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磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源及質(zhì)譜分析器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源，包括用于產(chǎn)生常壓微輝光放電的離子源本體、用于提供約束微輝光放電等離子體和樣品離子的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的亥姆霍茲線圈、用于產(chǎn)生靜電場(chǎng)來(lái)輔助聚焦帶電粒子的環(huán)形電極；離子源本體處于亥姆霍茲線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)中，離子源本體產(chǎn)生的離子流通過(guò)環(huán)形電極產(chǎn)生的電場(chǎng)。本發(fā)明還公開一種采用磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源構(gòu)成的質(zhì)譜分析器。本發(fā)明能耗低、外形小巧、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作簡(jiǎn)便、對(duì)外界影響小、信號(hào)增強(qiáng)程度大、無(wú)需樣品預(yù)處理、分析迅速、能達(dá)成無(wú)傷分析、清潔無(wú)污染。
【專利說(shuō)明】磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源及質(zhì)譜分析器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及檢測(cè)【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離 子源及質(zhì)譜分析器。

【背景技術(shù)】
[0002] 質(zhì)譜分析法是通過(guò)對(duì)被測(cè)樣品離子的質(zhì)荷比的測(cè)定來(lái)進(jìn)行質(zhì)譜分析的一種方 法。作為分析科學(xué)中的重要檢測(cè)工具，質(zhì)譜儀具有靈敏度高、分析速度快、選擇性好、可用 于化學(xué)計(jì)量學(xué)等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛地用于化學(xué)、化工、材料、環(huán)境、地質(zhì)、能源、藥物、刑偵、生命 科學(xué)、運(yùn)動(dòng)醫(yī)學(xué)等各個(gè)領(lǐng)域，且在痕量待測(cè)物的定性及定量中發(fā)揮著巨大的作用。長(zhǎng)期以 來(lái)，人們一直致力于提高質(zhì)譜儀的分析性能，而這種性能的提高主要是從優(yōu)化質(zhì)譜儀的結(jié) 構(gòu)入手。質(zhì)譜分析儀的結(jié)構(gòu)主要包括離子源、質(zhì)量分析器、檢測(cè)器和真空系統(tǒng)。為提高質(zhì) 譜分析的靈敏度，并滿足不同的分析目的，人們開發(fā)出了各式質(zhì)量分析器，包括離子阱、四 級(jí)桿、軌道阱、飛行時(shí)間質(zhì)量分析器等。除此之外，樣品的離子化效率和離子在離子源與質(zhì) 譜儀進(jìn)樣口之間的傳輸效率是主導(dǎo)質(zhì)譜性能的關(guān)鍵因素。為了提高離子化效率，已有商業(yè) 化的電噴霧電離源（Electrospray ionization,ESI)、大氣壓化學(xué)電離源（Atmospheric pressure chemical ionization, APCI)、基質(zhì)輔助激光解吸電離源（Matrix assisted laser desorption ionization, MALDI)等通過(guò)電噴霧、高壓氣體放電、基質(zhì)、激光等方式來(lái) 提高能力傳遞的效率以滿足對(duì)不同性質(zhì)樣品的離子化。同時(shí)，質(zhì)子轉(zhuǎn)移反應(yīng)質(zhì)譜（PTR-MS) 和選擇離子化漂移管質(zhì)譜（SIFT-MS)利用靜電場(chǎng)來(lái)提取和聚焦帶電粒子，從而提高了離子 源與質(zhì)譜進(jìn)樣口之間的離子傳輸效率。也有報(bào)道利用磁場(chǎng)來(lái)替代靜電場(chǎng)以實(shí)現(xiàn)對(duì)目標(biāo)離子 的聚焦的，但到目前為止磁場(chǎng)只被用于非常壓環(huán)境下對(duì)高能電子及離子的約束，并且磁場(chǎng) 強(qiáng)度往往高達(dá)幾百至幾千高斯（Gs)，這可能會(huì)影響質(zhì)譜儀中其它部件的正常運(yùn)轉(zhuǎn)。
[0003] 近年來(lái)，常壓離子化技術(shù)因其常壓的操作環(huán)境、無(wú)需樣品預(yù)處理、高通量、快速響 應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)，在儀器分析、食品分析、有機(jī)化學(xué)、高分子、生物等領(lǐng)域受到廣泛的關(guān)注。常壓開 源質(zhì)譜離子化技術(shù)（Ambient mass spectrometry)始于2004年R. G. Cooks等人報(bào)道的解 吸電噴霧電離技術(shù)（Desorption Electrospray Ionization，DESI),以及 R.B. Cody 等于 2005年提出的直接實(shí)時(shí)分析電離技術(shù)（Direct Analysis in Real Time, DART)。其它近 年來(lái)出現(xiàn)的此類常壓離子源還有解吸常壓化學(xué)電離（Desorption Atmospheric Pressure Chemical Ionization, DAPCI)、介質(zhì)阻擋放電電離（Dielectrical Barrier Discharge Ionization, DBDI)、流動(dòng)大氣壓余輝（Flowing Atmospheric Pressure Afterglow, FAPA)、 解吸大氣壓光致電禹（Desorption Atmospheric Pressure Photoionization，DAPPI)、 探針電噴霧電離（Probe Electrospray Ionization, PESI)、微波誘導(dǎo)等尚子體解吸電尚 (Microwave-Induced Plasma Desorption Ionization，MIPDI)等。這類常壓尚子源的工 作原理主要包括解吸和電離兩大過(guò)程。其產(chǎn)生離子的大致過(guò)程包括：一定的光源（紅外、 紫外），或者一定的能量源（電場(chǎng)、熱能）作用于一定載體（氣體、試劑）產(chǎn)生具有一定能 量的帶電體，作用于樣品表面，使樣品表面的分子發(fā)生解吸的同時(shí)或隨后進(jìn)行離子化。這些 技術(shù)都在各領(lǐng)域發(fā)揮重大作用，但在常壓環(huán)境下樣品離子易受外界千擾使得離t傳輸效 率大大降低，從而極大限制了常壓質(zhì)譜分析的靈敏度。同時(shí)，這類常壓離子源^要高的能量 源、高熱量使質(zhì)譜圖復(fù)雜化、離子源結(jié)構(gòu)復(fù)雜、制作成本高，因而還需進(jìn)一步提高與改進(jìn)。因 此，開發(fā)提供一種保證高離子傳輸效率的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、耗能低、軟電離的常壓離子化技術(shù)具有 重大意義。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明旨在提供一種基于磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電等離子體的常壓微輝光放 電解吸質(zhì)譜離子源，以及由其構(gòu)成的常壓解吸質(zhì)譜分析器，以解決現(xiàn)有常壓質(zhì)譜離子化技 術(shù)存在的問題。
[0005] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明是采用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：
[0006] 本發(fā)明提供的磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源，其構(gòu)成主要包括提供 磁場(chǎng)以約束微等離子體及其它帶電粒子的亥姆霍茲線圈、常壓微輝光放電等離子體離子 源、提供靜電場(chǎng)以輔助聚焦帶電粒子的環(huán)形電極，所述離子源本體處于亥姆霍茲線圈產(chǎn)生 的磁場(chǎng)中，離子源本體產(chǎn)生的離子流通過(guò)環(huán)形電極產(chǎn)生的電場(chǎng)。
[0007] 在本發(fā)明的上述技術(shù)方案中，所述常壓微輝光放電等離子體離子源的構(gòu)成包括在 絕緣材質(zhì)基體件上加工出來(lái)的微等離子體發(fā)生腔、固定設(shè)置在微等離子體發(fā)生腔壁面上用 于擊穿工作氣產(chǎn)生放電的一對(duì)電極和固定在微等離子體發(fā)生腔進(jìn)口端用于連接工作氣引 入系統(tǒng)的氣路轉(zhuǎn)換接頭，所述電極與80?3000V的直流穩(wěn)壓電源連接。所述電極最好與電 壓可在200?500V范圍調(diào)節(jié)的直流穩(wěn)壓電源連接；微等離子體發(fā)生腔進(jìn)口通過(guò)氣路轉(zhuǎn)換接 頭最好與設(shè)計(jì)有氣體流量控制器的工作氣引入系統(tǒng)連接，以保證工作氣體的流速被控制在 0. 5L/min?2.5L/min范圍。工作氣體的流速超出此范圍（低于〇.5L/min或高于2.5L/ min)，本發(fā)明所提供的離子源仍可正常工作。施加于電極的工作電壓一般在2〇〇?500V的 范圍，總功率小于4W。
[0008] 在本發(fā)明的上述技術(shù)方案中，所述微等離子體發(fā)生腔優(yōu)先考慮采用斷面為矩形的 管腔，且管腔斷面的高度或?qū)挾戎坏陀?毫米。所述電極優(yōu)先采用片狀電極。構(gòu)成電極 對(duì)的兩片電極最好面對(duì)面地固定設(shè)置在微等離子體發(fā)生腔內(nèi)兩壁面距離不大于i毫米的 兩壁面上。用于固定設(shè)置片狀電極的微等離子體發(fā)生腔內(nèi)的壁面，其在垂直于管腔方向的 尺寸最好不小于1毫。所述電極最好固定在微等離子體發(fā)生腔內(nèi)距離其噴出口小于等于10 毫米位置處，通常采用的距離為1?3毫米。 '
[0009] 在本發(fā)明的上述技術(shù)方案中，所述電極的材質(zhì)為導(dǎo)電的金屬材料如，鈾、銅、銀，最 好為純度不低于"· 99%鉬或黃銅；所述基體件的材質(zhì)為絕緣材料如，三氧化二培、聚四氟 乙烯、石英或電木；最好為純度不低于96%的三氧化二鋁、電木、石英等。
[0010]在本發(fā)明的上述技術(shù)方案中，所述提供磁場(chǎng)的亥姆霍茲線圈的構(gòu)成包括絕緣體支 架和兩個(gè)共軸平行的串聯(lián)線圈。所述線圈在絕緣支架上繞制而成，兩個(gè)線圈串聯(lián),繞線距 數(shù)、半徑相同，線圈之間的距離等于線圈半徑。所述連個(gè)線圈中的電流同向，由可于^ 15A 范圍內(nèi)提供電流的低壓直流電源提供。所述線圈提供的磁場(chǎng)與電流成正比，磁場(chǎng)根據(jù)線圈 電流可調(diào)，范圍最好包括10?50Gs。每個(gè)線圈的直徑不小于微等離子體發(fā)生腔基體的寬 度。 u ^
[0011] 在本發(fā)明的上述技術(shù)方案中，所述絕緣體支架的材質(zhì)為陶瓷、三氧化二鋁、聚四氟 乙烯、石英或電木；所述線圈導(dǎo)線的材質(zhì)為導(dǎo)電金屬材料如，銅、鋁、銀。
[0012] 在本發(fā)明的上述技術(shù)方案中，所述提供靜電場(chǎng)以輔助聚焦帶電粒子的環(huán)形電極 內(nèi)外徑、厚度尺寸不限，內(nèi)徑應(yīng)不小于所述常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源的等離子體出 口寬度。所述環(huán)形電極的電勢(shì)由電壓在-L500V?1500V范圍內(nèi)可調(diào)的高壓靜電源提供，靜 電源可調(diào)節(jié)的電壓范圍最好包括-400V?400V。
[0013] 在本發(fā)明的上述技術(shù)方案中，所述提供靜電場(chǎng)以輔助聚焦帶電粒子的環(huán)形電極的 材質(zhì)為導(dǎo)電材料如，銅、鋼、貼、鋁、怕、銀。
[0014] 由上述磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源構(gòu)成的質(zhì)譜分析器，其構(gòu)成包 括工作氣引入系統(tǒng)、樣品引入系統(tǒng)、常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源、環(huán)形電極、磁場(chǎng)、可提 供電壓范圍包括80?3000V的直流穩(wěn)壓電源、質(zhì)譜儀和質(zhì)譜數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，所述常壓微輝 光放電解吸質(zhì)譜離子源通過(guò)其管路轉(zhuǎn)換接頭與工作氣引入系統(tǒng)連接，其電極與所述提供電 壓范圍包括80?3000V的直流穩(wěn)壓電源正負(fù)極連接構(gòu)成回路，其微等離子體發(fā)生腔噴出口 與所述質(zhì)譜儀等離子體氣進(jìn)口對(duì)著位于它們之間的樣品，所述質(zhì)譜儀與所述質(zhì)譜數(shù)據(jù)處理 系統(tǒng)連接。
[0015] 在本發(fā)明的上述質(zhì)譜分析器中，所述常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源最好安裝在 可在垂直面〇?90°范圍旋轉(zhuǎn)的垂直旋轉(zhuǎn)臺(tái)上，所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)安裝在3維平移臺(tái)上，以便于調(diào) 節(jié)常壓解吸質(zhì)譜離子源微等離子體發(fā)生腔噴出口與樣品、質(zhì)譜儀等離子體氣進(jìn)口之間的相 對(duì)位置，使從等離子體發(fā)生腔噴出口噴出的等離子體氣對(duì)準(zhǔn)待測(cè)樣品和質(zhì)譜儀等離子體氣 體進(jìn)口，使等離子體發(fā)生腔處于亥姆霍茲以及環(huán)形電極的中心線上。所述亥姆霍茲線圈被 安置在質(zhì)譜儀進(jìn)樣口與常壓解吸質(zhì)譜離子源之間或者將常壓解吸質(zhì)譜離子源包含在內(nèi)。環(huán) 形電極被安置于常壓解吸質(zhì)譜離子源等離子體出口外，二者直接距離最好低于10·?，環(huán)形 電極應(yīng)共軸平行于亥姆霍茲線圈。
[0016] 在本發(fā)明的上述質(zhì)譜分析器中，所述工作氣引入系統(tǒng)最好設(shè)置有氣體流量控制 器，以保證工作氣體的流速被控制在0. 5L/min?2. 5L/min范圍。
[0017] 在本發(fā)明的上述質(zhì)譜分析器中，所述樣品引入系統(tǒng)包含進(jìn)樣泵、進(jìn)樣針和毛細(xì)管， 進(jìn)樣栗的進(jìn)樣速度范圍最好包括〇. 1 μ L/min?5 μ L/min，進(jìn)樣針的容量最好大于5 μ L,毛 細(xì)管用于連接進(jìn)樣針與工作氣氣路，其材質(zhì)為PEEK。
[0018] 在本發(fā)明的上述質(zhì)譜分析器中，所述直流電源最好為電壓可在2〇〇?5〇〇V范圍 調(diào)節(jié)的直流穩(wěn)壓電源，施加于電極使工作氣體離子化的電流控制在2?20mA范圍，用于離 子化的總功率一般小于4W,使從微等離子體發(fā)生腔噴出口噴出的等離子體氣的溫度控制在 20?100°C范圍。
[0019] 適用于本發(fā)明的工作氣體可以是氦氣、氬氣、氮?dú)獾?，?yōu)先選用氦氣、氬氣。工作氣 體的氣源一般為鋼瓶氣，工作氣體的流速可由一個(gè)安置于鋼瓶和離子源之間管路上的質(zhì)量 流量控制器控制，工作氣的流速一般0. 5?2. 5L/min。 ^
[0020] 采用由本發(fā)明提供的磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜分析器對(duì)樣品進(jìn)行質(zhì) 譜分析，樣品的形態(tài)可以是固態(tài)、液態(tài)或氣態(tài)。對(duì)于固態(tài)、液態(tài)樣品，可將樣品放置在位于離 子源微等離子體發(fā)生腔噴出口與質(zhì)譜儀等離子體氣進(jìn)口之間的承載體上，從微等離子體發(fā) 生腔噴出口噴出的等離子體氣噴向待測(cè)樣品，使樣品表面的分子在等離子體氣體的作用下 發(fā)生解吸、離子化。對(duì)于液態(tài)、氣態(tài)樣品，也可用進(jìn)樣針抽取適量樣品，通過(guò)注射栗控制流速 將樣品通過(guò)毛細(xì)管注入等離子體工作氣氣路中后與工作氣一起被送入等離子體發(fā)生腔。樣 品被離子化后由質(zhì)譜儀等離子氣進(jìn)口進(jìn)入質(zhì)譜儀，進(jìn)行樣品質(zhì)譜分析。
[0021] 采用由本發(fā)明提供的磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜分析器對(duì)樣品進(jìn)行質(zhì) 譜分析，在不同的工作氣體流速和施加于電極擊穿工作氣體電流強(qiáng)度下，所得質(zhì)譜圖的離 子強(qiáng)度及種類會(huì)有差別。這是因?yàn)樵诓煌碾娏鲝?qiáng)度下，等離子體中所含活性成分，即亞穩(wěn) 態(tài)原子，含量不同，因而對(duì)樣品的離子化效率會(huì)有影響；而在不同的工作氣體流速下，等離 子體氣的溫度不同，等離子體線速度也不同，因而會(huì)使樣品的主要解吸機(jī)理（熱解吸、動(dòng)量 解吸）發(fā)生變化，從而進(jìn)一步影響后續(xù)的離子化過(guò)程。因此，使用者可以依據(jù)實(shí)際情況調(diào)節(jié) 離子源的電流強(qiáng)度、氣體流速，以達(dá)到最佳測(cè)試效果。
[0022] 采用由本發(fā)明提供的磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜分析器對(duì)樣品進(jìn)行質(zhì) 譜分析，在不使用磁場(chǎng)和靜電場(chǎng)的情況下，在質(zhì)譜的正離子和負(fù)離子掃描模式下，所得到的 待測(cè)樣品的質(zhì)譜圖也不同。這是因?yàn)椴捎帽景l(fā)明離子源電離樣品時(shí)，正負(fù)離子的形成機(jī)理 不同。正離子的形成過(guò)程包括彭寧電離、質(zhì)子轉(zhuǎn)移、電荷轉(zhuǎn)移，其中質(zhì)子轉(zhuǎn)移反應(yīng)將形成 [Μ+ΗΓ離子，質(zhì)子主要由水簇團(tuán)提供，而水簇團(tuán)主要是由亞穩(wěn)態(tài)原子（He-)與大氣中的水分 通過(guò)彭寧電離產(chǎn)生。為了進(jìn)一步驗(yàn)證離子化機(jī)理，對(duì)等離子體的在200?llOOnm范圍內(nèi)發(fā) 射光譜進(jìn)行分析（圖4,圖5)，N 2, N0,和01峰的存在證明了電荷轉(zhuǎn)移過(guò)程的存在，0H峰輔 助證實(shí)了質(zhì)子轉(zhuǎn)移過(guò)程的存在，Arl和Hel為彭寧電離提供了理論依據(jù)。在正離子模式下， 在本發(fā)明所提供的離子源噴出的等離子體（以氦氣為例）引導(dǎo)下發(fā)生的反應(yīng)如下：
[0023]

【權(quán)利要求】
1. 一種磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源，其特征在于，包括用于產(chǎn)生常壓 微輝光放電的離子源本體、用于提供約束微輝光放電等離子體和樣品離子的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的亥 姆霍茲線圈、用于產(chǎn)生靜電場(chǎng)來(lái)輔助聚焦帶電粒子的環(huán)形電極；所述離子源本體處于亥姆 霍茲線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)中，離子源本體產(chǎn)生的離子流通過(guò)環(huán)形電極產(chǎn)生的電場(chǎng)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源，其特征在于， 所述離子源本體包括在基體件上加工出來(lái)的微等離子體發(fā)生腔、固定在微等離子體發(fā)生腔 壁面上用于擊穿工作氣產(chǎn)生放電的一對(duì)電極和固定在微等離子體發(fā)生腔進(jìn)口端的用于連 接工作氣引入系統(tǒng)的氣路轉(zhuǎn)換接頭，所述電極與輸出電壓在80?3000V范圍內(nèi)無(wú)極可調(diào)的 直流穩(wěn)壓電源連接。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源，其特征在于，所述微等離 子體發(fā)生腔的斷面形狀為矩形的管腔，管腔斷面的高度或?qū)挾戎恍∮?毫米，所述電極 為片狀電極，兩電極分別固定在微等離子體發(fā)生腔內(nèi)距離不大于1毫米的相對(duì)側(cè)壁上，微 等離子體發(fā)生腔用于固定片狀電極的壁面在垂直于流道方向的尺寸不小于1毫米，電極與 微等離子體發(fā)生腔的噴出口的距離不大于10毫米。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源，其特征在于，所述電極的 材質(zhì)為導(dǎo)電金屬材料，所述基體件的材質(zhì)為絕緣材料。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源，其特征在于， 所述電極的材質(zhì)為鉬、銅或銀，所述基體件的材質(zhì)為陶瓷、三氧化二鋁、聚四氟乙烯、石英或 電木。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源，其特征在于， 所述直流穩(wěn)壓電源的輸出在200?500V范圍內(nèi)無(wú)極可調(diào)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源，其特征在于， 所述亥姆霍茲線圈是由一對(duì)共軸平行且匝數(shù)相同的串聯(lián)導(dǎo)線圈組成，兩個(gè)線圈之間的距離 等于線圈半價(jià)，且兩個(gè)線圈中電流大小、方向相同。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源，其特征在于， 所述亥姆霍茲線圈的電流為〇?5A。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源，其特征在于， 所述的亥姆霍茲線圈的半徑不小于所述離子源本體的寬度。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7?9所述的磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源，其特征在 于，所述亥姆霍茲線圈產(chǎn)生的的磁場(chǎng)范圍為10?50Gs。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7?9所述的磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源，其特征在 于，繞制所述亥姆霍茲線圈的導(dǎo)線的芯線材質(zhì)為導(dǎo)電金屬材料，支撐線圈的骨架為絕緣材 料。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源，其特征在 于，繞制所述亥姆霍茲線圈的導(dǎo)線的芯線材質(zhì)為銅、鋁或銀，支撐線圈的骨架的材質(zhì)為陶 瓷、三氧化二鋁、聚四氟乙烯、石英或電木。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源，其特征在于， 所述環(huán)形電極的電勢(shì)由輸出電壓在-1500V?1500V范圍內(nèi)可調(diào)的靜電源提供。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源，其特征在 于，所述靜電源可調(diào)節(jié)的輸出電壓范圍為-400V?400V。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源，其特征在于， 所述環(huán)形電極的內(nèi)徑不小于所述微等離子體發(fā)生腔的噴出口的寬度。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源，其特征在 于，所述環(huán)形電極的材質(zhì)為導(dǎo)電材料。
17. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源，其特征在 于，所述環(huán)形電極的材質(zhì)為銅、鋼、鐵、鋁、鉬或銀。
18. -種包含如權(quán)利要求1?17所述的磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源的 質(zhì)譜分析器，其特征在于，包括工作氣引入系統(tǒng)、樣品引入系統(tǒng)、常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜 離子源質(zhì)譜儀和質(zhì)譜數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，所述常壓微輝光放電解吸質(zhì)譜離子源通過(guò)管路轉(zhuǎn)換接 頭與工作氣引入系統(tǒng)連接，所述微等離子體發(fā)生腔的噴出口和質(zhì)譜儀等離子體氣進(jìn)口之間 放置樣品，或微等離子體發(fā)生腔直接對(duì)著質(zhì)譜儀等離子體氣進(jìn)口，樣品由注射泵直接注入 氣路通道中，所述質(zhì)譜儀與質(zhì)譜數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)連接。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的質(zhì)譜分析器，其特征在于，所述磁場(chǎng)約束的常壓微輝光放 電解吸質(zhì)譜離子源安裝在三維平移臺(tái)上。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的質(zhì)譜分析器，其特征在于，所述工作氣引入系統(tǒng)設(shè)置有氣 體流量控制器，工作氣體的流速被控制在〇. 5L/min?2. 5L/min范圍。
21. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的質(zhì)譜分析器，其特征在于，所述樣品引入系統(tǒng)包含進(jìn)樣泵、 進(jìn)樣針和毛細(xì)管，進(jìn)樣泵的進(jìn)樣速度為0. 1 μ L/min?5 μ L/min，進(jìn)樣針的容量大于5 μ L， 所述毛細(xì)管用于連接進(jìn)樣針與工作氣氣路，毛細(xì)管材質(zhì)為PEEK。
【文檔編號(hào)】G01N27/62GK104241077SQ201410383807
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年8月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月6日
【發(fā)明者】段憶翔, 丁薛璐, 王博 申請(qǐng)人:四川大學(xué)