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用勻場(chǎng)線圈用于磁共振系統(tǒng)的患者適應(yīng)的b0均勻化方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種方法和一種磁共振斷層造影系統(tǒng)(101)，具有勻場(chǎng)系統(tǒng)(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4，LSC1，LSC2)，該勻場(chǎng)系統(tǒng)(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4，LSC1，LSC2)包括在圍繞磁共振斷層造影系統(tǒng)(101)的孔(103)的區(qū)域(BRG，GSC1，GSC2，GSC3，GSC4，112x，112y，112z)中的至少一個(gè)全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)，并且該勻場(chǎng)系統(tǒng)(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4，LSC1，LSC2)包括在磁共振斷層造影系統(tǒng)(101)的局部線圈(106)中的至少一個(gè)局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)，具有勻場(chǎng)控制器(117)，其被構(gòu)造為，規(guī)定用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC，m*IGSC，n*ILSC)。
【專利說明】用勻場(chǎng)線圈用于磁共振系統(tǒng)的患者適應(yīng)的BO均勻化方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及用于磁共振斷層造影的方法和裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]用于通過磁共振斷層造影來檢查對(duì)象或患者的磁共振設(shè)備(MRT)例如由DE 103
14215 B4、DE 10 2011 080 275、DE 10 2011 087 485、DE 10 2011086 658、DE 10 2011081 039、DE 10 2011 077 724 所公知。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是，優(yōu)化一種MRT成像。上述技術(shù)問題分別通過按照本發(fā)明的特征來解決。有利的擴(kuò)展在從屬權(quán)利要求和說明書中給出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0004]本發(fā)明的可能的構(gòu)造的其它特征和優(yōu)點(diǎn)借助于附圖由下面對(duì)實(shí)施例的描述給出。附圖中:
[0005]圖1示意性示出了按照本發(fā)明的MRT系統(tǒng)。

【具體實(shí)施方式】
[0006]圖1(尤其關(guān)于技術(shù)背景)示出了(位于屏蔽的空間或法拉第籠F中的)成像的磁共振設(shè)備MRT 101，其具有全身線圈102，該全身線圈102具有在此為管狀的空間103，載有例如檢查對(duì)象(例如患者)105的身體(帶有或不帶有局部線圈裝置106)的患者臥榻104可以沿箭頭z的方向駛?cè)朐摽臻g103，以便通過成像的方法產(chǎn)生患者105的拍攝。在此，在患者身上放置局部線圈裝置106，利用該局部線圈裝置106在MRT的局部區(qū)域(也稱為視野或F0V)內(nèi)可以產(chǎn)生在FOV中的身體105的部分區(qū)域的拍攝。局部線圈裝置106的信號(hào)可以由MRT 101的例如通過同軸電纜或經(jīng)由無線電(167)等與局部線圈裝置106連接的分析裝置(168、115、117、119、120、121等)進(jìn)行分析(例如轉(zhuǎn)換為圖像、存儲(chǔ)或顯示)。
[0007]為了利用磁共振設(shè)備MRT 101借助磁共振成像對(duì)身體105 (檢查對(duì)象或患者)進(jìn)行檢查，向身體105入射不同的、在其時(shí)間和空間特性上彼此最準(zhǔn)確調(diào)諧的磁場(chǎng)。具有在此為隧道形的開口 103的測(cè)量室中的強(qiáng)磁體(通常為低溫磁體107)產(chǎn)生靜態(tài)的強(qiáng)主磁場(chǎng)B0，其例如為0.2特斯拉至3特斯拉或更強(qiáng)。位于患者臥榻104上的待檢查的身體105被駛?cè)胫鞔艌?chǎng)BO的觀察區(qū)域FoV(“視野”)中大致均勻的區(qū)域。對(duì)身體105的原子核的核自旋的激勵(lì)通過磁高頻激勵(lì)脈沖BI (X，y, z, t)實(shí)現(xiàn),這些高頻激勵(lì)脈沖由在此作為(例如多部分=108a, 108b, 108c的)身體線圈108非常簡(jiǎn)化地示出的高頻天線(和/或必要時(shí)局部線圈裝置)發(fā)射。高頻激勵(lì)脈沖例如由通過脈沖序列控制單元I1控制的脈沖產(chǎn)生單元109產(chǎn)生。在通過高頻放大器111放大之后，高頻激勵(lì)脈沖被導(dǎo)向高頻天線108。在此示出的高頻系統(tǒng)僅僅是示意性的。通常在一個(gè)磁共振設(shè)備101中會(huì)使用多于一個(gè)脈沖產(chǎn)生單元109、多于一個(gè)高頻放大器111以及多個(gè)高頻天線108a、b、C。
[0008]此外，磁共振設(shè)備101還具有梯度線圈112x、112y、112z，在測(cè)量時(shí)利用它們?nèi)肷溆糜谶x擇性地層激勵(lì)和用于對(duì)測(cè)量信號(hào)進(jìn)行位置編碼的磁梯度場(chǎng)Be(X，y, z, t)。梯度線圈112x、112y、112z由梯度線圈控制單元114 (和必要時(shí)通過放大器Vx、Vy、Vz)控制,梯度線圈控制單元114與脈沖產(chǎn)生單元109 —樣與脈沖序列控制單元110連接。
[0009]由被激勵(lì)的(在檢查對(duì)象中的原子核的)核自旋發(fā)出的信號(hào)由身體線圈108和/或至少一個(gè)局部線圈裝置106接收，通過對(duì)應(yīng)的高頻前置放大器116放大，并且由接收單元117進(jìn)一步處理和數(shù)字化。記錄的測(cè)量數(shù)據(jù)被數(shù)字化并以復(fù)數(shù)數(shù)值的形式存入k空間矩陣。從該存有值的k空間矩陣借助多維傅里葉變換可以重建所屬的MR圖像。
[0010]對(duì)于既可以按照發(fā)送模式運(yùn)行又可以按照接收模式運(yùn)行的線圈，如身體線圈108或局部線圈106，通過前置的發(fā)送-接收開關(guān)118來調(diào)節(jié)正確的信號(hào)傳輸。
[0011]圖像處理單元119從測(cè)量數(shù)據(jù)中產(chǎn)生圖像，將該圖像通過操作控制臺(tái)120顯示給用戶和/或存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元121中。中央計(jì)算機(jī)單元122控制各個(gè)設(shè)備組件。
[0012]目前，在MR斷層造影中通常利用所謂的局部線圈裝置(Coils，local coils)來拍攝具有高信噪比(SNR)的圖像。這些局部線圈裝置是緊靠身體105的上面(前部)或下面(后部)或旁邊或內(nèi)部安裝的天線系統(tǒng)。在MR測(cè)量中，被激勵(lì)的核在局部線圈的各個(gè)天線中感應(yīng)出電壓，該電壓然后通過低噪聲前置放大器(例如LNA，Preamp)放大并最后被傳遞到接收電子器件。為了也在高分辨率的圖像中改進(jìn)信噪比，采用所謂的高場(chǎng)設(shè)備(1.5T至12T或更高)。如果在MR接收系統(tǒng)上可以連接比現(xiàn)有的接收器更多的單天線，則在接收天線和接收器之間設(shè)置例如開關(guān)矩陣(在此稱為RCCS)。該開關(guān)矩陣將當(dāng)前活躍的接收信道(大多是恰好位于磁體的視野中的接收信道)路由到現(xiàn)有的接收器。由此可以連接比現(xiàn)有的接收器更多的線圈元件，因?yàn)樵谌砀采w的情況下僅須讀取位于FoV(視野)或磁體的均勻空間中的線圈。
[0013]局部線圈裝置106例如一般地表示如下的天線系統(tǒng):其例如可以由一個(gè)或由作為陣列線圈的多個(gè)天線元件(特別是線圈元件)組成。這些單個(gè)的天線元件例如實(shí)施為環(huán)形天線(Loops)、蝶形線圈、柔性線圈或鞍形線圈。局部線圈裝置例如包括線圈元件、前置放大器、其它電子器件(外罩波陷波器(Mantelwellensperre)等)、外殼、托架,并且在大多具有帶插頭的電纜，局部線圈裝置可以通過該插頭連接到MRT設(shè)備上。安裝在設(shè)備側(cè)的接收器168對(duì)由局部線圈106例如經(jīng)由無線電等接收的信號(hào)進(jìn)行濾波和數(shù)字化，并將數(shù)據(jù)傳送到數(shù)字信號(hào)處理裝置，數(shù)字信號(hào)處理裝置從該通過測(cè)量獲得的數(shù)據(jù)中通常導(dǎo)出圖像或頻譜，并且例如為了通過用戶后續(xù)診斷而將其提供給用戶和/或進(jìn)行存儲(chǔ)。
[0014]圖1也示出了按照本發(fā)明的用于勻場(chǎng)(Shim)的方法和裝置。
[0015]特別是可以區(qū)分如下兩種類型的勻場(chǎng)線圈:
[0016]1.“全局勻場(chǎng)線圈”(=Global Shim Coils = )GSC(下面也稱為孔勻場(chǎng)線圈)，其例如嵌入在梯度線圈(112x，112y，112z)的區(qū)域中，例如通常三個(gè)和更多的勻場(chǎng)線圈用于均衡線性的和二次方的以及可能的也更高階的項(xiàng)，例如在圖1中全局勻場(chǎng)線圈的兩個(gè)勻場(chǎng)線圈對(duì)GSC1、GSC2和GSC3、GSC4，其例如可以如在西門子保健措施(http://healthcare.siemens, com/siemens_hwem-hwem_ssxa_websites-context-ro ot/wcm/idc/siemens_hwem-hwem_ssxa_websites-context-root/wcm/idc/groups/p ublic/iglobal/iimaging/imri/documents/download/mdaw/mtqy/ ?edisp/second_hot_topic_brochure-00017029.pdf)的“高場(chǎng)磁體的二階勻場(chǎng)”中那樣通電。(在圖1中，在全局勻場(chǎng)線圈中的勻場(chǎng)電流IGSC具有相同的大小并且通過勻場(chǎng)電纜(在此例如以電流m = 4乘以IGSC)傳輸，但是其中每個(gè)勻場(chǎng)線圈也可以單獨(dú)地被提供電流，并且在局部勻場(chǎng)線圈中的勻場(chǎng)電流ILSC具有相同的大小并且通過勻場(chǎng)電纜(在此例如以電流n = 2乘以IGSC)傳輸，但是其中每個(gè)勻場(chǎng)線圈在此也可以單獨(dú)地被提供電流。)
[0017]可以為圖1中z軸方向(孔縱向)上的勻場(chǎng)設(shè)置全局勻場(chǎng)線圈GSC1、GSC2和GSC3、GSC4和/或?yàn)閳D1中X軸方向(孔水平方向)上的勻場(chǎng)設(shè)置全局勻場(chǎng)線圈和/或?yàn)閳D1中y軸方向(孔垂直方向)上的勻場(chǎng)設(shè)置全局勻場(chǎng)線圈。
[0018]2.“局部勻場(chǎng)線圈” LSC1、LSC2
[0019](例如如圖1中在(乳房(B))局部線圈106中示出的兩個(gè)局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2或如在(脊柱(WS))局部線圈106a中的兩對(duì)局部勻場(chǎng)線圈LSCl、LSC2或更多)，
[0020]這些局部勻場(chǎng)線圈緊靠患者105安裝并且其例如也可以是局部線圈106、106a的HF發(fā)送和/或接收線圈(RX和/或RX、TX)的部件。
[0021]為了在O-1Oppm范圍內(nèi)均衡(在待檢查區(qū)域=ROI例如在局部線圈106的乳房杯(Brusttopf)Bl中的乳房的區(qū)域中)特別強(qiáng)烈局部化的BO場(chǎng)不均勻性，能夠緊靠患者105，例如可能在接收線圈或發(fā)送/接收線圈TX、RX內(nèi)安裝的局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2特別良好地適合。局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2的優(yōu)點(diǎn)可以是，能夠以基本上較小的電流和構(gòu)造開銷(成本)比利用目前例如安裝在梯度線圈區(qū)域中的“全局”勻場(chǎng)線圈GSC1、GSC2、GSC3、GSC4明顯更好和更低成本地均衡局部不均勻性。
[0022]同時(shí)使用全局勻場(chǎng)線圈GSC1、GSC2、GSC3、GSC4和局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2可以提供良好的圖像結(jié)果，這通過全局線圈均衡由于(MRT基本場(chǎng))磁體107和/或等檢查的患者105引起的大范圍的BO場(chǎng)偏差，并且局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2均衡空間上集中的不均勻性來實(shí)現(xiàn)。
[0023]對(duì)此的問題在于，在同時(shí)使用全局勻場(chǎng)線圈GSCl、GSC2、GSC3、GSC4和局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2的情況下MRT系統(tǒng)101怎樣對(duì)于所有勻場(chǎng)線圈最佳地找到對(duì)于(必要時(shí)不同的)勻場(chǎng)電流(ILSC、IGSC)的電流設(shè)置，其導(dǎo)致最優(yōu)的結(jié)果或示出了算法開銷和結(jié)果的有利折衷。除了如下事實(shí):局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2是與全局勻場(chǎng)線圈GSC1、GSC2、GSC3、GSC4不同的可移動(dòng)的單元，局部勻場(chǎng)線圈也可以如下地與全局勻場(chǎng)線圈GSC1、GSC2、GSC3、GSC4區(qū)別，S卩，局部勻場(chǎng)線圈與磁體不是位置固定地安裝在患者臺(tái)(PTAB)上。
[0024]目前，根據(jù)至少內(nèi)部公知的現(xiàn)有技術(shù)在產(chǎn)品中僅使用全局勻場(chǎng)線圈GSC1、GSC2、GSC3、GSC4。為了確定用于勻場(chǎng)電流(ILSC、IGSC)的患者&解剖結(jié)構(gòu)個(gè)體化的電流設(shè)置，為此例如事先拍攝BO磁場(chǎng)圖(大多是3D-B0場(chǎng)圖和大多是相位圖)。全局勻場(chǎng)線圈GSC1、GSC2、GSC3、GSC4產(chǎn)生的場(chǎng)例如由MRT系統(tǒng)101通過存儲(chǔ)的說明而公知，并且MRTlOl的算法可以一直改變勻場(chǎng)電流，直至由所計(jì)算的勻場(chǎng)與所測(cè)量的BO場(chǎng)曲線的疊加總共產(chǎn)生盡可能均勻的BO場(chǎng)曲線。可利用勻場(chǎng)線圈產(chǎn)生的場(chǎng)的說明例如包括正交的球函數(shù)的和/或像素圖的系數(shù)(該像素圖例如說明了由哪個(gè)勻場(chǎng)線圈在空間中的哪個(gè)點(diǎn)作為在勻場(chǎng)線圈中的電流函數(shù)產(chǎn)生多少(份額的磁)場(chǎng))。
[0025]對(duì)于利用全局勻場(chǎng)線圈GSC1、GSC2、GSC3、GSC4產(chǎn)生的場(chǎng)與利用局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2產(chǎn)生的場(chǎng)的疊加，得出內(nèi)部公知的目前沒有公開的專用方法，該方法可以完全自動(dòng)地集成在臨床工作過程中進(jìn)行。
[0026]本發(fā)明的實(shí)施方式規(guī)定如下:
[0027]除了全局勻場(chǎng)線圈GSC1、GSC2、GSC3、GSC4的(可產(chǎn)生的場(chǎng)的)(在場(chǎng)分布數(shù)據(jù)B-Shim-V-LSC中在存儲(chǔ)器SplOl中存儲(chǔ)的)場(chǎng)說明之外附加地給出局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2的(可產(chǎn)生的場(chǎng)的)(例如在場(chǎng)分布數(shù)據(jù)B-Shim-V-LSC中)存儲(chǔ)的說明。
[0028]該(在場(chǎng)分布數(shù)據(jù)B-Shim-V-LSC中的)說明可以是在MRT系統(tǒng)101的控制器110、117中的軟件的部分(例如作為所謂的線圈文檔=勻場(chǎng)線圈的涉及線圈數(shù)據(jù)組的特性)，其在使用局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2(及其通過MRT識(shí)別)的情況下被調(diào)用，和/或被存入局部線圈106和/或局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2的數(shù)字存儲(chǔ)器(EEPR0M、FLASH等)SP-106中并且從那里例如由MRTlOl的控制器107來調(diào)用。后者能夠?qū)崿F(xiàn)每個(gè)局部勻場(chǎng)線圈LSCl、LSC2的勻場(chǎng)特性的單獨(dú)的均衡。
[0029]為此MRTlOl的控制器107優(yōu)選地公知如下:
[0030]1.勻場(chǎng)算法例如具有一個(gè)/多個(gè)局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2 (例如通過激光測(cè)量或基于利用傳感器對(duì)患者臥榻的位置的測(cè)量等)的位置Pos (例如在X、1、z軸方向上和可能的在空間上的兩個(gè)角度的方向上的勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2的中心點(diǎn)的位置)的認(rèn)識(shí)。
[0031]如果線圈類型(=例如乳房線圈106或脊柱線圈106a)已經(jīng)規(guī)定了在例如兩個(gè)方向X、y上的該位置Pos (例如因?yàn)榫植烤€圈106 ；106a固定地與患者臺(tái)104相連)，為了確定相對(duì)于基本場(chǎng)磁體107的對(duì)稱中心(例如在FoV的中心)的位置Pos可能地也僅達(dá)到該參數(shù)的一部分(例如在孔縱向縱z的方向上的臥榻位置)。
[0032]2.場(chǎng)分布數(shù)據(jù)(B-Shim-V-GSC、B-Shim-V-LSC)涉及可分別由勻場(chǎng)線圈GSC、LSC1、LSC2中的一個(gè)產(chǎn)生的空間場(chǎng)分布(如上面作為示例例如作為3D場(chǎng)圖、作為像素圖或正交函數(shù)的系數(shù)(球形調(diào)和的)或多項(xiàng)式系數(shù)或類似這種來實(shí)施)。
[0033]3.全局勻場(chǎng)線圈數(shù)據(jù)(GSC-D和/或LSC-D)如下涉及勻場(chǎng)線圈(GSC和/或LSC)的靈敏度:在勻場(chǎng)線圈GSC、LSC1、LSC2中每安培勻場(chǎng)電流ILSC、IGSC其產(chǎn)生多少BO勻場(chǎng)磁場(chǎng)(例如單位為特斯拉)，和/或怎樣利用局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2和全局勻場(chǎng)線圈GSCl、GSC2、GSC3、GSC4的場(chǎng)來進(jìn)行共同優(yōu)化(降低BO不均勻性)。
[0034]首先，例如在調(diào)整測(cè)量中測(cè)量現(xiàn)有的BO場(chǎng)分布(例如作為場(chǎng)圖1 = FMl)并且然后在控制器(117)中的算法應(yīng)當(dāng)對(duì)于用于全局勻場(chǎng)線圈GSC1、GSC2、GSC3、GSC4和局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2的勻場(chǎng)電流ILSC、IGSC確定合適的勻場(chǎng)電流設(shè)置。
[0035]這例如可以通過如下方案實(shí)現(xiàn):
[0036]正交化:
[0037]I)對(duì)于全局勻場(chǎng)線圈GSC1、GSC2、GSC3、GSC4和局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2，測(cè)量(例如作為在MRT產(chǎn)品的開發(fā)中的一次性的步驟)和存儲(chǔ)(SPlOl)每單位(例如每安培)勻場(chǎng)電流IGSC、ILSC在勻場(chǎng)線圈中產(chǎn)生的3D場(chǎng)分布(在此也稱為勻場(chǎng)矢量(coil)SVc)。
[0038]2)根據(jù)局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2的位置Pos然后在患者處的當(dāng)前成像測(cè)量的情況下考慮可由該局部勻場(chǎng)線圈產(chǎn)生的場(chǎng)分布(例如作為在正交化之前相應(yīng)于在z方向上的位置的場(chǎng)分布的偏移)。
[0039]3)然后將該場(chǎng)分布SVc正交化(SVo)，從而其表示可能的勻場(chǎng)空間的基礎(chǔ)矢量。正交化的場(chǎng)分布SVo可以說是虛擬的勻場(chǎng)線圈，該虛擬的勻場(chǎng)線圈作為真實(shí)的勻場(chǎng)線圈的線性組合被描述。
[0040]4)然后借助MR方法確定例如通過患者105等引起的場(chǎng)誤差(通過場(chǎng)BO的改變，所述改變應(yīng)當(dāng)利用勻場(chǎng)來校正)。
[0041]5)該場(chǎng)誤差通過正交的投影被映射到場(chǎng)分布SVo。由此直接得出，虛擬的勻場(chǎng)線圈中的哪個(gè)勻場(chǎng)電流是必要的。
[0042]6)然后將其換算為實(shí)際的勻場(chǎng)電流，這通過相應(yīng)地反向應(yīng)用事先確定的來自于正交化(在上述步驟2中)的線性組合來實(shí)現(xiàn)。
[0043]方案1:
[0044]總優(yōu)化
[0045]局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2和全局勻場(chǎng)線圈GSC1、GSC2、GSC3、GSC4的場(chǎng)可以在線性組合中完全地(3D =三維)相加。
[0046]在優(yōu)選方法(例如最小平方)中找到如下設(shè)置:該設(shè)置將勻場(chǎng)電流IGSC、ILSC和由此產(chǎn)生的場(chǎng)與所測(cè)量的BO場(chǎng)相比較并且這樣設(shè)置，使得BO不均勻性被最小化(通過勻場(chǎng))。
[0047]方案2:
[0048]逐步地:
[0049]通過全局勻場(chǎng)線圈GSC1、GSC2、GSC3、GSC4清除大范圍的不均勻性，然后才對(duì)于局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2計(jì)算勻場(chǎng)電流。
[0050]變形1:
[0051]首先計(jì)算全局勻場(chǎng)線圈GSC1、GSC2、GSC3、GSC4的電流。將該全局勻場(chǎng)線圈GSC1、GSC2、GSC3、GSC4的設(shè)置的場(chǎng)與所測(cè)量的場(chǎng)疊加。由此產(chǎn)生新的場(chǎng)圖(FM2)。在第二步驟中利用該場(chǎng)圖來找到局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2的最優(yōu)設(shè)置。
[0052]變形2:
[0053]如上述那樣，僅通過設(shè)置全局勻場(chǎng)線圈GSC1、GSC2、GSC3、GSC4的電流來應(yīng)用第二場(chǎng)圖FM2并且所述第二場(chǎng)圖FM2由重新的測(cè)量獲得。該測(cè)量如上述那樣可以覆蓋3D體積，然而可能地也僅由一個(gè)或幾個(gè)層組成，以便加速過程。對(duì)用于測(cè)量的層的選擇應(yīng)當(dāng)與待勻場(chǎng)的體積相匹配(例如在頸部?jī)H測(cè)量矢狀(sagital)層，而不是進(jìn)行完整的3D測(cè)量)。
[0054]方案3:
[0055]以N次測(cè)量盲搜索
[0056]全局勻場(chǎng)線圈GSC1、GSC2、GSC3、GSC4的電流如目前至少內(nèi)部公知地由第一場(chǎng)圖(通常也稱為FMl)來計(jì)算。然后利用局部勻場(chǎng)線圈的電流ILSC的不同設(shè)置(例如從最小電流至最大電流)來測(cè)量多個(gè)場(chǎng)圖(N)。為了加速該多次測(cè)量在此低分辨率的3D區(qū)域或單個(gè)的層或幾個(gè)層的測(cè)量就已足夠。然后從N個(gè)場(chǎng)圖中計(jì)算出勻場(chǎng)電流ILSC，其提供了最好的優(yōu)化結(jié)果。
[0057]方案4:
[0058]有針對(duì)性的優(yōu)化:
[0059]全局勻場(chǎng)線圈GSC1、GSC2、GSC3、GSC4的勻場(chǎng)電流IGSC如目前至少內(nèi)部公知地由第一場(chǎng)圖FMl來計(jì)算。然后利用LSC1、LSC2的電流的不同設(shè)置來測(cè)量多個(gè)場(chǎng)圖(N)。為了加速該多次測(cè)量在此低分辨率的3D區(qū)域或單個(gè)的層或幾個(gè)層的測(cè)量就已足夠。與搜索LSCU LSC2的整個(gè)動(dòng)態(tài)區(qū)域并且然后由此(例如線性地)內(nèi)插的方案3不同，在此該算法通過變形方案來搜索BO不均勻性的最小值，并且當(dāng)找到該最小值時(shí)停止新的場(chǎng)圖的拍攝。
[0060]變形:
[0061]如果全局勻場(chǎng)線圈GSC1、GSC2、GSC3、GSC4或局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2或兩者在測(cè)量第一場(chǎng)圖FMl的情況下已經(jīng)預(yù)先配備勻場(chǎng)電流IGSC、ILSC，所述勻場(chǎng)電流在涉及的解剖結(jié)構(gòu)區(qū)域中改善典型的不均勻性(固定地對(duì)于特定的解剖結(jié)構(gòu)/線圈設(shè)置經(jīng)驗(yàn)確定的值)并且由此將利用第一場(chǎng)圖FMl優(yōu)化的起始點(diǎn)帶到接近最優(yōu)的點(diǎn)，則上述方案可以可能的更有利地收斂。為此可以特定于解剖結(jié)構(gòu)地預(yù)先設(shè)置全局勻場(chǎng)線圈GSC1、GSC2、GSC3、GSC4和局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2的電流。這尤其對(duì)于局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2可以是有利的方案。
[0062]另外的實(shí)施方式可以是如下:
[0063]-子調(diào)整體積(Sub-AdjustVolumina)變形方案
[0064]在算法中可能的有利的是，局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2的勻場(chǎng)僅對(duì)總的勻場(chǎng)體積的一部分進(jìn)行優(yōu)化，因?yàn)樵?相對(duì)于局部勻場(chǎng)的大小)大的勻場(chǎng)體積中可以產(chǎn)生如下區(qū)域:在那里局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2幾乎不為場(chǎng)提供份額并且當(dāng)在優(yōu)化中考慮多個(gè)點(diǎn)時(shí)會(huì)誤導(dǎo)優(yōu)化，在那里局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2僅產(chǎn)生少的場(chǎng)。因此可以是有意義的是，將總勻場(chǎng)體積分為子體積并且僅關(guān)于子體積來優(yōu)化局部勻場(chǎng)。子體積的定義可以通過局部勻場(chǎng)線圈LSCU LSC2本身的參數(shù)(例如線圈文檔)來規(guī)定或自動(dòng)地計(jì)算，這通過淡出具有低的場(chǎng)分量的區(qū)域來實(shí)現(xiàn)。
[0065]-“達(dá)到電流邊界”方案:
[0066]如果對(duì)于局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2已經(jīng)達(dá)到最大電流邊界，則可以具有優(yōu)勢(shì)的是，這樣實(shí)施算法，即，通過新的通用的勻場(chǎng)電流設(shè)置試圖找到?jīng)]有遇到最大電流邊界的LSC1、LSC2設(shè)置。在每個(gè)方法的結(jié)束處可以設(shè)置驗(yàn)證步驟，該驗(yàn)證步驟在一部分FoV(小的3D體積或一個(gè)或幾個(gè)層)中將所測(cè)量的BO場(chǎng)與計(jì)算出的BO場(chǎng)相比較。在良好的一致的情況下繼續(xù)執(zhí)行測(cè)量，在差的一致的情況下進(jìn)行使用者交互(報(bào)警、質(zhì)疑)或者重新(例如以用于勻場(chǎng)電流的另外的起始參數(shù))開始測(cè)量。
[0067]也就是可以將一個(gè)(或多個(gè))局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2與由MRTlOl的GSC1、GSC2、GSC3、GSC4組成的嵌入的勻場(chǎng)線圈系統(tǒng)組合。在此，嵌入的勻場(chǎng)線圈GSC1、GSC2、GSC3、GSC4可以是對(duì)于患者105的所有身體區(qū)域B、WS都合適的系統(tǒng)。局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2例如關(guān)于由于身體形狀(3D磁化率分布)引起的不均勻性進(jìn)行優(yōu)化。脊柱線圈WS和/或頸部線圈不被用于乳房檢查。局部勻場(chǎng)線圈LSC1、LSC2可以包含多個(gè)信道，但是應(yīng)當(dāng)基于通過嵌入的(全局)勻場(chǎng)線圈已經(jīng)存在的均勻化僅校正不同的受試者的其余改變。由此并且通過直接在患者105處的位置可以明顯地降低功率需求并且可以容易地實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的場(chǎng)輪廓。
【權(quán)利要求】
1.一種磁共振斷層造影系統(tǒng)(101)， -具有勻場(chǎng)系統(tǒng)(GSC1，GSC2，GSC3, GSC4, LSC1, LSC2)，該勻場(chǎng)系統(tǒng)(GSC1，GSC2，GSC3,GSC4，LSC1，LSC2)包括在圍繞磁共振斷層造影系統(tǒng)(101)的孔(103)的區(qū)域(BRG, GSC1，GSC2，GSC3，GSC4，112x, 112y, 112z)中的至少一個(gè)全局勻場(chǎng)線圈(GSC1, GSC2, GSC3, GSC4)，并且 該勻場(chǎng)系統(tǒng)(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4，LSC1，LSC2)包括在磁共振斷層造影系統(tǒng)(101)的局部線圈(106)中的至少一個(gè)局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)， -具有勻場(chǎng)控制器(117)，其被構(gòu)造為，規(guī)定用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC，m*IGSC，n*ILSC)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于， 所述勻場(chǎng)系統(tǒng)(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4，LSC1，LSC2)包括在圍繞磁共振斷層造影系統(tǒng)(101)的孔(103)的區(qū)域(BR-G)中的多個(gè)全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和/或 所述勻場(chǎng)系統(tǒng)(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4，LSC1，LSC2)包括在磁共振斷層造影系統(tǒng)(101)的局部線圈(106)中的多個(gè)局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)， 所述勻場(chǎng)系統(tǒng)(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4，LSC1，LSC2)被構(gòu)造為規(guī)定了勻場(chǎng)系統(tǒng)(GSC1，GSC2, GSC3, GSC4, LSC1, LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC, ILSC)。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，在存儲(chǔ)器(SP-10LSP-106)中存儲(chǔ)的全局勻場(chǎng)線圈數(shù)據(jù)(GSC-D)涉及至少一個(gè)全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)的勻場(chǎng)特性和/或有關(guān)利用至少一個(gè)全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)可產(chǎn)生的勻場(chǎng)(B-Shim-GSC)的空間場(chǎng)分布的場(chǎng)分布數(shù)據(jù)(B-Shim-V_GSC)，和/或 在存儲(chǔ)器(SP-101，SP-106)中存儲(chǔ)的局部勻場(chǎng)線圈數(shù)據(jù)(LSC-D)涉及局部勻場(chǎng)線圈(LSCLLSC2)的勻場(chǎng)特性和/或有關(guān)利用至少一個(gè)局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)可產(chǎn)生的勻場(chǎng)(B-Shim-LSC)的空間場(chǎng)分布的場(chǎng)分布數(shù)據(jù)(B-Shim-V-LSC)， -并且，所述勻場(chǎng)控制器(117)被構(gòu)造為，在考慮存儲(chǔ)的全局勻場(chǎng)線圈數(shù)據(jù)(GSC-D)和局部勻場(chǎng)線圈數(shù)據(jù)(LSC-D)的條件下，規(guī)定用于全局和局部勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4 ；LSC1, LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC, ILSC)。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，有關(guān)利用至少一個(gè)全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)可產(chǎn)生的勻場(chǎng)(B-Shim-GSC)的空間場(chǎng)分布的場(chǎng)分布數(shù)據(jù)(B-Shim-V-GSC)和/或有關(guān)利用至少一個(gè)局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)可產(chǎn)生的勻場(chǎng)(B-Shim-LSC)的空間場(chǎng)分布的場(chǎng)分布數(shù)據(jù)(B-Shim-V-LSC)被存儲(chǔ)在所述局部線圈(106)外部，特別是作為線圈文檔-線圈數(shù)據(jù)組和/或與軟件一起存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器(SP-101)中。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，有關(guān)利用至少一個(gè)局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)可產(chǎn)生的勻場(chǎng)(B-Shim-LSC)的空間場(chǎng)分布的場(chǎng)分布數(shù)據(jù)(B-Shim-V-LSC)被存儲(chǔ)在所述局部線圈(106)的存儲(chǔ)器(SP-106)中，特別是存儲(chǔ)在EEPROM 或 FLASH 中。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，所述勻場(chǎng)控制器(117)被構(gòu)造為，在考慮表示局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的位置(POS)的局部勻場(chǎng)線圈位置數(shù)據(jù)(LSC-Pos)，特別是患者臥榻位置數(shù)據(jù)，和/或表示局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的類型的數(shù)據(jù)(LSC-Typ)的條件下，規(guī)定用于至少一個(gè)全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和用于至少一個(gè)局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，有關(guān)利用至少一個(gè)全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)可產(chǎn)生的勻場(chǎng)(B-Shim-GSC)的空間場(chǎng)分布的場(chǎng)分布數(shù)據(jù)(B-Shim-V-GSC)和/或有關(guān)利用至少一個(gè)局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)可產(chǎn)生的勻場(chǎng)(B-Shim-LSC)的空間場(chǎng)分布的場(chǎng)分布數(shù)據(jù)(B-Shim-V-LSC)分別作為3D場(chǎng)圖、作為像素圖或函數(shù)系數(shù)說明了利用勻場(chǎng)線圈可產(chǎn)生的空間場(chǎng)分布。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，全局勻場(chǎng)線圈數(shù)據(jù)(GSC-D)和/或局部勻場(chǎng)線圈數(shù)據(jù)(LSC-D)分別如下地說明了至少一個(gè)勻場(chǎng)線圈(GSC1, GSC2, GSC3, GSC4, LSC)的靈敏度，在勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4，LSC)中每安培的勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)能夠產(chǎn)生多少磁場(chǎng)(BO-Shim)。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，所述勻場(chǎng)控制器(117)被構(gòu)造為，在考慮存儲(chǔ)(SP-101)的、事先在調(diào)整測(cè)量中確定的、僅由MRT(lOl)的基本場(chǎng)磁體(107)中產(chǎn)生的和/或在沒有場(chǎng)產(chǎn)生的情況下通過勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4，LSC)產(chǎn)生的基本場(chǎng)(B0)的B0場(chǎng)分布(FM1)的條件下，規(guī)定用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1, GSC2, GSC3, GSC4)和用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，所述勻場(chǎng)控制器(117)被構(gòu)造為，在考慮存儲(chǔ)(SP-101)的、對(duì)于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)以及局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)測(cè)量的、每單位(安培)勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)可產(chǎn)生的勻場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)(SVc)的條件下，規(guī)定用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，所述勻場(chǎng)控制器(117)被構(gòu)造為，在考慮利用局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)通過額定勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)可產(chǎn)生的勻場(chǎng)的場(chǎng)分布和代表了其(LSC;106)位置(P0S)的位置數(shù)據(jù)(LSC-Pos)的條件下，規(guī)定用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，所述勻場(chǎng)控制器(117)被構(gòu)造為，在考慮表示利用局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)通過額定勻場(chǎng)電流(IGSC, ILSC)可產(chǎn)生的勻場(chǎng)的場(chǎng)分布的場(chǎng)分布數(shù)據(jù)(B-Shim-V-LSC)的條件下，規(guī)定用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC, ILSC)，該場(chǎng)分布數(shù)據(jù)(B-Shim-V-LSC)對(duì)于勻場(chǎng)線圈(LSC，GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)分別包含三個(gè)數(shù)據(jù)組，后者分別表示有關(guān)在可能的勻場(chǎng)空間的三個(gè)彼此正交的基礎(chǔ)矢量(X，1，z)中的一個(gè)的方向上的場(chǎng)分布的場(chǎng)分布數(shù)據(jù)，并且作為線性組合共同表示利用勻場(chǎng)線圈(LSC，GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)可產(chǎn)生的勻場(chǎng)(B-Shim-LSC，B-Shim-GSC)的場(chǎng)分布。
13.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，所述勻場(chǎng)控制器(117)被構(gòu)造為，在考慮所存儲(chǔ)的、有關(guān)由待檢查的患者(105)可廣生的表不基本場(chǎng)(B0)的變化的場(chǎng)誤差的數(shù)據(jù)的條件下，規(guī)定用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)，該場(chǎng)誤差優(yōu)選能夠通過利用額定勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)在全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)中和在局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)中可產(chǎn)生的勻場(chǎng)(B-Shim-LSC，B-Shim-GSC)來減小。
14.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，所述勻場(chǎng)控制器(117)被構(gòu)造為，在考慮所存儲(chǔ)的、有關(guān)由待檢查的患者(105)可廣生的表不基本場(chǎng)(B0)的變化的場(chǎng)誤差的數(shù)據(jù)的條件下，規(guī)定用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)，該場(chǎng)誤差包含三個(gè)數(shù)據(jù)組，后者分別表示有關(guān)在可能的勻場(chǎng)空間的三個(gè)彼此正交的基礎(chǔ)矢量(X，1，z)中的一個(gè)的方向上的場(chǎng)分布的變化的場(chǎng)分布數(shù)據(jù)，并且作為線性組合共同表示基本場(chǎng)(B0)的場(chǎng)分布的變化， 其中，基于有關(guān)場(chǎng)誤差的數(shù)據(jù)組和有關(guān)利用勻場(chǎng)線圈(LSC，GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)可產(chǎn)生的勻場(chǎng)的場(chǎng)分布的數(shù)據(jù)組(B-Shim-V-LSC，B-Shim-V-GSC)規(guī)定用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)。
15.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，所述勻場(chǎng)控制器(117)被構(gòu)造為，在考慮利用全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和利用局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)可產(chǎn)生的勻場(chǎng)(B-Shim-LSC，B-Shim-GSC)的三維線性組合的條件下，通過用于找到使由基本場(chǎng)不均勻性引起的對(duì)于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和對(duì)于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)最小化的優(yōu)化方法，規(guī)定用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC， ILSC)。
16.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，所述勻場(chǎng)控制器(117)被構(gòu)造為，規(guī)定用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)， 其中，首先規(guī)定用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC)，以便減小大范圍的不均勻性， 其中，然后確定新的場(chǎng)圖(FM2)，后者考慮通過額定勻場(chǎng)電流(IGSC)可在全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)中產(chǎn)生的勻場(chǎng)(B-Shim-GSC)和通過患者(105)引起的基本場(chǎng)不均勻性和基本場(chǎng)(B0)， 并且，然后規(guī)定用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(ILSC)。
17.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，所述勻場(chǎng)控制器(117)被構(gòu)造為，規(guī)定用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)， 其中，首先規(guī)定用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC)，以便減小大范圍的不均勻性， 其中，然后確定新的場(chǎng)圖(FM2)，后者考慮通過額定勻場(chǎng)電流(IGSC)在全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)中產(chǎn)生并測(cè)量的、特別是僅在患者(105)的待檢查的區(qū)域中測(cè)量的勻場(chǎng)(B-Shim-GSC)和通過患者(105)引起的基本場(chǎng)不均勻性和基本場(chǎng)(B0)， 其中，然后規(guī)定用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(ILSC)。
18.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，所述勻場(chǎng)控制器(117)被構(gòu)造為，規(guī)定用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)， 其中，首先由在調(diào)整測(cè)量中確定的、僅由MRT(lOl)的基本場(chǎng)磁體(107)產(chǎn)生的和/或在沒有場(chǎng)產(chǎn)生的情況下通過勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4，LSC)產(chǎn)生的基本場(chǎng)(B0)的B0場(chǎng)分布(FM1)計(jì)算用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC)， 并且，然后分別在視野(FoV)中或在感興趣的區(qū)域(B，WS)的一個(gè)層或多個(gè)層中測(cè)量具有關(guān)于在局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)中的額定勻場(chǎng)電流(ILSC)的可能的范圍而分布的不同的設(shè)置的多個(gè)場(chǎng)圖， 然后在局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)中選擇表示基本場(chǎng)(B0)的變化的所測(cè)量的場(chǎng)誤差最小的那個(gè)或由優(yōu)化得出的那個(gè)額定勻場(chǎng)電流(ILSC)。
19.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，所述勻場(chǎng)控制器(117)被構(gòu)造為，規(guī)定用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)， 其中，首先由在調(diào)整測(cè)量中確定的、僅由MRT(lOl)的基本場(chǎng)磁體(107)產(chǎn)生的和/或在沒有場(chǎng)產(chǎn)生的情況下通過勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4，LSC)產(chǎn)生的基本場(chǎng)(B0)的B0場(chǎng)分布(FM1)計(jì)算用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC)， 并且，然后分別在視野(FoV)中或在感興趣的區(qū)域(P0I)的一個(gè)層或多個(gè)層中測(cè)量具有在局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)中的額定勻場(chǎng)電流(ILSC)的不同的設(shè)置的多個(gè)場(chǎng)圖直至得到最小值， 然后在局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)中選擇表示基本場(chǎng)(B0)的變化的所測(cè)量的場(chǎng)誤差最小的那個(gè)或由優(yōu)化得出的那個(gè)額定勻場(chǎng)電流(ILSC)。
20.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，所述勻場(chǎng)控制器(117)被構(gòu)造為，規(guī)定用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)， 其中，首先由在調(diào)整測(cè)量中確定的、僅由MRT(lOl)的基本場(chǎng)磁體(107)產(chǎn)生的和/或在沒有場(chǎng)產(chǎn)生的情況下通過勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4，LSC)產(chǎn)生的基本場(chǎng)(B0)的B0場(chǎng)分布(FM-1)計(jì)算用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC)， 其中，全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和/或局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)在測(cè)量B0場(chǎng)分布(FM-1)的情況下已經(jīng)通過勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)預(yù)先占用，特別是通過改善了在待檢查的區(qū)域中的典型的基本場(chǎng)不均勻性的勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)。
21.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，所述勻場(chǎng)控制器(117)被構(gòu)造為，規(guī)定用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)， 其中，僅在總的勻場(chǎng)體積的至少一部分上對(duì)局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的勻場(chǎng)(B-Shim-LSC)進(jìn)行優(yōu)化， 特別是在總的勻場(chǎng)體積的一部分上通過局部勻場(chǎng)線圈本身的參數(shù)來規(guī)定、存儲(chǔ)或自動(dòng)計(jì)算所述局部勻場(chǎng)線圈的勻場(chǎng)，這通過淡出具有低的場(chǎng)分量的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)。
22.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，所述勻場(chǎng)控制器(117)被構(gòu)造為，規(guī)定用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)， 其中，分別在視野(FoV)中或在感興趣的區(qū)域(B，WS)的一個(gè)層或多個(gè)層中測(cè)量具有關(guān)于在局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)中的額定勻場(chǎng)電流(ILSC)的可能的范圍而分布的不同的設(shè)置的多個(gè)場(chǎng)圖(N)， 并且，然后當(dāng)對(duì)于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)已經(jīng)達(dá)到最大電流邊界時(shí)，通過新的全局勻場(chǎng)電流設(shè)置試圖找到不會(huì)遇到最大允許電流邊界的LSC設(shè)置。
23.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，所述勻場(chǎng)控制器(117)被構(gòu)造為，規(guī)定用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)， 其中，在每個(gè)方法的結(jié)束處在一部分視野(FoV)中將所測(cè)量的B0場(chǎng)與所計(jì)算的B0場(chǎng)相比較， 并且在良好一致的情況下繼續(xù)進(jìn)行測(cè)量， 并且在不一致的情況下能夠進(jìn)行質(zhì)疑或重新以關(guān)于勻場(chǎng)電流的另外的起始參數(shù)開始測(cè)量。
24.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，在磁共振斷層造影系統(tǒng)(101)的局部線圈(106)的區(qū)域中的一個(gè)或多個(gè)局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)設(shè)置在局部線圈(106)的高頻發(fā)送天線的區(qū)域中和/或作為其一部分，和/或設(shè)置在患者臥榻(104)中。
25.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于具有勻場(chǎng)控制器(117)，后者被構(gòu)造為，在考慮，尤其關(guān)于可由局部線圈檢查的身體區(qū)域(B，K，WS)，在磁共振斷層造影系統(tǒng)(101)和/或患者臥榻(104)中連接了和/或探測(cè)了的局部線圈的哪種類型(106，106a)條件下，規(guī)定用于全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)。
26.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，至少一個(gè)全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2, GSC3, GSC4)和/或至少一個(gè)局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)是用于產(chǎn)生梯度場(chǎng)的梯度線圈(112z)，或者是用于產(chǎn)生高頻場(chǎng)的HF發(fā)送和/或接收線圈(RX，TX;108a_c)。
27.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，除了至少一個(gè)全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2, GSC3, GSC4)和至少一個(gè)局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)之外還在MRT(lOl)中和/或局部線圈(106)中設(shè)置至少一個(gè)梯度線圈(112z)，用來產(chǎn)生梯度場(chǎng)。
28.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)，其特征在于，一個(gè)或每個(gè)全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)是在MRT(lOl)的孔(103)之外徑向布置的勻場(chǎng)線圈， 和/或是在MRT(lOl)的孔(103)的殼體罩(UM)之外徑向布置的勻場(chǎng)線圈，和/或是MRT殼體勻場(chǎng)線圈。
29.一種用于使磁共振斷層造影系統(tǒng)(101)勻場(chǎng)的方法，特別是具有根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的磁共振斷層造影系統(tǒng)(101)的方法，其中規(guī)定用于磁共振斷層造影系統(tǒng)(101)的全局勻場(chǎng)線圈(GSC1，GSC2，GSC3，GSC4)和用于局部勻場(chǎng)線圈(LSC1，LSC2)的額定勻場(chǎng)電流(IGSC，ILSC)。
【文檔編號(hào)】G01R33/565GK104422915SQ201410414924
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2014年8月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月21日
【發(fā)明者】S.比伯, R.雷德貝克 申請(qǐng)人:西門子公司