置為覆蓋底面514C且露出曲面514D。
[0110]如圖3以及圖4所示，反射膜設置部512設置有固定反射膜54。作為該固定反射膜54，優(yōu)選相對于包括可見波長區(qū)域的寬的波長區(qū)域具有反射特性以及透過特性的膜。優(yōu)選使用例如Ag等金屬膜、AgC合金等合金膜等作為這樣的固定反射膜54，在本實施方式中，使用AgC合金膜。
[0111]在第一基板51的光入射面(未設置固定反射膜54的面)上，可以在與固定反射膜54對應的位置上形成反射防止膜。該反射防止膜可以通過交替層壓低折射率膜以及高折射率膜來形成，其使第一基板51的表面上的可見光的反射率降低,使透過率增大。
[0112](第二基板的構成)
[0113]圖6是從第一基板51側觀察第二基板52的俯視圖。
[0114]該第二基板52是具有頂點C5、C6、C7、C8的矩形板狀部件。第二基板52如圖3以及圖6所示，在濾波器俯視觀察中，具備以濾波器中心點O為中心的圓形的可動部521、與可動部521同軸的用于保持可動部521的保持部522、及設置于保持部522的外側的基板外周部 525。
[0115]此外，和第一基板51同樣地，可以在可動部521的和第一基板51相反一側的面上形成反射防止膜。
[0116]可動部521形成為與保持部522相比厚度尺寸更大，例如，在本實施方式中，形成為和第二基板52 (基板外周部525)的厚度尺寸相同的尺寸。在濾波器俯視觀察中，該可動部521形成為至少比反射膜設置面512A的外周緣的直徑尺寸更大的直徑尺寸。
[0117]并且，在該可動部521的與第一基板51相對的可動面521A上設置有可動反射膜55以及可動電極562。
[0118]可動反射膜55由與固定反射膜54相同的材料(在本實施方式中為AgC合金膜)構成。
[0119]如圖2、圖3以及圖6所示，在濾波器俯視觀察中，可動電極562設置在可動反射膜55之外與固定電極561相對的區(qū)域。作為該可動電極562,和固定電極561同樣地,只要具有導電性即可，例如可以使用ITO膜、在Cr層上層壓了 Au層的層壓體等。
[0120]此外，在第二基板52上，設置有從可動電極562的外周緣向可動引出電極564B的連接部564X延伸的可動引出電極564A。該可動引出電極564A的延伸前端部構成與連接部564X連接的連接部564Y。
[0121]保持部522是包圍可動部521的周圍的隔膜，形成為與可動部521相比其厚度尺寸更小。這樣的保持部522比可動部521更易撓曲，僅微小的靜電引力便可使可動部521向第一基板51側位移。
[0122]此外，在本實施方式中，例示了隔膜狀的保持部522，但是，并不限定于此，還可以是例如設置以濾波器中心點O為中心、以等角度間隔配置的梁狀的保持部的構成等。
[0123]如上所述，在濾波器俯視觀察中，基板外周部525設置于保持部522的外側。在該基板外周部525的與第一基板51相對的面一側，設置有與接合部513相對的接合部523，其通過接合膜57與接合部513接合。
[0124](第三基板的構成)
[0125]如圖2以及圖3所示，第三基板53具有:與第一基板51相對并具有頂點Cl、C2、C9、ClO的矩形板狀的頂面部531 ;以及側壁部532，側壁部532與頂面部531 —體構成，相對于頂面部531位于第一基板51側，在濾波器俯視觀察中，該側壁部532形成圍住第二基板52的框狀。
[0126]并且，側壁部532的與第一基板51相對的端面532A通過接合部件58與第一基板51的接合部514接合。因此，在濾波器俯視觀察中，設置于接合部514之外的墊設置部515露出于外部，設置于墊設置部515的固定電極墊563P以及可動電極墊564P露出于外部。
[0127]這里，在電極引出槽514B中埋設接合部件58，接合部件58緊地附著于在電極引出槽514B中配置的可動引出電極564B以及固定引出電極563。
[0128]通過該接合，由頂面部531、側壁部532以及第一基板51所圍成的空間Dl被氣密密封。在本實施方式中，空間Dl為大致真空狀態(tài)，但是，也可以是充滿惰性氣體的狀態(tài)。
[0129]并且，在該空間Dl中，收納有第二基板52。即、固定反射膜54、可動反射膜55、固定電極561、可動電極562以及可動引出電極564A位于空間Dl中。此外，可動引出電極564B以及固定引出電極563通過接合部件58跨空間Dl的內(nèi)外而配置。
[0130]此外，在頂面部531的與第一基板51相對的面相反一側的面上設置有光圈61(aperture)ο光圈61由Cr膜構成。在濾波器俯視觀察中，光圈61在與固定反射膜54以及可動反射膜55相對的位置上具有開口。通過該開口，調(diào)整射入到頂面部531的光的量。
[0131](電壓控制部的構成)
[0132]電壓控制部15與波長可變干涉濾波器5的固定引出電極563(固定電極墊563P)、可動引出電極564B (可動電極墊564P)連接。
[0133]于是，電壓控制部15從控制部20接收到測定對象波長所對應的電壓指令信號時，在固定引出電極563以及可動引出電極564B之間施加對應的電壓。由此，在波長可變干涉濾波器5的靜電致動器56 (固定電極561以及可動電極562之間)產(chǎn)生基于施加電壓的靜電引力，可動部521向第一基板51側位移，反射膜間間隙Gl的大小發(fā)生變化。
[0134](控制部的構成)
[0135]控制部20通過例如組合CPU、存儲器等而構成，其控制分光測定裝置I的整體動作。如圖1所示，該控制部20具備濾波器驅動部21、光量取得部22、和分光測定部23。
[0136]此外，控制部20具備存儲各種數(shù)據(jù)的存儲部(省略圖示)，在存儲部中，存儲有用于控制靜電致動器56的V-λ數(shù)據(jù)。
[0137]在該V-λ數(shù)據(jù)中，記錄有相對于施加于靜電致動器56的電壓的、透過波長可變干涉濾波器5的光的峰值波長。
[0138]濾波器驅動部21對由波長可變干涉濾波器5所提取的光的目的波長進行設定的同時，從存儲部中存儲的V-λ數(shù)據(jù)讀入對應于所設定的目的波長的目標電壓值。并且，濾波器驅動部21向電壓控制部15輸出旨在施加所讀入的目標電壓值的控制信號。由此，從電壓控制部15對靜電致動器56施加目標電壓值的電壓。
[0139]光量取得部22基于由檢測器11所取得的光量，取得透過了波長可變干涉濾波器5的目的波長的光的光量。
[0140]分光測定部23基于由光量取得部22所取得的光量，對測定對象光的光譜特性進行測定。
[0141]作為分光測定部23中的分光測定方法，可以列舉出:例如，將由檢測器11對測定對象波長檢測到的光量作為該測定對象波長的光量來測定分光光譜的方法、基于多個測定對象波長的光量來推定分光光譜的方法等。
[0142]作為推定分光光譜的方法，例如，生成將多個測定對象波長所對應的光量各自作為矩陣要素的計測光譜矩陣，對該計測光譜矩陣作用規(guī)定的轉換矩陣，從而推定作為測定對象的光的分光光譜。在這種情況下，由分光測定裝置I來測定已知分光光譜的多個樣品光，對轉換矩陣進行設定，以使將轉換矩陣作用于基于測定所得的光量而生成的計測光譜矩陣后的矩陣和已知的分光光譜的偏差最小。
[0143](波長可變干涉濾波器的制造方法)
[0144]下面，根據(jù)附圖對上述的波長可變干涉濾波器5的制造方法進行說明。
[0145]圖7是示出波長可變干涉濾波器5的制造工序的流程圖。
[0146]在波長可變干涉濾波器5的制造中，首先，準備用于形成第一基板51的第一玻璃基板Ml、用于形成第二基板52的第二玻璃基板M2、以及用于形成第三基板53的第三玻璃基板，實施第一基板形成工序S1、第二基板形成工序S2、以及第三基板形成工序S3。之后，實施基板接合工序S4，將經(jīng)第一基板形成工序SI加工的第一玻璃基板Ml和經(jīng)第二基板形成工序S2加工的第二玻璃基板M2接合，以芯片為單位進行切割后，將經(jīng)第三基板形成工序S3加工的第三基板53與各芯片接合，形成波長可變干涉濾波器5。
[0147]下面，根據(jù)附圖對各工序SI?S4進行說明。
[0148](第一基板形成工序)
[0149]圖8是示出第一基板形成工序SI中的第一玻璃基板Ml的狀態(tài)的圖。
[0150]在第一基板形成工序SI中，首先，如圖8 (A)所示，對作為第一基板51的制造材料的第一玻璃基板Ml (例如厚度尺寸為Imm)的兩面，將兩面精密研磨至表面粗糙度Ra為Inm以下。
[0151]接著，如圖8 (B)所示，通過蝕刻對第一玻璃基板Ml的基板表面進行加工。
[0152]具體而言，將通過光刻法而被圖案化的抗蝕圖案用于掩膜，對第一玻璃基板M1，反復實施例如使用了氫氟酸類(BHF等)的濕蝕刻。首先，將電極配置槽511、反射膜設置部
512、接合部514、墊設置部515、以及電極引出槽513A、514B蝕刻至反射膜設置面512A的高度位置。之后，將電極配置槽511、接合部514、墊設置部515、以及電極引出槽513A、514B蝕刻至電極設置面511A的高度位置。最后，對墊設置部515以及電極引出槽514B進行相當于固定引出電極563以及可動引出電極564B的厚度尺寸的蝕刻。這里，通過各向同性蝕刻進行和深度尺寸相同尺寸的側面蝕刻，因此，如圖5所示，電極引出槽514B的側面成為曲面514D。
[0153]此外，第一玻璃基板Ml的表面中未被蝕刻的面構成接合部513。由此,形成第一基板51的基板形狀被確定的第一玻璃基板Ml。
[0154]這里，在本實施方式中，由一個第一玻璃基板Ml形成多個第一基板51。因此,在該工序中，以多個第一基板51在并列配置為陣列狀的狀態(tài)下被制造的方式對第一玻璃基板Ml進行蝕刻。
[0155]接著，使用蒸鍍法、濺射法等在第一玻璃基板Ml上成膜用于形成固定電極561、固定引出電極563、可動引出電極564B的電極材料(例如ΙΤ0)。于是，在第一玻璃基板Ml上涂布抗蝕劑，使用光刻法(photolithography)與固定電極561、固定引出電極563、以及可動引出電極564B的形狀一致地對抗蝕劑實施圖案化。并且，在利用ITO蝕刻液(例如鹽酸、硝酸、水的混合液)實施了蝕刻之后,去除抗蝕劑。由此,如圖8 (C)所示，形成固定電極561、固定引出電極563、以及可動引出電極564B。
[0156]此外，在固定電極561上成膜絕緣層的情況下，在固定電極561形成之后，例如通過等離子體CVD等在第一基板51的與第二基板52相對的面的整個上成膜例如IOOnm左右厚度的Si02。并且，例如通過干蝕刻等來去除固定電極墊563P上的Si02。
[0157]接著，在反射膜設置面512A上形成固定反射膜54。具體而言，在第一玻璃基板Ml的形成有電極配置槽511、反射膜設置部512的面上，通過真空蒸鍍法、濺射法來形成固定反射膜54的膜層。之后，將通過光刻法被圖案化的抗蝕劑圖案用于掩膜，對膜層進行蝕刻，如圖8 (D)所示,形成固定反射膜54。
[0158]通過以上方式，形成多個第一基板51被配置為陣列狀的第一玻璃基板Ml。
[0159](第二基板形成工序)[0160]下面，對第二基板形成工序S2進行說明。圖9是示出第二基板形成工序S2中的第二玻璃基板M2的狀態(tài)的圖。
[0161]在第二基板形成工序S2中，首先，如圖9 (A)所示，對第二玻璃基板M2 (例如厚度尺寸為0.5mm)的兩面進行精密研磨，直至第二玻璃基板M2的表面粗糙度Ra為Inm以下。
[0162]并且，在第二玻璃基板M2的表面形成Cr/Au層，將該Cr/Au層作為蝕刻掩膜，使用例如氫氟酸類(BHF等)對相當于保持部522的區(qū)域進行蝕刻。之后，通過去除用作蝕刻掩膜的Cr/Au層，從而如圖9 (B)所示，確定了第二基板52的基板形狀的第二玻璃基板M2被制造。
[0163]這里，在本實施方式中，由一個第二玻璃基板M2形成多個第二基板52。因此，在該工序中，以多個第二基板52在并列配置為陣列狀的狀態(tài)下被制造的方式對第二玻璃基板M2進行蝕刻。
[0164]下面,如圖9 (C)所示,形成可動電極562以及可動引出電極564A。在該可動電極562以及可動引出電極564A的形成中，可以米用和形成上述第一基板51中的固定電極561相同的方法。
[0165]之后，如圖9 (D)所示，在可動面521A上形成可動反射膜55。該可動反射膜55的形成也可以通過和固定反射膜54相同的方法來形成。
[0166]通過以上方式，多個第二基板52被配置為陣列狀的第二玻璃基板M2被制造。
[0167](第三基板形成工序)
[0168]下面，對第三基板形成工序S3進行說明。
[0169]在第三基板形成工序S3中，對第三玻璃基板(例如厚度尺寸為1.0mm)的兩面進行精密研磨，直至第三玻璃基板的表面粗糙度Ra為Inm以下。
[0170]并且，通過遮掩第三玻璃基板的表面的側壁部532的形成部分進行蝕刻，從而制造確定了頂面部531以及側壁部532的基板形狀的第三玻璃基板。
[0171]之后，例如利用激光切割等將第三玻璃基板切割為芯片單位。通過以上方式來制造第三基板53。
[0172](基板接合工序)
[0173]下面，對基板接合工序S4進行說明。圖10是示出基板接合工序S4中的第一玻璃基板Ml以及第二玻璃基板M2的狀態(tài)的圖。
[0174]在該基板接合工序S4中，首先，在第一玻璃基板Ml的接合部513和第二玻璃基板M2的接合部523上,通過例如等離子體CVD法等成膜以聚娃氧燒(polyorganosiloxane)為主要成分的等離子體聚合膜(接合膜57)。作為接合膜57的厚度，例如是IOnm至IOOOnm即可。
[0175]并且，為了對第一玻璃基板Ml以及第二玻璃基板M2的等離子體聚合膜賦予活化能，進行O2等離子體處理或UV處理。在O2等離子體處理的情況下，在O2流量1.8 X 10_3(m3/h)、壓力27Pa、RF功率200W的條件下，實施30秒。此外，在UV處理的情況下，使用準分子(excimer) UV (波長172nm)作為UV光源處理3分鐘。
[0176]在對等離子體聚合膜賦予了活化能之后，進行這些第一玻璃基板Ml以及第二玻璃基板M2的對準調(diào)整，隔著等離子體聚合膜重疊第一玻璃基板Ml以及第二玻璃基板M2，在接合部分上施加10分鐘例如98 (N)的負載。由此，如圖10 (A)所示，第一玻璃基板Ml以及第二玻璃基板M2彼此接合(間隙形成工序)。
[0177]之后，實施以芯片為單位取出第一基板51以及第二基板52的切割工序。具體而言，沿線BI對第一玻璃基板Ml進行切割。進而，沿在從第一玻璃基板Ml以及第二玻璃基板M2的厚度方向觀察的俯視觀察中與線BI相比其線間隔更窄的線B2來切割第二玻璃基板M2。對于第一玻璃基板Ml以及第二玻璃基板M2的切割，先進行哪一個都可以。這些切割可以利用例如劃線折斷(scribe break)、激光切割等。由此,如圖10 (B)所示,形成第一基板51以及第二基板52接合了的接合體。
[0178]之后，進行將該接合體收納于例如真空室內(nèi)等，置于真空環(huán)境下。并且，在維持該狀態(tài)的情況下，實施在第一基板51上接合第三基板53的接合工序。在接合工序中，首先，在第一基板51的接合部514上涂布漿料狀的低熔點玻璃、即接合部件58。由此，電極引出槽514B被接合部件58埋入，接合部件58緊地附著于在電極引出槽514B中配置的固定引出電極563以及可動引出電極564B。
[0179]之后，進行所述接合體以及第三基板53的對準調(diào)整，隔著接合部件58將第三基板53的側壁部532的端面532A和第一基板51的接合部514重疊。此時，電極引出槽514B的深度尺寸與固定引出電極563、可動引出電極564B的厚度尺寸為相同尺寸，因此，電極引出槽514B上的固定引出電極563、可動引出電極564B的上表面與接合部514為相同的高度。
[0180]此外，通過將第三基板53壓向第一基板51側，接合部件58沿電極引出槽514B的曲面514D被擠出。由此，接合部件58也適當?shù)亓魅氩⒕o地附著于固定引出電極563及可動引出電極564B與電極引出槽514B的邊界(角部分)，從而提高氣密性。之后，使接合部件58干燥以及燒成。
[0181]由此，如圖10 (C)所示，第一基板51和第三基板53接合(接合工序)。通過該接合，空間Dl在真空狀態(tài)下被氣密密封。
[0182]通過以上方式來制造波長可變干涉濾波器5。
[0183](第一實施方式的作用效果)
[0184]在本實施方式的波長可變干涉濾波器5中，固定引出電極563以及可動引出電極564B通過接合部件58跨氣密密封的空間Dl內(nèi)外地延伸。
[0185]由此，可以從引出至氣密密封的空間Dl之外的固定電極墊563P以及可動電極墊564P對固定電極561以及可動電極562施加電壓。此外，與將波長可變干涉濾波器收納在內(nèi)部被維持氣密的殼體中的構成相比，以芯片單體即可氣密密封空間D1，因此，可以使波長可變干涉濾波器5小型化。
[0186]此外，可以由設置于第一基板51的可動引出電極564B來進行設置于第二基板52的可動電極562的引出，因此，可以將引出用布線集成在第一基板51上，使對于波長可變干涉濾波器5的布線更為容易。此外，在墊設置部515上集成固定電極墊563P以及可動電極墊564P，因此，在布線時，僅對該墊設置部515連接FPC (Flexible Printed Circuits:柔性印刷電路)等即可，可以降低制造成本。
[0187]在本實施方式的波長可變干涉濾波器5中，在接合部514中的與側壁部532的端面532A相對的位置上設置有電極引出槽514B，固定引出電極563以及可動引出電極564B在電極引出槽514B內(nèi)延伸。
[0188]由此，與未形成有電極引出槽514B的情況相比，固定引出電極563以及可動引出電極564B的表面和接合部514的高低差更小。或者，成為固定引出電極563以及可動引出電極564B的表面低于接合部514的狀態(tài)。由此，可以抑制第三基板53發(fā)生傾斜，可以無間隙地接合端面532A和第一基板51，能夠進一步提高空間Dl的氣密性。特別是在本實施方式中，電極引出槽514B的深度尺寸是與固定引出電極563以及可動引出電極564B的厚度尺寸相同的尺寸，因此，固定引出電極563以及可動引出電極564B的表面和接合部514位于同一平面上。因此，可以更加可靠地抑制第三基板53的傾斜，能夠使空間Dl的氣密性提聞。
[0189]在本實施方式的波長可變干涉濾波器5中，接合部件58是低熔點玻璃。
[0190]由于低熔點玻璃對間隙的埋入性高，因此，在固定引出電極563以及可動引出電極564B通過的部位也可以無間隙地接合端面532A和接合部514，能夠進一步提高空間Dl的氣密性。
[0191]在本實施方式的波長可變干涉濾波器5中，電極引出槽514B具備與接合部514平行的底面514C、和從底面514C連接到接合部514的曲面514D。
[0192]由此，在接合第一基板51和第三基板53時，漿料狀的接合部件58沿曲面514D朝向配置于底面514C的固定引出電極563以及可動引出電極564B的兩端部流動。因此，接合部件58無間隙地進入該電極的兩端部和底面514C所成的角部分中。由此，可以抑制在接合部件58中產(chǎn)生氣泡、間隙，能夠進一步提高空間Dl的氣密性。
[0193](第二實施方式)
[0194]下面，根據(jù)附圖對本發(fā)明的第二實施方式進行說明。
[0195]圖11是第二實施方式中的波長可變干涉濾波器5A的截面圖。
[0196]在波長可變干涉濾波器5A中，在第一基板51上設置有布線用孔516，布線用孔516貫通接合部513以及第一基板的與第二基板52相對的面的相反一側的面(背面)。
[0197]此外,在本實施方式中,在第一基板51上未設置有可動引出電極564B。此外，固定引出電極563未配置于空間Dl之外,雖然沒有圖不,但是，固定引出電極563沿電極配置槽511的側面延伸至接合部513。
[0198]并且，在該布線用孔516內(nèi)設置有貫通電極59。貫通電極59例如設置有兩個，在接合部513處，一個貫通電極59與可動引出電極564A連接，另一個貫通電極59與固定引出電極563連接。這里，貫通電極59構成本發(fā)明的布線部。
[0199]并且，貫通電極59的露出于第一基板51的背面的端部作為與電壓控制部15連接的可動電極端子以及固定電極端子而發(fā)揮功能。因此，在本實施方式中，在第一基板51上未設置有墊設置部515。
[0200]而且，第三基板53的側壁部532的端面532A以及第一基板51的接合部514通過將AiuNi等金屬作為材料的接合部件58A而接合。其它的構成與第一實施方式中的波長可變干涉濾波器5相同。
[0201]例如可以通過在制作第一玻璃基板Ml的階段預先埋入金屬芯材(鎢鋼、鐵鎳合金以及鑰等)來形成貫通電極59。此外，在第一玻璃基板Ml上，使用激光、鉆頭來開布線用孔，也可以通過鍍Cu等來進行埋入而形成該布線用孔。此外，這時，從布線用孔中冒出的鍍層部件可以通過研磨等去除。
[0202]此外，在波長可變干涉濾波器5A的制造工序中，在第一基板51和第三基板53各自的基板形成工序中，分別在第一基板51的接合部514以及第三基板53的側壁部532的端面532A上事先形成金屬膜圖案。并且，在接合第一基板51和第三基板53時，在該金屬膜的表面上實施Ar等離子體處理進行活化，之后，使金屬膜貼緊并施加負載從而接合。此夕卜，這里，也可以使金屬膜彼此熔融而接合。
[0203]在本實施方式的波長可變干涉濾波器5A中，與固定引出電極563以及可動引出電極564A連接的貫通電極59貫通第一基板51，跨氣密密封的空間Dl的內(nèi)外延伸。
[0204]由此,可以從露出于第一基板51的背面的貫通電極59的端部對固定電極561以及可動電極562施加電壓。此外，與將波長可變干涉濾波器收納在內(nèi)部被維持氣密的殼體中的構成相比，以芯片單體即可氣密密封空間D1，因此，可以使波長可變干涉濾波器5A小型化。
[0205]此外，無需為了從空間Dl內(nèi)向外引出布線而在第一基板51上設置墊設置部，可以減小第一基板51的尺寸，能夠使波長可變干涉濾波器5A進一步小型化。
[0206]在本實施方式的波長可變干涉濾波器5A中，側壁部532的端面532A以及接合部514通過設置在各自上的金屬膜之間的金屬接合而接合。
[0207]由此，可以更加牢固地接合端面532A和接合部514，能夠進一步提高空間Dl的氣密性。此外，由于未使用粘結劑那樣的會產(chǎn)生氣體的材料，因此，可以維持空間Dl的真空狀態(tài)，此外，在惰性氣體等規(guī)定氣體充滿空間Dl的情況下，可以抑制其它氣體混入空間D1。
[0208](第三實施方式)
[0209]下面，根據(jù)附圖對本發(fā)明的第三實施方式進行說明。
[0210]圖12是第三實施方式中的波長可變干涉濾波器5B的截面圖。
[0211]在波長可變干涉濾波器5B中，在第三基板53的頂面部531設置有貫通頂面部531的貫通孔531A。貫通孔531A與空間Dl連通。并且，在貫通孔531A內(nèi)，埋入有例如以AuGe等金屬作為材料的密封部件60。通過該密封部件60來氣密密封空間Dl。其它構成和第一實施方式的波長可變干涉濾波器5相同。
[0212]圖13是示出第三實施方式中的基板接合工序的圖。
[0213]在波長可變干涉濾波器5B的制造工序中，在接合第一基板51以及第三基板53之前，在第三基板53上設置貫通孔53IA。此外，在貫通孔53IA的內(nèi)表面形成例如Au膜。此時，在貫通孔53IA內(nèi)未設置有密封部件60。
[0214]于是，如圖13 (A)所示，在大氣中接合第一基板51以及設置有貫通孔531A的第三基板53。
[0215]之后，通過貫通孔531A對空間Dl內(nèi)的氣體進行抽真空。而且，在進行了抽真空的狀態(tài)下，在貫通孔531A中配置金屬球，通過激光等使該金屬球熔融，從而如圖13 (B)所示，形成埋入貫通孔53IA的密封部件60。由此，空間Dl在真空狀態(tài)下被氣密密封。
[0216]此外，上述構成以及制造方法也可以應用于第二實施方式的波長可變干涉濾波器5A。
[0217]根據(jù)本實施方式的波長可變干涉濾波器5B，可以在大氣中而不是在真空室內(nèi)進行接合第一基板51和第三基板53的工序，能夠簡化制造工序。此外，例如在接合側壁部532的端面532A和接合部514時使用了粘結劑的情況下，即使該粘結劑所產(chǎn)生的氣體混入了空間Dl，也可以去除該氣體。[0218](第四實施方式)
[0219]下面，根據(jù)附圖對本發(fā)明的第四實施方式進行說明。
[0220]圖14是第四實施方式中的波長可變干涉濾波器5C的截面圖。
[0221]在波長可變干涉濾波器5C中，第三基板53的頂面部531以及側壁部532分別單獨構成。其它構成和第一實施方式的波長可變干涉濾波器5相同。
[0222]在本實施方式中，第三基板53的頂面部531以及側壁部532的材料和第一基板51相同。由此，可以在頂面部531、側壁部532以及第一基板51之間使熱膨脹系數(shù)相同，因此，可以抑制頂面部531以及第一基板51的熱膨脹導致的變形。因此，可以使射入到頂面部531或第一基板51的光適當?shù)胤止獠⑼高^。
[0223]根據(jù)本實施方式的波長可變干涉濾波器5C，可以分別形成頂面部531和側壁部532。在這種情況下，與例如對一張基板進行蝕刻來形成頂面部531和側壁部532的情況相t匕，可以縮短制造時間。此外，可以進一步提高頂面部531的表面的平坦性，因此，能夠抑制頂面部531上的光的折射、散射，使入射光適當?shù)赝高^。此外，可以使形成于頂面部531的光圈61容易地形成在頂面部531中與圖14所示的面相反的面、即與空間Dl相接的面上。通過使光圈61形成在與空間Dl相接的面上，使其位于距離固定反射膜54以及可動反射膜55較近的位置上，可以提高防止通過了沒有固定反射膜54以及可動反射膜55的區(qū)域的光作為雜散光混入的事態(tài)的效果。
[0224]此外，在上述第四實施方式中，頂面部531的材料可以是硼硅玻璃，側壁部532的材料可以是硅。由此，可以使頂面部531和側壁部532陽極接合，能夠更加牢固地接合頂面部531和側壁部532。而且，通過將硼硅玻璃用于第一基板51，可以使側壁部532和第一基板51陽極接合，能夠更加牢固地接合側壁部532和第一基板51。
[0225]此外，在上述第四實施方式中，頂面部531的材料可以是玻璃，側壁部532的材料可以是金屬。由此，無需在側壁部532的端面532A上另外形成金屬膜即可使側壁部532和第一基板51金屬接合，因此，可以使制造工序簡化。此外，在這種情況下，在頂面部531中的與側壁部532接合的部位形成金屬膜。
[0226](其它實施方式)
[0227]需要說明的是，本發(fā)明并不限定于上述的實施方式，在能夠達到本發(fā)明目的的范圍內(nèi)的變形、改良等均包含在本發(fā)明中。
[0228]例如，在上述實施方式中，在接合部513和接合部514之間設置了高低差使它們在不同的平面，但是，如圖15的波長可變干涉濾波器所示，也可以使接合部513和接合部514在相同平面。此時，還可以使墊設置部515和電極設置面511A以及電極引出槽513A的底面為相同平面。在這種情況下，在第一基板形成工序中，可以減少蝕刻的次數(shù)或縮短蝕刻的時間，能夠降低制造成本。
[0229]在上述實施方式中，可動引出電極564B沿電極配置槽511的側面延伸至接合部513，在接合部513與可動引出電極564A連接，但是，也可以通過電極配置槽511內(nèi)配置的導電性漿料與可動引出電極564A連接。
[0230]在上述實施方式的第一基板51和第三基板53的接合工序中，也可以在接合了第一玻璃基板Ml以及第二玻璃基板M2之后，例如通過干蝕刻來切割第二玻璃基板M2，之后，在未切割的第一基板51上接合第三基板53。由此，第三基板53的接合工序也可以通過晶片加工來進行，可以使制造工序簡化。
[0231]在上述實施方式中，接合部件58是低熔點玻璃，但是，在可以維持空間Dl的氣密性的情況下，也可以是樹脂性的粘結劑。
[0232]在上述第二實施方式中，接合部件58A是金屬，但是，也可以是低熔點玻璃。此外，在可以維持空間Dl的氣密性的情況下，接合部件58A也可以是樹脂性的粘結劑、或者硅氧烷聚合膜。
[0233]在上述第三實施方式中，貫通孔531A設置于第三基板53的頂面部531，但是，也可以設置于側壁部532或第一基板51。
[0234]在上述實施方式中，例示了通過由固定電極561以及可動電極562所構成的靜電致動器56而使反射膜間間隙Gl的尺寸可變的構成，但是，并不限定于此。
[0235]例如，可以是使用設置于第一基板51的第一感應線圈和設置于第二基板52的第二感應線圈或永磁鐵所構成的介質致動器的構成。
[0236]而且，可以是使用壓電致動器來取代靜電致動器56的構成。在這種情況下，例如使下部電極層、壓電膜、以及上部電極層層壓配置在保持部522上，使施加于下部電極層和上部電極層之間的電壓作為輸入值而可變，從而可以使壓電膜伸縮，使保持部522撓曲。
[0237]而且，并不限定于通過施加電壓來使反射膜間間隙Gl的大小變化的構成，例如，還可以例示出通過使第一基板51以及第二基板52之間的氣壓相對于波長可變干涉濾波器5的外部的氣壓發(fā)生變化來調(diào)整反射膜間間隙Gl的大小的構成等。
[0238]此外，作為本發(fā)明的電子設備，在上述各實施方式中例示了分光測定裝置1，但是，此外還可以根據(jù)各個領域應用本發(fā)明的波長可變干涉濾波器5、光學模塊、以及電子設備。
[0239]例如，如圖16所示，還可以將本發(fā)明的電子設備應用于用于測定顏色的測色裝置。
[0240]圖16是示出具備波長可變干涉濾波器5的測色裝置400的一個例子的框圖。
[0241]如圖16所示，該測色裝置400具備向檢查對象A射出光的光源裝置410、測色傳感器420 (光學模塊)、以及控制測色裝置400的整體動作的控制裝置430 (控制部)。并且，該測色裝置400是以下所述的裝置:使由光源裝置410射出的光在檢查對象A反射，由測色傳感器420接收所反射的檢查對象光，基于從測色傳感器420輸出的檢測信號，對檢查對象光的色度、即檢查對象A的顏色進行分析、測定。
[0242]光源裝置410具備光源411、多個透鏡412 (圖16中僅記載了一個)，向檢查對象A射出例如基準光(例如、白色光)。此外，在多個透鏡412中可以包括準直透鏡，在這種情況下，光源裝置410通過準直透鏡使從光源411射出的基準光成為平行光，從未圖示的投射透鏡向檢查對象A射出。此外，在本實施方式中，例示了具備光源裝置410的測色裝置400，但是，例如在檢查對象A是液晶面板等發(fā)光部件的情況下，也可以是未設置有光源裝置410的構成。
[0243]如圖16所示，測色傳感器420具備波長可變干涉濾波器5、接收透過波長可變干涉濾波器5的光的檢測器11、以及控制向波長可變干涉濾波器5的靜電致動器56施加的電壓的電壓控制部15。此外，測色傳感器420在與波長可變干涉濾波器5相對的位置上具備將檢查對象A所反射的反射光(檢查對象光)向內(nèi)部導光的未圖示的入射光學透鏡。并且，該測色傳感器420通過波長可變干涉濾波器5對從入射光學透鏡射入的檢查對象光中的規(guī)定波長的光進行分光，并由檢測器11接收分光后的光。
[0244]控制裝置430是本發(fā)明的控制部，用于控制測色裝置400的整體動作。
[0245]作為該控制裝置430，可以使用例如通用個人電腦、便攜式信息終端，其它測色專用電腦等。并且，如圖16所示，控制裝置430構成為具備光源控制部431、測色傳感器控制部432、以及測色處理部433等。
[0246]光源控制部431與光源裝置410連接，例如基于用戶的設定輸入，向光源裝置410輸出規(guī)定的控制信號，并射出規(guī)定亮度的白色光。
[0247]測色傳感器控制部432與測色傳感器420連接，例如基于用戶的設定輸入，對由測色傳感器420接收的光的波長進行設定，并向測色傳感器420輸出旨在檢測該波長的光的受光量的指令信號。由此，測色傳感器420的電壓控制部15基于控制信號向靜電致動器56施加電壓，使波長可變干涉濾波器5驅動。
[0248]測色處理部433從檢測器11檢測到的受光量對檢查對象A的色度進行分析。此夕卜，測色處理部433也可以和上述第一實施方式同樣地，將檢測器11所獲得的光量作為計測光譜D，使用推定矩陣Ms來推算分光光譜S，從而對檢查對象A的色度進行分析。
[0249]此外，作為本發(fā)明的電子設備的其它例子，可以列舉出用于檢測特定位置的存在的基于光的系統(tǒng)。作為這樣的系統(tǒng)，例如可以例示出:采用使用了本發(fā)明的波長可變干涉濾波器5的分光計量方式來高敏度檢測特定氣體的車載用氣體泄漏檢測器、呼吸檢查用的光聲惰性氣體檢測器等氣體檢測裝置。
[0250]下面，根據(jù)附圖對這樣的氣體檢測裝置的一個例子進行說明。
[0251]圖17是示出具備波長可變干涉濾波器5的氣體檢測裝置的一個例子的概略圖。
[0252]圖18是示出圖17的氣體檢測裝置的控制系統(tǒng)的構成的框圖。
[0253]如圖17所示，該氣體檢測裝置100構成為具備:傳感器芯片110、具備吸入口120A、吸入流路120B、排出流路120C及排出口 120D的流路120、以及主體部130。
[0254]主體部130由具有可以裝卸流路120的開口的傳感器部蓋131、排出單元133、殼體134、光學部135、濾光器136、波長可變干涉濾波器5、包含受光元件137 (檢測部)等的檢測裝置、控制部138、以及電力供給部139等構成，控制部138處理所檢測到的信號并控制檢測部，電力供給部139用于供給電力。此外，光學部135由射出光的光源135A、光束分離器135B、以及透鏡135C、135D、135E構成，光束分離器135B向傳感器芯片110側反射從光源135A射入的光，并使從傳感器芯片側射入的光透過至受光元件137偵U。
[0255]此外，如圖18所示，在氣體檢測裝置100的表面上設置有操作面板140、顯示部141、用于和外部的接口的連接部142、電力供給部139。在電力供給部139是二次電池的情況下，還可以具備用于充電的連接部143。
[0256]而且，如圖18所示，氣體檢測裝置100的控制部138具備:由CPU等構成的信號處理部144、用于控制光源135A的光源驅動器電路145、用于控制波長可變干涉濾波器5的電壓控制部146、用于接收來自于受光元件137的信號的受光電路147、接收來自于傳感器芯片檢測器148的信號的傳感器芯片檢測電路149、以及控制排出單元133的排出驅動器電路150等，其中，傳感器芯片檢測器148讀取傳感器芯片110的代碼，檢測傳感器芯片110的有無。此外，氣體檢測裝置100中具備存儲V-λ數(shù)據(jù)的存儲部(省略圖示)。
[0257]下面，將對上述的氣體檢測裝置100的動作進行以下說明。[0258]在主體部130的上部的傳感器部蓋131的內(nèi)部設置有傳感器芯片檢測器148，通過該傳感器芯片檢測器148檢測傳感器芯片110的有無。信號處理部144在檢測到來自于傳感器芯片檢測器148的檢測信號的情況下，判斷為是安裝有傳感器芯片110的狀態(tài)，并向顯示部141輸出使其顯示可實施檢測動作的旨意的顯示信號。
[0259]并且，例如在用戶操作操作面板140，從操作面板140向信號處理部144輸出旨在開始檢測處理的指示信號時，首先，信號處理部144向光源驅動器電路145輸出光源動作的信號，使光源135A進行動作。在光源135A被驅動的情況下,從光源135A以單一波長射出直線偏振光的穩(wěn)定的激光。此外，在光源135A中內(nèi)置有溫度傳感器、光量傳感器,其信息向信號處理部144輸出。并且，信號處理部144在基于從光源135A輸入的溫度、光量判斷為光源135A在穩(wěn)定動作中的情況下，控制排出驅動器電路150，使排出單元133動作。由此，含有要檢測的目標物質(氣體分子)的氣體樣本從吸入口 120A被引向吸入流路120B、傳感器芯片110內(nèi)、排出流路120C、排出口 120D。此外，在吸入口 120A設置有除塵過濾器120A1，用于去除比較大的粉塵、一部分的水蒸氣等。
[0260]此外，傳感器芯片110是組裝有多個金屬納米結構體、利用了局域表面等離子體共振的傳感器。在這樣的傳感器芯片110中，通過激光在金屬納米結構體之間形成增強電場，如果氣體分子進入該增強電場內(nèi)，則會產(chǎn)生含有分子振動的信息的拉曼散射光以及瑞利散射光。
[0261]這些瑞利散射光、拉曼散射光通過光學部135射入濾光器136,瑞利散射光被濾光器136分離，拉曼散射光射入到波長可變干涉濾波器5。于是，信號處理部144向電壓控制部146輸出控制信號。由此，電壓控制部146如上述第一實施方式所示，從存儲部讀入測定對象波長所對應的電壓值，將該電壓施加于波長可變干涉濾波器5的靜電致動器56，在波長可變干涉濾波器5中使作為檢查對象的氣體分子所對應的拉曼散射光分光。之后，由受光元件137接收到分光后的光的情況下，受光量所對應的受光信號通過受光電路147向信號處理部144輸出。在這種情況下，可以從波長可變干涉濾波器5高精度地提取作為目標的拉曼散射光。
[0262]信號處理部144將如上所述地獲得的作為檢測對象的氣體分子所對應的拉曼散射光的光譜數(shù)據(jù)和ROM中存儲的數(shù)據(jù)進行比較，判斷是否是目標氣體分子，進行物質的指定。此外，信號處理部144使顯示部141顯示該結果信息，或將其從連接部142向外部輸出。
[0263]此外，在上述圖17以及圖18中，例示了由波長可變干涉濾波器5對拉曼散射光進行分光且從分光后的拉曼散射光來進行氣體檢測的氣體檢測裝置100，但是，作為氣體檢測裝置，也可以用作通過檢測氣體固有的吸光度來指定氣體類別的氣體檢測裝置。在這種情況下，將使氣體流入傳感器內(nèi)部、檢測入射光中被氣體吸收的光的氣體傳感器用作本發(fā)明的光學模塊。并且，將通過這樣的氣體傳感器來分析、判斷流入傳感器內(nèi)的氣體的氣體檢測裝置作為本發(fā)明的電子設備。在這樣的構成中，也可以采用波長可變干涉濾波器5來檢測氣體的成分。
[0264]此外，作為用于檢測特定物質的存在的系統(tǒng)，并不限定于上述的氣體的檢測，還可以例示出利用近紅外線分光的糖類的非侵入式測定裝置、或食物、生物體、礦物等信息的非侵入式測定裝置等物質成分分析裝置。
[0265]下面，作為上述物質成分分析裝置的一個例子，對食物分析裝置進行說明。[0266]圖19是示出利用了波長可變干涉濾波器5的電子設備的一個例子、即食物分析裝置的概略構成的圖。
[0267]如圖19所示，該食物分析裝置200具備檢測器210 (光學模塊)、控制部220、和顯示部230。檢測器210具備射出光的光源211、被導入來自于測定對象物的光的攝像透鏡
212、對從攝像透鏡212導入的光進行分光的波長可變干涉濾波器5、以及檢測分光后的光的攝像部213 (檢測部)。
[0268]此外，控制部220具備:光源控制部221，實施光源211的亮燈.滅燈控制、亮燈時的亮度控制；電壓控制部222，控制波長可變干涉濾波器5 ;檢測控制部223，控制攝像部213，獲取攝像部213所拍攝的分光圖像；信號處理部224 ;以及存儲部225。
[0269]在該食物分析裝置200中，在使系統(tǒng)驅動的情況下，由光源控制部221控制光源211，從光源211對測定對象物照射光。于是，被測定對象物所反射的光通過攝像透鏡212射入到波長可變干涉濾波器5中。波長可變干涉濾波器5通過電壓控制部222的控制而被驅動。由此，可從波長可變干涉濾波器5高精度地提取目標波長的光。于是，所提取的光被例如由CCD照相機等構成的攝像部213所拍攝。并且，被拍攝的光作為分光圖像被存儲在存儲部225中。此外，信號處理部224控制電壓控制部222，使施加于波長可變干涉濾波器5的電壓值發(fā)生變化，從而獲取對于各波長的分光圖像。
[0270]并且，信號處理部224對存儲部225中存儲的各圖像中的各像素的數(shù)據(jù)進行運算處理，求得各像素中的光譜。此外，在存儲部225中，存儲有例如針對光譜的食物的成分相關的信息，信號處理部224基于存儲部225中存儲的食物相關的信息對求得的光譜的數(shù)據(jù)進行分析，求出檢測對象所包含的食物成分及其含量。此外，還可以從獲得的食物成分及含量算出食物卡路里、新鮮度等。而且，通過分析圖像內(nèi)的光譜分布，還可以實施檢查對象食物中新鮮度下降的部分的提取等，進而，還可以實施食物內(nèi)所含的異物等的檢測。
[0271]并且，信號處理部224進行使顯示部230顯示如上所述地獲得的檢查對象食物的成分、含量、卡路里、新鮮度等信息的處理。
[0272]此外，在圖19中，示出了食物分析裝置200的例子，但是，也可以基于大致相同的構成，用作如上所述的其它的信息的非侵入式測定裝置。例如，可以用作血液等體液成分的測定、分析等的進行生物體成分的分析的生物體分析裝置。作為這樣的生物體分析裝置，例如作為測定血液等體液成分的裝置，如果是用于檢測酒精的裝置，則可以用作檢測駕駛員的飲酒狀態(tài)的防酒駕裝置。此外，還可以用作具備這樣的生物體分析裝置的電子內(nèi)窺鏡系統(tǒng)。
[0273]而且，還可以用作實施礦物的成分分析的礦物分析裝置。
[0274]而且，本發(fā)明的波長可變干涉濾波器、光學模塊以及電子設備可以應用于以下所述的裝置。
[0275]例如，通過使各波長的光的強度隨著時間的推移發(fā)生變化，還可以通過各波長的光來傳送數(shù)據(jù)，在這種情況下，通過光學模塊中設置的波長可變干涉濾波器5對特定波長的光進行分光，并由受光部來接收光，從而可以提取由特定波長的光所傳送的數(shù)據(jù)，通過具備這樣的數(shù)據(jù)提取用光學模塊的電子設備處理各波長的光的數(shù)據(jù)，還可以實施光通信。
[0276]此外，作為電子設備，還可以應用于通過本發(fā)明的波長可變干涉濾波器對光進行分光來拍攝分光圖像的分光照相機、分光分析機等。作為這樣的分光照相機的一個例子，可以列舉內(nèi)置有波長可變干涉濾波器5的紅外線照相機。
[0277]圖20是示出分光照相機的概略構成的示意圖。如圖20所示，分光照相機300具備照相機主體310、攝像透鏡單元320、和攝像部330 (檢測部)。
[0278]照相機主體310是由用戶把持、操作的部分。
[0279]攝像透鏡單元320設置于照相機主體310，將射入的圖像光引導至攝像部330。此夕卜，如圖20所示，該攝像透鏡單元320構成為具備物鏡321、成像透鏡322、以及設置在這些透鏡之間的波長可變干涉濾波器5。
[0280]攝像部330由受光元件構成，用于拍攝被攝像透鏡單元320引導的圖像光。
[0281]在這樣的分光照相機300中，通過波長可變干涉濾波器5而使作為拍攝對象的波長的光透過，從而可以拍攝期望波長的光的分光圖像。
[0282]而且，還可以將本發(fā)明的波長可變干涉濾波器用作帶通濾波器，例如還可以用作由波長可變干涉濾波器5僅對發(fā)光元件射出的規(guī)定波長區(qū)域的光中以規(guī)定波長為中心的窄頻帶的光進行分光并使其透過的光學式激光裝置。
[0283]此外，還可以將本發(fā)明的波長可變干涉濾波器用作生物體認證裝置，例如還可應用于利用近紅外區(qū)域、可見區(qū)域的光的、血管、指紋、視網(wǎng)膜、虹膜等的認證裝置。
[0284]而且，可以將光學模塊以及電子設備用作濃度檢測裝置。在這種情況下，通過波長可變干涉濾波器5對從物質射出的紅外能量(紅外光)進行分光、分析，從而來測定樣品中的被檢體濃度。
[0285]如上所述，本發(fā)明的波長可變干涉濾波器、光學模塊以及電子設備還可以應用于從入射光對規(guī)定的光進行分光的任何裝置。并且，如上所述，本發(fā)明的波長可變干涉濾波器能夠以一個器件來對多個波長進行分光，因此，可以高精度地實施多個波長的光譜的測定、對多個成分的檢測。因此，與通過多個器件來提取期望波長的現(xiàn)有的裝置相比，可以促進光學模塊和電子設備的小型化，例如，可適合用作便攜用或車載用的光學器件。
[0286]此外，實施本發(fā)明時的具體構造可以在能夠達到本發(fā)明目的的范圍內(nèi)適當變更為其它構造等。
【權利要求】
1.一種波長可變干涉濾波器，其特征在于，具備: 第一基板； 與所述第一基板相對配置的第二基板； 設置在所述第一基板上的第一反射膜； 在所述第二基板上與所述第一反射膜相對設置的第二反射膜； 變更所述第一反射膜以及所述第二反射膜之間的間隙尺寸的間隙變更部； 與所述間隙變更部連接的布線部；以及 第三基板，所述第三基板具備與所述第一基板相對的頂面部以及設置于所述頂面部的周圍且與所述第一基板接合的側壁部， 其中，由所述第三基板的所述頂面部、所述側壁部以及所述第一基板圍成的空間被氣密密封， 在所述空間內(nèi)配置有所述第二基板以及所述間隙變更部， 所述布線部設置于所述第一基板，跨所述空間的內(nèi)外而設置。
2.根據(jù)權利要求 1所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于， 所述間隙變更部具備設置于所述第一基板的第一電極、以及設置于所述第二基板且與所述第一電極相對配置的第二電極， 在所述第二基板上設置有與所述第二電極連接的連接電極， 所述布線部具備與所述第一電極連接的第一引出電極、以及與所述連接電極連接的第二引出電極。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于，所述波長可變干涉濾波器具備: 接合部件，所述接合部件設置于所述第三基板的所述側壁部的端面以及所述第一基板之間，用于接合所述端面以及所述第一基板， 所述布線部通過設置有所述接合部件的區(qū)域，跨所述空間的內(nèi)外而延伸。
4.根據(jù)權利要求3所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于， 在所述第一基板中的與所述側壁部的所述端面相對的位置上設置有槽，所述布線部在所述槽內(nèi)延伸。
5.根據(jù)權利要求3或4所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于， 所述接合部件是低熔點玻璃。
6.根據(jù)權利要求1或2所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于， 所述布線部貫通所述第一基板，跨所述空間的內(nèi)外而延伸。
7.根據(jù)權利要求6所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于， 所述側壁部的所述端面以及所述第一基板通過設置在各自上的金屬膜之間的金屬接合而接合。
8.根據(jù)權利要求6所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于， 所述側壁部的所述端面以及所述第一基板采用低熔點玻璃而接合。
9.根據(jù)權利要求1至8中任一項所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于， 在所述第一基板和所述第三基板中的至少一方上設置有貫通孔， 所述波長可變干涉濾波器具備密封所述貫通孔的密封部件。
10.根據(jù)權利要求1至9中任一項所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于， 所述頂面部以及所述側壁部單獨構成。
11.根據(jù)權利要求10所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于， 所述頂面部以及所述側壁部的材料和所述第一基板相同。
12.根據(jù)權利要求10所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于， 所述頂面部的材料是硼硅玻璃，所述側壁部的材料是硅。
13.根據(jù)權利要求10所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于， 所述頂面部的材料是玻璃，所述側壁部的材料是金屬。
14.一種波長可變干涉濾波器的制造方法，其特征在于，具有: 第一基板形成工序，在第一基板上形成反射入射光的一部分而使一部分透過的第一反射膜、第一電極、以及布線部； 第二基板形成工序，在第二基板上形成反射入射光的一部分而使一部分透過的第二反射膜、以及第二電極； 第三基板形成工序，形成第三基板，其中，所述第三基板具備頂面部、以及從所述頂面部的厚度方向觀察的俯視觀察的形狀為框狀的側壁部； 間隙形成工序，配置所述第一基板以及所述第二基板，以使所述第一反射膜以及所述第二反射膜相對，所述第一電極以及所述第二電極相對；以及接合工序，接合所述第一基板和所述第三基板， 其中，在所述接合工序中，配置所述第一基板以及所述第三基板，以使所述第二基板位于由所述頂面部、所述側壁部以及所述第一基板圍成的空間中且所述布線部位于跨所述空間的內(nèi)外，并且，接合所述側壁部的與所述第一基板相對的端面以及所述第一基板，對所述空間進行氣密密封。
15.根據(jù)權利要求14所述的波長可變干涉濾波器的制造方法，其特征在于， 在所述接合工序中，在所述第三基板的所述側壁部的所述端面以及所述第一基板上形成金屬膜，通過接合所形成的金屬膜彼此，從而接合所述端面以及所述第一基板。
16.根據(jù)權利要求14所述的波長可變干涉濾波器的制造方法，其特征在于， 在所述接合工序中，使用低熔點玻璃來接合所述第三基板的所述側壁部的所述端面以及所述第一基板。
17.根據(jù)權利要求14至16中任一項所述的波長可變干涉濾波器的制造方法，其特征在于， 在所述第三基板形成工序中，在所述第三基板上形成貫通孔， 在所述接合工序中，在接合了所述側壁部的所述端面以及所述第一基板之后，通過所述貫通孔對所述空間內(nèi)的氣體抽真空，之后，通過密封所述貫通孔來氣密密封所述空間。
18.一種光學模塊，其特征在于，具備: 第一基板； 與所述第一基板相對配置的第二基板； 第一反射膜，設置在所述第一基板上，反射入射光的一部分而使一部分透過； 第二反射膜，在所述第二基板上與所述第一反射膜相對設置，反射入射光的一部分而使一部分透過；間隙變更部，用于變更所述第一反射膜以及所述第二反射膜之間的間隙尺寸； 布線部，與所述間隙變更部連接； 第三基板，具備頂面部以及側壁部，所述側壁部從所述頂面部位于所述第一基板側，在從所述頂面部的厚度方向觀察的俯視觀察中，所述側壁部的形狀為框狀；以及 檢測部，用于檢測射入到所述第一反射膜和所述第二反射膜之間的光相干涉而被選擇的波長的光， 其中，接合所述第三基板的所述側壁部的和所述第一基板相對的端面以及所述第一基板，由所述第三基板的所述頂面部、所述側壁部以及所述第一基板圍成的空間被氣密密封，在所述空間中，配置有所述第二基板以及所述間隙變更部， 所述布線部設置于所述第一基板，跨所述空間的內(nèi)外而延伸。
19.一種電子設備,其特征在于,具備: 波長可變干涉濾波器以及用于控制所述波長可變干涉濾波器的控制部， 所述波長可變干涉濾波器具備:第一基板；與所述第一基板相對配置的第二基板?’第一反射膜，設置在所述第一基板上，反射入射光的一部分而使一部分透過；第二反射膜，在所述第二基板上與所述第一反射膜相對設置，反射入射光的一部分而使一部分透過；間隙變更部，用于變更所述第一反射膜以及所述第二反射膜之間的間隙尺寸；布線部，與所述間隙變更部連接；以及第三基板，具備頂面部以及側壁部，所述側壁部從所述頂面部位于所述第一基板側，在從所述頂面部的厚度方向觀察的俯視觀察中，所述側壁部的形狀為框狀，其中，接合所述第三基板的所述側壁部的和所述第一基板相對的端面以及所述第一基板，由所述第三基板的所述頂面部、所述側壁部以及所述第一基板圍成的空間被氣密密封，在所述空間中，配置有所述第二基板以及所述間隙變更部， 所述布線部設置于所述第一基板，跨所述空間的內(nèi)外而延伸。
【文檔編號】G01J3/02GK103913836SQ201410001372
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2014年1月2日 優(yōu)先權日:2013年1月7日
【發(fā)明者】佐野朗, 北原浩司 申請人:精工愛普生株式會社
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